Способ маркировки элементов интегральных схем

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...