Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Саюэ Советских Социалистических Республикч 351267 олнительное к 092297/25 1) Л, Кл.з Заявлено 03.01,75 ( 1 Ь 21/78 присоединением заявк Государственный иомит овета Министров СССло делам изобретений н открытий юллетеньания 14.03.7 21,382 088 кий, Н, В. Аверченко и И. В. Харламов 71) Заявит РАЗДЕЛЕНИЯКОВОЙ ПЛАСТИНСТАЛЛЫ(54) СПОСОБ ОЛУПРОВОДНИ НА КРнаправлениях с помощью лазерного луча наносят две линии надрезов. Линии, нанесенные лучом лазера, между которыми проводят скрайбпрование, образуют границы ограничительной зоны, отделяющей неповрежденную область кристалла от области, разрушаемой при скрайбировании и разламывании.Недостатки такого способа;- увеличение трудоемкости и усложнение процесса изготовления полупроводниковых приборов из-за введения дополнительной операции формирования ограничительных зон путем лазерной обработки;- ухудшение условий скрайбированпя изза неравномерного движения резца, который многократно пересекает линии лазерных надрезов, что приводит к дополнительным локальным повреждениям кристаллов.Целью изобретения является уменьшение степени повреждения готовых структур п упрощение процесса разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы.Это достигается тем, что по предлагаемому способу ограничительные зоны создают чередующимися п не пересекающимися между собой, при этом хотя бы одну из зон создают в области скрайбированпя.Ограничительная зона предстаобласть локальных физическихстей в приповерхностном слое пл вляет собой неоднородноастины, рас) Авторыизобретения В, Я. Зобенс, А. С. Ковале Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем.Известен способ разделения полупроводниковых пластин на кристаллы скрайбированием, заключающийся в том, что на поверхность пластины между разделяемыми кристалламп алмазным резцом наносят сетку рисок, локально снижающих прочность материала. В дальнейшем пластину разламывают на отдельные кристаллы по нанесенным рискам. Однако на рабочих гранях кристаллов при скрайбировании и разламывании возникают дефекты, например сколы, микротрещины, которые приводят к повреждению готовых полупроводниковых приборов.По основному авт. св.351267 известен способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы, позволяющий уменьшить степень повреждения готовых структур при разделении и тем самым улучшить параметры приборов, Улучшение качества разделения достигается формированием на пластине ограничительных зон, ширина которых больше ширины разрушаемой инструментом области. Ограничительные зоны, по которым проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации внутренних механических напряжсний, например: слой изолирующего диэлектрика между монокристаллической и полцкристаллической областями в приповерхностном слое пластины; область на поверхности полупроводниковой пластины с удаленным маскирующим диэлектриком, граница которой является местом концентрации механических напряжений.Две или более чередующиеся ограничительные зоны, из которых хотя бы одна создана в области, разрушаемой при скрайбированци, существенно уменьшают степень повреждений кристаллов при разделении за счет постепенного ограничения распространения механических дефектов вглубь кристалла, что цовышаст выход годных приборов.Создание чередующихся ограничительных зон приводит к упрощению технологического процесса разделения пластин ца кристаллы, так как зоны создают известными методами планарной технологии одновременно с процессом изготовления приборов, используя на различных его стадиях (в зависимости от конкретного типа прибора) фотошаблоны с дополнительными элементами, обеспечивающими получение ограничительных зон.Согласно изобретению, создаваемые ограничительные зонь 1 не пересекают область скрайбированця, чем обеспечивается равномерное перемещение резца, улучшение условий скрайбирования и качества разделяемых кристаллов,Предлагаемый способ поясняется чертежом.На полупроводниковой пластине 1 вокругразделяемых кристаллов 2 сформированы черсдующцсся ц не пересекающцеся между собой ограничительные зоны, например трц чередую 1 ццеся зоны 3, 4 и 5,Ограцичцтельная зона 4 образована, например, слоем изолирующего диэлектрика внешней по отношению к кристаллу стороны 10 изолцрованной области 6; ограничительнаязона 3 образована, например, областью концентрации механических напряхкений на границе маскирующего диэлектрика 7; ограничительная зона 5 образована, например, слоем 15 изолирующего диэлектрика внутренней по отношению к кристаллу стороны изолированной области 6. Ограничительная зона 4 создана в области скрайбированця (области нанесения риски) 8.20 Механические дефекты в виде сколов имикротрещин, возникающие на рабочих гранях кристаллов при скрайбированци ц разламывании полупроводниковых пластин, распространяются в пределах ограничительных 25 зон, образованных вокруг кристалла, ц не затрагивают готовых структур. Формула изобретения Способ разделения полупроводццковой пластины на кристаллы по авт. св. Мв 351267, отл ичающийся тем, что, с целью уменьше ния степени повреждения разделяемых кристаллов, ограничительные зоны создают чередующимися и не пересекающимися между собой, прц этом хотя бы одну из зон создают в области скрайбцровацця,