Уюеренко

Устройство для 113лерения электрически4 свойств полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 419817

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Медведев, Петров, Сибирский, Уюеренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 113лерения, полупроводниковых, свойств, электрически4

...с помощь 1 о пстли связи 17, а с СВЧ свин-генератором - с помощью петли связи 5 18. Емкость, образованная полупрозрачнымконтактом 15, волноводом 11 н пластинкой слюды, выбирается таким образом, чтобы сопротивлени 1 с этой емкости на СВЧ было низким, а на частоте генератора 8 - высоким. О Электрическое поле резонатора 4 практически сосредоточено в зазоре между полупрозрачным электродом 15 и торцом штыря 12, таким образом исследуемый образец оказывается вкл 1 оченнь 1 м в СВЧ поле резонатора.5 Устройство работает следующим образом.СВЧ мощность от свип-генератора 1 черезаттенюатор 2, вентиль 3 подастся на резонатор 4. Прошедшая через резонатор мощность регистрируется дстектором. ПродстсктировянО 11 ый сигнал подается на усплп тель...