Магниторезистор

О П И С А Н И Е (1 и 544020ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик) Дополнительчое к авт, свид-ву ) Заявлено 24.06,75 (21) 2147826/2присоединением заявки43 осударственнын комнтеСовета Министров СССРпа делам изооретенийи открытий 23) Приоритет(43) Опубликовано 2 д,01,77,Бюллетень8 (45) Дата опубликования описания 05,06.77) Заявитель 4) МАГНИТОРЕЗИСТ 0 Изобретение относитс к области элекбыть использованоезисторов (МР) роннои ки и может нии магнито изготовл Толщинуа 1 Р обычно инимальному значениемятся свест с целью повышениякже с целью снижеция я создания управляюНаиболее легко это х сопротивления, анергии, необходимо щего магнитного подложку. Известен магн соде ржашиизистивный слой электрич основани з ани териала, напримерый между ними и ного вис - слой та, и расположенметалла Я . О звестном магниторезистоо о Г, )тс 3 ле . . иль.о бо.1 це умецысокаяетени ротивлен-я плецкц ви м-"пиитовзпс.-явнолц 1 е посвЬтнмалр -олупроводниковых резисторов, сопротивлен оторых зависит от внешнего магнитного п стигается при использовании дляМР тонх пленок полупроводниковых материалов,несенных на диэлектрическое основание -в чувствительность.Ц зобр я - повышение чувствиности магниторезистора за счет увели-:ел ч значения:,:аг:и:то.1 зц"тт:",цо 1 с о:лешевнчя и пг .тсоеицо,:, 1. л нто достигаРлт.ы темсо и магнцтсрезисторер одсржаш.м днелек",п 1:;- с" е основание, резистнвный с;.ой :з анцзотцопцотсслой 1 з метал;, в начес.1 ке а,.,ц пг 1 лслоя попсой 0.ц; один из о:;а 1,:, е;:,топ периодической сис. .", си с " .ст ". зи . озь. - О шонию содержа;.л:; ре; цсь .:;:тлос кристаллитов оцт,:маз;:;.:":;рце ацц, осиосительно подложки, сост.,л 1 е"о з .:ксля, ооальта, меди, хрокю, пуат и,:., дця, золота,серебра. содержашкй диэ;- ти.о. з,.цоьациеподслой , глсц.з,3 в,.:.;", "онтзктные г544020 Составитель П. ЛягинсРедактор О. Стенина Техред Н. Андрейчук Корректор Ж. Кеслер Заказ 836/67 Гираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ная толщина подслоя лежит в пределах 103000 АУлучшение магниторезистивных свойствмагниторезисторов в поперечных магнитныхполях на основе пленок висмута, напыленныхна подложки с предварительно нанесеннымподслоем другого материала, обусловленовлиянием подслоя на структуру пленок висмута,Известно использование подслоя при напылении тонких пленок различных материа -лов в тонкопленочной технологии для улучшения адгезии пленки к подложке, но неизвестны сведения о влиянии материала подслоя на магниторезистивные свойства пленок и их структуру.При напылении висмута на подложку сподслоем кристаллиты подслоя служат эффективными центрами зарождения кристаллитоввисмута при конденсации паров висмута наподложке и способствуют росту кристаллитоввисмута с различной их оринетацией относительно подложки. В результате в пленке висмута формируются кристаллиты с более выгодной ориентацией относительно подложки, р 5что приводит к увеличению магниторезистивного отношения в поперечном магнитном псле. Наличие в пленках висмута, напыленныхс подслоем указанных материалов, кристаллитов с различной ориентацией подтверждено ЗОпри рентгеноструктурном исследовании пленок. В качестве материала подслоя, помимочистых металлов, могут быть примененысплавы на их основе,Преимуществом данного магниторезистора 35является более высокое и воспроизводимоемагниторезистивное отношение по сравнению с известными пленочными магниторезисторами из висмута,В магниторезисторах без подслоя магниторезистивное отношение в поле с индукциейВ= 1 т составляет 1,13-1,23,Введение подслоя приводит к увеличениюмагниторезистивного отношения в поперечном магнитном поле с индукцией В = 1 т дозначения 1,24-1,37. Таким образом относительное приращение сопротивления в магнитном поле за счет введения подслоя увеличивается приблизительно в 1,5-2,0 раза. Формула изобретения Магниторезистор, содержащий диэлектрическое основание, резистивный слой из анизотропного материала, например висмута, и расположенный между ними подслой из металла, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности магниторезистора за счет увеличения значения магниторезистивного отношения в поперечном магнитном поле, в качестве металла подслоя использован один из ряда элементов периодической системы, способствующих повышению содержания в резистивном слое кристаллитов оптимальной ориентации относительно подложки, состоящего из никеля, кобальта, меди, хрома, платины, палладия, золота, серебра. Источники информации, принятые во вниние при экспертизе;1, Аат. свид. СССР М 311295, кл. Н 01 с 7/00, 1970 (прототип).