Устройство для 113лерения электрически4 свойств полупроводниковых материалов

Соз Есн ИЗОБРЕТЕНИЯ 1 л 1 419817 ВТОРСетОМУ СВИДЕТЕПЬСТВ(22) Заявлено 03.04.72 (21) 176843626-25 1)М Кт 6 присоединением заявки 32) Гасударственный ка 1 нтет Саввта Инннатрав СССР аа делам иаабретеннй и аткрытнйритет 53) УДК 620,1.08,5".;.7088.8) публиковано 15.03.74. Бюллетень М 1 ата опубликования описания 12,08.74(71) Заявитель Д А ло имени ь. Д Знамени Ео Ю, В. 1 Ле,11 ведев, А. ". Петров Сибирский физико-технический инстит при Томском ордена Трудового Красног университете4) УСТРОЙ С 1 ВО ДЛЯ ь ЗМ ЕР Е СВОЙСТВ ПОЛУПРОВСДпЙКь 2 Известны устройства для измерения свойств полупроводниковых материалов, содержащие СВЧ свип-генератор, вентиль, детектор, усилитель, осциллограф, источник света, генератор низкой частоты, фазовращатель и СВЧ резонатор с размещенным в нем образцом полупроводникового материала. Данные устройства обладают низкой точностью и скоростью измерения, что вызвано технологией приготовления образца исследуемого полупроводникового материала и методом измерения.С целью повышения точности и скорости измерений образец помещен в емкостный зазор, образованный штырем и полупрозрачной стенкой резонатора, изолированной от образца и стенок резонатора.На фиг. 1, 2 представлена блок-схема предлагаемого устройства.Устройство для измерения поверхностного потенциала полупроводниковых материалов содержит СВЧ-свип-генератор 1, вентиль 2, аттенюатор 3, резонатор 4 с исследуемым образцом, детекторную секцию 5, усилитель 6, осциллограф 7, генератор 8, фазовращатель 9, источник света 1 О. Резонатор образован на основе запредельного волновода 11 и резонансного штыря 12. Исследуемый образец 13 с нанесенным омическим контактом 14 освещается через полупрозрачный контакт 15 модулированным пучком света. Полупрозрачный контакт 15 изолирован пластинкой слюды 16 от образца и запредельного волновода. Связь резонатора с детекторной секцией осуществляется с помощь 1 о пстли связи 17, а с СВЧ свин-генератором - с помощью петли связи 5 18. Емкость, образованная полупрозрачнымконтактом 15, волноводом 11 н пластинкой слюды, выбирается таким образом, чтобы сопротивлени 1 с этой емкости на СВЧ было низким, а на частоте генератора 8 - высоким. О Электрическое поле резонатора 4 практически сосредоточено в зазоре между полупрозрачным электродом 15 и торцом штыря 12, таким образом исследуемый образец оказывается вкл 1 оченнь 1 м в СВЧ поле резонатора.5 Устройство работает следующим образом.СВЧ мощность от свип-генератора 1 черезаттенюатор 2, вентиль 3 подастся на резонатор 4. Прошедшая через резонатор мощность регистрируется дстектором. ПродстсктировянО 11 ый сигнал подается на усплп тель 6 и далее - ня вход осциллографа 7. Напряжегп 1 с от генератора 8 приложено к полП 1 юзрячному контакту 15, штырю 12 и чсрсз фазоврящятель 9 - к гоопзонтял 1.1 п.1 м пластинам ос цилло 1 ря . 1 осколь" ч;1 стотя рсзо 11 яторяпри действии напряжения от генератора 8 может изменяться, используется свин-генератор 1, Коэффициент прохождения СВЧ мощности через резонатор тем больше, чем меньше про- О води 1 ост 1. обряз 1;я. Таким образом, па экранеосциллографа нябл 10 дястся кривая из.11 снсния41 В 817 Предмет изобретения К геиеап оу ИЧ илеСоставитель Т. Дозоров едактор Л, Цветкова Текред А. Васильева Корректор Н. ТоркинаМ 1388 енпого комитетаам изобретений иЖ.35, Раушская Заказ 1923/б Изд. 1 НИИПИ Госудаоств по дел Москва, ПодписпоССР Тираж 678Совета Министрооткрытийнаб., д, 4/5 пография, пр. Сапунова, 2 коэффициента пропускапня нагруженного резонатора при действии напряжения, приложенного к поверхности образца. Максимум коэффициента пропускания соответствует минимуму проводимости образца, т. е. нулевому изгибу зон. Сопоставление теоретической кривой и экспериментальной кривой изменения коэффициента пропускания в темноте и при освещении образца позволяет определить величину поверхностного потенциала, соответствующую различным значениям приложенного поля, зависимость заряда захваченного поверхностными ловушками, а также скорость поверхностной рекомбинации. Устройство для измерения электрическихсвойств полупроводниковых материалов, со держащее СВ 1 свип-генератор, вентиль, детектор, усилитель, осциллограф, источник свста, генератор низкой частоты, фазовращатель и СВЧ-резонатор с расположенным в нем образцом полупроводникового материала, 10 отличающееся тем, что, с целью повышения точности и скорости измерений, образец помещен в зазор, образованный штырем и полупрозрачной стенкой резонатора, изолированной от образца и стенок резонатора.