Фоторезисты

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистицески." Республик(51) М, Кл.Н 01 . 31/08 соединением заявкиГосударственный комит Совета Министров ССС по делам изооретений и открытий23) Приоритет43) Опубликовано 25.12,76. Бюллетень47 45) Дата опубликования описания 24.02.77(72) Авторы изобрете Т. Коломиец, В. М. Любин и В. П. Ши хнический институт им. А. Ф, Иофф 71) Заявитель ена Ленина 4) ФОТОР для фоторезиста состава А 5 ЯЗ, где 0 х(0,5, вкачестве позитивных фоторезистов, чувствительныхк излучению Не - Ме-лазера; также применяютполупроводники состава тп без з (1- т) без 5 с з, гд5 0 ( а (1,0, в качестве негативных фоторезистов, чувствительных к излучению Не - Ме - лазера, такжеприменяют полупроводники состава Ав 50,где 0,6 Х 0,8, в качестве фоторезистотельных к излучению Не - Ме - лазера; так0 меняют полупроводники состава А 5 з Зз М0(х 1,0, а М - элементы бе, Х, 1 БЬ - в кфоторезистов, чувствительных к излученилазера; также применяют полупроводнива А 5 х 81 - х где 0,07(х(0,3, для получ5 резистов, чувствительных к излучению в, чувств же при, где ачестве Ю А 5 ки состая отоени фНе-Сд-лаки и,лпонентнпровотрехко алы систем А 5 - М, А 5 - Я - 3 Ь,бе - Я - Ы и де тонких плевами: а) не раоблучения свето Изобретение относится к технике фотолитографии и может быть использовано в микроэлектронике и полиграфии.Известны фоторезисты, изготовленные из органических полимерных материалов: поливинилциннамата (негативные фоторезисты) и нафтехинондиазидов (позитивные фоторезисты) .Однако известные фоторезисты обладают сравнительно низкой разрешающей способностью (до 500 - 1000 лин/мм) и имеют чувствительность т лько в коротковолновой (ультрафиолетовой и сине- фиолетовой) областях спектра, оставаясь нечувствительными к длинноволновому свету, что ограничивает расширение области применения фоторезистов и, в частности, не позволяет широко развить голографическую фотолитографию, где требуется весьма высокая разрешающая способность и желательна чувствительность в зеленой, желтой и особенно в красной областях спектра,Целью изобретения является увеличение разрешающей способности, повышение чувствительности в длинноволновой области спектра и осуществление голографической фотолитографии.Для этого применяют халькогенидные стекло- образные полупроводники в качестве материалов кот видные стеклообразные полу- в частносп . двухкомпонентные, ые и многскомпонентные матери- Ы, А 5 - 5, бе - Ь, бе - ЯР, А 5 - 5 - А 5 - ЯЬ - Я, А 5-Я - Э, А 5 - ВЬ - др., будучи приготовлены в винок, обладают следующими свойстстворяются а кислотах, б) после м (видимым или даже инфракрасФормула изобретения вгг Составитель Ь. С г о;вагинРедактор А, Зинаковский Тсхрсд А П. Апдрейчук с.оррсктор Т. Чаброва Заказ 5577/299 Тираж 963 Подписное 11 ПИИПИ Государственногп пгиизе а Г свс .а .1 Гиннстиов СССР по це:,аги изоорстсиии01 кпгвтий 113 О 35, Москва, Ж 35, Раугнскан нао., и. 4/5Фи 1 гиа:г 1 ПП "П тсггг". г Ужгооо., и . Пооектнав,4 ным) имеют различную скорость растворения облу. ченных и необлученных участков в специальных растворителях, изготовленных на основе аминов и других органических веществ, в) обладают весьма высокой разрешающей способностью записанных оптических изображений (до г. - 8 тьгслинггмм), могут быть удалены с подложки путем промывки в концентрированном щелочном растворе, д) обладают хорошими диэлектрическими свойствами (удельное сопротивление 1 -- О - 10 Ом см), е) имеют малую толщину (0,1 - ",0 мкм) .Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников могут быть и:готовлены многиьпг способами путем термического ударного и электронно - лучевого испарения в вакууме, а также сиособом плазменного напьвгеггия.Для многих из указанных материалоь легко обеспечиваются хорошая термостойког гь и хорошие адге зионыс св с й ств а.При изменении состава халькогепгдного стеклообразпо го пол упров оцника легко можно обеспечить гроточувствит льность В нужной Области. в частности в красной.Интегральная фоточув ствительность составляет 0,1 - 10,0 см /Дж в зависимости от состава.Перечисленные свойства показывают пригоц. ность рассматриваемых хальксгенидпых стеклоооразных полупроводников цтгя применения в качестве материалов дпя изготовления фоторезиста.Физические Основы работы халькогенидных стеклообразных полупроводников в качестве материалов для изготовления фоторезистов сгзоцяз ся к тому, что эти материалы, будучи неорганическими полимераьи, под действием света изменяют своо полимерную структуру (либо ушив аются, либо наоборот, деструз ируют), что сепровождается лзменением ряда их свойств,. в гаспюсти растворимости в некоторых растворителях.Особенно хорошие результаты получены при использовании следующих халькогенидных стекло- образных полупроводников: Азг Я, - Мх, где ОХ (1.,О, а М - элементы бе, 3, ЯЬ, АзхЯг х, где 0,07( Х0,03, гпСае 2 Яз ( - гп) бе 2 ЯР з где 0 гп (1,0;АзхЯс г х, где 0,6 (Х(0,8 (негативные фоторезисты)и АВЯЮ х, где 0 (Х0,5 (позитивные фоторезисты).1 з зависимости от времени и интенсивностиэкспозиции некоторые материалы (напримерАвЯЙ)могут работать в режиме либо позитивного, либонегативного фоторезиста,Среди этих материалов имеются материалы,чувствительные к излучению Не - Сб - , Аг - илиНе - М е - лазеров,1, Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в качестве материалов для фоторезиста с целью увеличения разрешающей способ. ности, повышения чувствительности в длинноволновой Области спектра и осуществления голографик гй фо Олитографии2. Применение по п,1 халькогенидных стекло. обоазных полупроводников состава АВЯРЛ, где ОЯс 0,5, В качестве позитивных фоторезистов, чувствительных к излучению Не - Ме - лазера.3. Применение по п. 1 халькогенидных стеклообразных полупроводников состава птаЯагг ггт 1 е 2 ЯР з, где Ощ(1,0, в качестве не. гативных фоторезистов, чувствительных к ипчуче. нию Не г 1 е лазера.-. ригаснение по и.1 халькогениц.,;х стекло. Обр зных попупроводников состав: .ь, ., где . -;:.;.=Й.8,. в качестве фоторезистов; В,1 влтель;.г;г: к излучению Не - Ме - лазера.5. Применение по п.1 халькогенидных стеклоооразных полупроводников состава Ав 2 Яз Мх, где О х 1,0, а М - элементы Ьл,ЯЬ, в качестве фоторезистов, чувствительных к излучению АВ - лазера,6, Прлменение по п,1 халькогенидных стекло- образных полупроводников состава Авх Я где 0,.07.х 0,3, для получения фоторезистов, чувстви. тедьных к излучению Не - Сс - лазера.