416792
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 416792
Текст
О П И С А Н И Е 416792изоы етекиЯ Сооз Советскии Социалистицескии Республик.197 присоединением заявки ,Г асударственнби комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ПриоритетОпубликованоДата опублик УД 1 621.396.6(088.8. П. Гапоне аганрогский радиотехнический инстит аявитель ПЛОПЕРЕДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОД СХЕМ С ТЕПЛОВОЙ СВЯЗЬЮРИСТАЛЬНЫХ 2 э 3 режиме гарм ИОСТИ Ь ИСТО .ИКЕ 1 о представить в ющих - постовИ 1.о иая составляющаО ЦСЬ ЧЕРЕ 1 ЗОН 1 к термочуьстзит ляется и и",етерпе 1 С 1 И 1 С 1 ОЛЩ 1 ИЫ С, пио сдвига фаз п ОНИЧЕСКОГО ИЗМЕЕ 1 ИЯ МОЩтепла 4 темисрат ру зОжвиде суммы двух сост; вляй и перемен пои, Переменя температуры, распрострару 10 щий слОЙ 6 11 кристгц 1; сльному элсме 11 ту 3, ослабвает сдвиг по фазе. Увелидоя 6 привод 31 т . у 1 Сличс 1 и Одпои и той жс астотс. теп."Оисредаюп,ихсациоиных схем увели приводит к увелпче;иг иич температуры соотв 0 ствительиого элемента. элементах ЕНИЕ ТОЛЩ о времени етсвуОщего для рслак аиы соя 6 стаовлс термочув Изобретение относится к радиоэлектрошик.Известное теплопередающее устройство для однокристальных схем с те 1,1 оиой связь:.о, содержащее расположенные в области локализации всплесков температуры источников тепла термочувствительные элеменгы, характеризуется недостаточным быстродействием,Предлагаемое устройство отличается от из. вестного тем, что содержит слой изолир)ющего материала, который нанесен на поверхность кристаллов между термочувствптельными элементами и установленными на ием источниками тепла.Такое выполнение устройства позволило повысить его быстродействие.На чертеже изображена конструкция предлагаемого теплопередающего устройства.Теплопередающее устройство содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором методами полупроводниковой технологии выполнены термочувствительные элементы 2, 3 и элементы управляющей электрической схемы. Над термочувствительными элементами расположены источники тепла 4 и 5, Электрическая изоляция источников и термочувствительных элементов осуществляется слоем изолирующего материала б, Источники тепла 4, 5 и слой б могут быть выполнены разлициыми методами, в том числе и методами тонкопленочной техио- ЛОГИИ. Длина источииа тепла 4 ие превышает двух толщин кристалла 1, что позволяет создп вблизи него (на расстояны двх тол 1 ции крисалла от центра исто ип 1 ка) перепада тсм 1 ературы, зиачителы 10 превыцаю 1 цие по веливне перепады температуры вдали от этого источника (по остальной цасти кристалла). Таким образом, поле источника тепла 4 локаОоластп волизи эого источина тепла. Если в этой области расположить термочувствительный элемси г 3, то между и:м и други 1 терзОцувствитсльныз 1 э,смситс: возшпиет перепад температ ры,416792 Сосгагп;гсдп Д. МасловТехред Л. Еогданова 1(орректор Т. Добровольская Редактор Т. Иванова Заказ 1460,12 11 зд. Л. 50," Тиране о 0 Подписное ЦНИИПИ 1 оссдарствснного ко:нггта Сонета .11 инпстров СССР по делам изоб 1 сгеш.и и открнгийТипография, пр, Сапунова,Так как термочувствнтельуые элементы 2 и 3 выполнены в одном кристалле н в одном технологическом цикле, то оп 1 Имеют иден. .ичные характеристики и идентичную зави симость храктеристик от температуры. Дальнейшего увеличения стабильности схемы можно добиться при равенстве постояш ой составляющей температур элементов 2, 3. Это достигается подачей сигнала на источник тепла 5, аналогичный источнику тепла 4, в противофазе с сигналом на исто шике тепла 4. Возможна подача и постоянной составляющей. В этом случае тсрмочувствительные элементы 2, 3 будут реагировать только па переменную составляющую температуры. Предмет изобретения о Теплопередающее устройство для однокристальных схем с тепловой связью, содержащее расположенные в Области локализаЦии всплесков темпер атуры источников тепла термочувствительные элементы, отлича ющееся тем, что, с целью повышения быстродействия, оно содержит слой изолирующего материала, который нанесен ца поверхность кристалла между термочувствительными элементами и установленными на нем 15 источниками тепла.
СмотретьЗаявка
1701302, 04.10.1971
МПК / Метки
МПК: H01L 35/02
Метки: 416792
Опубликовано: 25.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-416792-416792.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">416792</a>
Предыдущий патент: 416791
Следующий патент: 416793
Случайный патент: Устройство для сборки подшипников с коническими роликами