ZIP архив

Текст

111 295526 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскиМ Социалистичесеа Республик(32) Приоритет сударстааиаа 1 й каиата ааата яжЙсааа .".гСР 1 П ДСГдр: " РДТТаЯВ а р"нК 1 Опубликовано 05.04.74, Бюллетень 3) 21,362.2088 8) Дата опубликования описания 19.09,7(54) ТЕРМОЭЛЕМЕН Премет изоб тен из монокрпсталной электропромо- э.д.с., о т л илью увеличения ковая грань терачивающей моноИзобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую при помощи анизотропных термоэлементов.Известные анизотропные терм оэле менты изготавливаются из монокристаллов, обладающих анизотропией термо- э.д.с. К.п.д. преобразования тепловой энергии в электрическую и развиваемая ими э,д.с, имеют малые значени 5.Предлагаемый термоэлемент имеет целью обеспечить повышение к.п.д. преобразования тепловой энергии в электрицескую, а также увеличить развиваемую э.д.с.Для этого термоэлемент, состоящий из монокристалла, облада 1 ощего анизотропией электропроводности и изотропной термо- э.д.с., снабжен закорачивающей монокристаллической пластиной, установленной на боковой грани кристалла,На чертеже показана схема предлагаемого термоэлемента.Он состоит из двух кристаллов 1 и 2, имеющих форму прямоугольных брусков, изготовленных из различных материалов, Материалы кристаллов обладают изотропной термо- э.д.с., но апизотропной электропроводностью. Грани а с, и а с, кристаллов име:от контакт с тепловым источником, а противолежащие грани имеют контакт с тепловым стоком. Кристалл 1 ориентирован так, что его кристаллографические оси Х и У образуют угол ср с ребрами бруска, в то время как кристаллографические оси кристалла 2 совпада ют с ребрами пластины. При этом тепловойпоток в термоэлементе направлен по оси Уа, вдоль которой электропроводность максимальна. Это приводит к закорачиванию продол 1 ной (то есть вдоль градиента темпера тур) термо- э.д.с. на кристалле 1 и к возникновению поперечной термо- э,д,с. между гранями Л и В.Пластина 1 мохкет быть изготовлена, например, из монокрнсталла графита, а пла стива 2 пз монокристалла теллурида висмута. Термоэлектрическая добротность такого термоэлемента достигает 1,1 10 - д град - , а тсрмо- э.д.с. 20 10 -в при разности температур 10 град.20 Термоэлемент, состоящп ла, обладающего а;изотро 25 водность:о и пзотропной те чающнися тем, л, с ц по 1 ере гной термо- э.д,с., б.,Сзлемспта снабжена закор кристаллической пластиной.оставитель С, Островская Техред Т. Курилко Корректор О. Усова дактор А. Калашникова Подписное каз 245574 С ИИ ипография, пр. Сапунова, 2 Изд. Мз 723осударственногопо делам изобМосква, Ж, Р Тираж 760митета Совета Министровтений и открытийушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1300503

Л. И. Анатычук, В. Т. Димитращук, О. Я. Лусте

МПК / Метки

МПК: H01L 37/00

Метки: 295526

Опубликовано: 05.04.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-295526-295526.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">295526</a>

Похожие патенты