Способ изготовления корпусов полупроводниковых приборов

Номер патента: 284181

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Властимил, Евжен, Зденек, Изобретен, Иностранное, Йиржи, Оборовы, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...корпуса с мсталлпчсскп 284181ми трубочками согласно изобретению можно упростить конструкцию, Для этого одно из колец изготавливают из электроизоляционного материала, а другое из металла, причем тру. бочка металлического кольца образует с последним единое целое.Металлические кольца выполняют,преимущественно в вндссеченного конуса.На фиг, 1 изображено, сечение,полупроводникового прибора, у которого соединительные элюинты кори са Выполнены В виде металлических труоочек; на фиг. 2 предстаьлено сечение полчпроводликового прибора, 1 которого соединительные элементы выполнены из электроизоляционного матсриала и образуют с кольцом одно нераздельное целое; на фиг. 3 дано сечение полупроводникового прибора с упрощенлой конструкцией...

Номер патента: 758972

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Митин, Онуприенко, Поспелов, Сидоров, Шалимович

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

Корпус полупроводникового прибора, содержащий керамическое основание с последовательно размещенными на нем слоями из тугоплавкого материала и молибдена, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления и повышения надежности, в качестве тугоплавкого материала используют твердый раствор молибдена в титане со следующим соотношением компонентов, мас.Mo 12,5 16,6Ti 83,4 87,5

Номер патента: 1739401

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Головнин, Дрозд, Рифтин, Христич, Церфас

МПК: H01L 21/50

Метки: пайки, полупроводникового, прибора, элементов

...к кристаллодержателю. Поэтому было проведено исследование влияния различных факторов, влияющих на этот режим.10 15 Яэфф=КЯ,50 55 20 25 30 35 40 45 В текущем производстве для получения воспроизводимых результатов пайку кристаллов припоем ПОСведут при 240- 260 оС, что на 60-80 С превышает температуру плавления этого припоя. Следовательно и при пайке кристаллов с помощью нагретого азота должна поддерживаться такая температура. При исследовании условий поддержания температуры пайки в диапазоне 240 - 260 С применяют припои ПОСи ПОС, имеющие соответствующие температуры плавления 260 и 240 оС,Опыт проводят в следующем порядке, Кристаллодержатели на гребенке облуживают одним из указанных припоев, При этом толщина припоя Л поддерживалась в...

Номер патента: 1012161

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Данилин, Загоровский, Кравченко, Лотох, Прытков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...необходкмо предварительное измерение термочувствительного параметра при фиксированной температуре (время операции болеедесяти мин), а также использование двухсерий импульсов, нагревающих полупроводниковый прибор с постепенным наросганием их амплитуды и измерении каждыйраз после окончания очередного импульса термочувствительного параметра.Кроме того, данный способ не обладаетвысокой точностью, имеет место погрешность измерений, связанная с неконтролируемьм Охлаждением кристалла за время измерения термочувствительного параметра (после переключения от греющеготока к измерительному).Целью изобретения является повышение быстродействия и точности контроля.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу контроля качествасоединений...

Номер патента: 1098717

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Богданов, Воеводин, Гурский, Даванков, Касимов, Сергеева

МПК: B23K 20/00

Метки: герметизируемых, поверхностей, подготовки, полупроводникового, прибора, сваркой, холодной

...прибора.Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу подготовки поверхностейгерметизируемых деталей полупроводникового прибора перед холодной сваркой, включающему нанесение покрытия гальванического никеля толщиной 0,01 - 0,02 толщины основы соединяемых деталей, гальваническое покрытие выполняют двухслойным,где первый слой матовый, а второй блестящий, при отношении толщины первого квторому, равном 1,6 - 1,8,Нанесение двойного слоя никелевогопокрытия (вместо одного) на детали передсваркой дает более высокое качество соединения, потому что одинарный слой никеляболее пластичный, а двойной слой болеехрупкий.В процессе пластической деформации непосредственно в плоскости соприкосновения 15 20 25 30 35 40 двух свариваемых деталей,...