Пьезо-сегнетоэлектрический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
11 425255 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социвлистицеских Республик(22) Заявлено 12,12.72 (21) 1857261/26-9 51) М. Кл. Н 01 ч 7/02 пением заявкиприсо асударственныи камитетСавета Министраа СССРаа делам иэабретенийи открытий(088,8) убликовано 25,04.74, Бюллетень1 та опубликования описания 24.09,74, Л. Н. С литов, А. Н. Лоба и П,Л.Зак И 71) Заявите а Трудового Красного Знамен АН СССР им. А, В.ллогра и титут криникова 4) ПЪЕЗО-СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИ тони держ П ет из о брете ни материал,(5651), отллью повышенвого перехода,ортониобат сурсодержании ио) Раз поряд менее преим го 20 я, и, и футер засып 56 ЖЬ Одно 0 - 95 5 - 50 Изобретение относится к пьезотехнике.Известен пьезо-сегнетоэлектрический материал на основе сульфойодида сурьмы с примесями 5625 з и 56 е 0 з.Однако введение добавок 56 г 5 з, 5620 з в сульфойодид сурьмы размывает фазовый сегнетоэлектрический переход, понижает пьезомодуль, что затрудняет использование легированных образцов сульфойодида.Целью и 1 зобретения являеМся повышение точки Кюри и четкости фазового перехода.Для этого в сульфойодид сурьмы введен оробат сурьмы (56 У 604) при следующем соании исходных компонентов, в мол. %:5651 50 - 95 5 ЬУЬО 5 - 50 работанный материал имеет точку Кю ка 50 - 51 С, значение пьезомодуля 1,2 - 1,8 10 -СГС, что обеспечивает е ущество по сравнению с известным. и м е р. В реактор высокого давлен ованный двумя кварцевыми трубкам ают исходные монокристаллы 5 Ь 51 04, взятые в мольных отношениях 90: временно с этим в реакторе задают д ление инертного газа. Загруженный реактор нагревают в печи и выдерживают в режиме 72 - 96 часов при 635 С, После полной гомогенизации расплава реактор опускают в холодную зону со скоростью 3,6 км/час, в результате чего весь расплав закристаллизовывается в виде однородного поликристаллического образца состава (5651)оо (56 М 604)1 о.Полученный образец имеет точку Кюри 51 С и пьезомодуль порядка 1,4 10 - " СГС. Образцы представляют из себя твердые растворы, что Подтверждено данными рентгенофазового исследования. Пьезо-сегнетоэлектрическииоснове сульфойодида сурьмычающийся тем, что, с цеточки Кюри и четкости фазосульфойодид сурьмы введенм ы (5 6 УЬ 04) пр и следующемходных компонентов (в мол, о565156 У 604
СмотретьЗаявка
1426904, 06.04.1970
В. И. Пополитов, А. Н. Лобачев, Л. Н. Сыркин, П. Л. Закс, Ордена Трудового Красного Знамени институт кристаллографии СССР А. В. Шубникова
МПК / Метки
МПК: H01L 41/187
Метки: материал, пьезо-сегнетоэлектрический
Опубликовано: 25.04.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-425255-pezo-segnetoehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пьезо-сегнетоэлектрический материал</a>
Устройство для загрузки крупнокускового материала в химический реактор
Номер патента: 1139493
Опубликовано: 15.02.1985
Авторы: Баботин, Волошин, Гельперин, Даньшина, Кругляков, Кутергин, Перминов, Суров, Янов
МПК: B01J 4/00
Метки: загрузки, крупнокускового, реактор, химический
...недостатками этих устройств являются сложность и ненадежность конструкции, особенно в том случае, когда в реакторе используются или образуются корро зионноактивные вещества. При использовании устройства происходит разрушение подшипниковых опор транспортера И оно выходит из строя.Цель изобретения - повышение надежности устройства. 45Указанная цель достигается тем, что устройство для загрузки крупнокускового материала в химический реактор, включающее расположенную на крышке реактора шахту, соединенную с ней выходным концом и заполненную жидкостью загрузочную камеру, имеющую в сечении форму сегмента, и закрепленную у выходного конца камеры гидрозатворную перегородку, снабжено накидным желобом, прикрепленным к входному концу...
Многокристаллический сегнетоэлектрический материал
Номер патента: 466693
Опубликовано: 05.12.1976
Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов
МПК: B01J 17/00
Метки: материал, многокристаллический, сегнетоэлектрический
...пироиента при комнатме ие его темп сим в состав материала предлоокись кальция и компонентыюших соотношениях, мол.%;2,5-17,5 бре ормулнокристалли и жено вводить брать в следу ВаО й сегнетоэлект ски матери я и нио а основ лов бария,стронци с я25 элект ия, ос целькозффи юшииния пиро 47, 25 чт а еског и комнатИзвестен монокристаллический материал состава 5 т, Ва МЪ О (где Х = = 0,25 - 0,75),Разработанный монокристаллическийматериал позволяет уменьшить зависимость пироэлектрического коэффициентаот температуры и повысить его значениепри комнатной температуре.П р и м е р . Шихту, состоящую из23,66 г ВаСОз (15 мол.% ВаО),29,545 СО (25 мол.% 50) 8,0 г СаСО(10 мол.% СаО) 106,37 г йд 0(50 мол.%) 10 помещают в платиновый или иридиевыйтигель и...
Реактор для термической обработки сыпучего материала
Номер патента: 1318567
Опубликовано: 23.06.1987
Авторы: Алабовский, Безродный, Волков, Переверзев, Покрошкин
МПК: C04B 11/028
Метки: реактор, сыпучего, термической
...результате подвода тепла к радиационной трубе 6 пары промежуточноготеплоносителя перемещаются в полемассовых сил в верхнюю часть замнутой термосифонной полости и конденсируются в трубах лопастей Я, вала 9и мешал 13, отдавая скрытую теплотупарообразования сыпучему продукту.Вращение термосифонной системы 6 8,9 и 13 посредством электропривода 11с редуктором 12 обуславливает относительное движение теплообменной поверхности и нагреваемого сыпучегопродукта, обеспечивая необходимую интенсивность теплообмена и равномерность нагрева, чему способствует организованная циркуляция продукта подшнековым опускным действием спирально-ленточного оребрения 17 по оси резервуара с одновременным центробежным периферийным движением продуктавдоль...
Сегнетоэлектрический материал
Номер патента: 580197
Опубликовано: 15.11.1977
Авторы: Вербицкая, Майдукова, Пашкова, Хоряк
МПК: C04B 35/468
Метки: материал, сегнетоэлектрический
...от филь 15 ического степенью н одно- рпконды%в зобретения являетс овышение оницаемоЦелью максима сти и коэЦель, включаю диэлектрическои пента нелинейности,ется за счет того, чтоаО, Т 10 ЯпО СгзОт ХгОз или ВаХгОзнии компонентов, в301,5 -ьнои ффиц остиг щий В держ тнош 2000 до 1500 35 - 75 в/мм 80 - 15095 - 105 2 э материал, дополнипри следувес. %:32 тельно со ющем сооТРО ЬпО,0 Изобретение относится к области производства материалов с высокими нелинейнымп сегнетоэлектрическими свойствами, в частности, на основе ВаТ 10 з и может быть использовано в производстве керамических материалов.Известен материал для нелинейных сегнетоэлектриков типа ВКна основе ВаТ 10 з с добавками окислов 5 п и Сг, обладающий следующими характеристиками 1:...
Сегнетоэлектрический термостойкий материал
Номер патента: 1051601
Опубликовано: 30.10.1983
Авторы: Валецкий, Воищев, Елисеева, Коршак
МПК: H01G 7/04
Метки: материал, сегнетоэлектрический, термостойкий
...ккал. Приведенные характеристи ки свидетельствуют о высокой гибкости макромолекул полидиметилсилоксана, что играет главную роль в кинетике его кристаллизации, определяя возможность переупаковок цепей, 60 ведущих к образованию зародышей кристаллов и способствуюзации внутренней структура, благодаря которой онпироэлектрические свойст П р и м е р. Пленки из полидиметилсилоксана общей формулы толщиной 70 - 100 мкм помещают междуизмерительными электродами диаметром1, 510 2 м. Исследуемый образец помешают в специальную камеру, позволяющую проводить измерения в атмосфереразличных инертных газов. Образецподключают к электрометру, Охлаждаютобразец в атмосфере гелия со скоростью 2 град/мин от комнатной температуры до -180 С. При охлаждении...