Патенты с меткой «ионпого»

Номер патента: 420015

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Баранова, Зорин, Павлов, Пашков

МПК: H01L 21/265

Метки: ионпого, легирования, полупроводников

...может иметь место заметная ускоренная диффузия импланпируемой примеси, которая трудно, поддается учету и может оказаться нежелательной в технологии производства полупроводниковых приборов, а снижение плотности гока приводит к чрезмерному увеличению времеви формирования примесцых слоев с данной концентрацией, что технологически также це всегда целесообразно.увеличение электрической активности примеси, введенной в полупроводник конной имплантацией, обеспечивается за счет того, что при точечном леппровавии полупроводников, например кремция, при комнатной температуре для увеличения электрической активности внедренной примеси, например бора, логируемый полупроводник предварительно подвергают упругому деформировацию.Упругие деформации...