Сиприкова

Номер патента: 475664

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Гаврилин, Голубева, Гул, Сиприкова, Таракановский, Шенфиль

МПК: H01B 1/02

Метки: контактного, состава

...азота - 196 С), так как при этом происходит значительная потеря электропроводности.Электрический контакт, устойчивый при низких температурах, удается получить, применяя в качестве электропроводящего цаполнителя дисперсное серебро. Однако прц этом невоз 1 ложно осуществить многоточечный электрический контакт, поскольку серебро неферромагццтно, а следовательнос структурируется в магнитном поле.Чтобы получить устойчивый электрический контакт при низких температурах, предлагают частички ферромагнитного металлического наполнителя (напрцмер никеля) покрывать тонким слоем,серебра, золота пл пла гины.Изготовленный таким способом состав обладает высокой стабильность 0 электричсскцх свойств, обусловленной химической нсртностью серебра. Кроме...

Номер патента: 418821

Опубликовано: 05.03.1974

Автор: Сиприкова

МПК: H01L 31/14, H01L 31/18

Метки: излучения

...чувствительный элемент, выт 1 олненный в виде пластины 1 монокристалла с размещенными на ее противоположных плоскостях электродами 2 и 3, На стороне расположения электрода 3 имеется плоский выступ 4, на котором закреплен электрод 5. Электрод 3 служит выводом средней точки между нагрузочным резистором и чувствительным элементом.Геометрические размеры преобразователя выбраны из условия согласования сопротивле ний монокристалла (фоторезистора) и нагрузки. Сопротивления монокристалла и нагрузки определяются из выражений;Е, Енф5 н41882 МЯ где р - удельное сопротивление моиокристалла;1 ф - толщина пластины монокристалла; Яф - площадь монокристалла, занимаемая электродом 2;1 - толщина выступа;5, - площадь выступа, занимаемаяэлектродом...

Номер патента: 177557

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Адирович, Дун, Ощепков, Рождественска, Рубинов, Сиприкова, Юабов

МПК: H01L 31/18

Метки: дискретных, системы

Номер патента: 183844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Адирович, Литори, Рождеств, Рубинов, Сиприкова, Тошзнля, Юабов

МПК: H01L 31/06

Метки: 183844

...проводимостью и датчиковдля получения многоэлементной информации.В качестве датчиков используются фотосопрвтивления, которые изменяют нод действиемрадид 10 в распределение потенциала, создд; 10)1 емого внешним источником ндпря)кения.В предлагаемом преобразователе датчикимногоэлементной информации выполнены изполупроводниковой плени с аномально больиим фотонанряжснием (афн-пленки), которые непосредственно преобразуют радиационный ноток и электрический нотенцияльн);ирельеф,В отличие от полупроводниковых фотоэлс.ментов, генерирующих фотондпря)кение по- Юрядка ширины запрещенной зоны (осс)ло 1 н)фн.пленки генерируют нрн тех же освсщенностях сотни вольт нд снтнмстр длины пленкиирн кОмнтнОЙ тсмпс 1)31 турс и нор 5 дкд тыс 1)ивольт ш)...