Дураев

Номер патента: 637842

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Дураев, Луньков

МПК: G08B 23/00

Метки: веществами, взрывоопасными, воздушной, загазованности, сигнализации, среды

...и взрывоопасной концентрации. Однако расширение диапазона контроля устройством осуществляется не в отдельном газосигнализаторе, а за счет введения дополнительных газосигнализаторов, что приводит к егоусложнению. Наиболее близким к изобретению но технической сущности является серийно выпускаемый термохимический сигнализатор, в состав которого входят датчик, подключенный к индикаторному прибору с лампами подсветки шкал, управляемый клапан с дросселем, подключенный к газовому входу датчика, усилитель, вход которого подключен к выходу датчика, выход - к первому входу первого блока сигнализации. Это известное устройство характеризуется ограниченным диапазоном контролируемых концентраций газа, что вызвано низкой надежностью...

Номер патента: 590793

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Дураев, Луньков, Ляпина

МПК: G08B 23/00

Метки: загазованности, обнаружения, объекта, опасной

...блок сигнализации 6.Устройство работает следующим образом.При наличии загазованности контролируемогообъекта датчик 1 выдает аналоговый сигнал,пропорциональный концентрации опасных веществ, который поступает на входы пороговыхустройств 2 и 3. При достижении первого промежуточного значения концентрации срабатывает первое пороговое устройство 2 и подаетсигнал на блок задержки 4. Одновременновключаются элементы сигнализации, входящие в состав первого порогового устройства 2,подается сигнал на второй вход второго порогового устройства, подготавливая его к работе, и снимается сигнал с установочного выхода первого порогового устройства. Через про 10 15 20 25 зо 35 40 45 50 55 50 65 меяуток времени, определяемый блоком задержки 4, на первый...

Номер патента: 325908

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Алферов, Андреев, Бородулин, Гарбузов, Дураев, Морозов, Пак, Портной, Швейкин

МПК: H01L 21/28

Метки: 325908

...раст пода едмет изобретени Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов ца сснове твердых растворов соединений ЛщВ.Известные омические контакты к полупроводниковым приборам на основе указанных соединений создаются методами вакуумного напыления, химического и электрохимического нанесения металлов. Металлы для омического контакта подбираются таким образом, чтобы контакт был цевыпрямляющим и имел наименьшее сопротивление.Однако при использовании золота, индия, никеля, платины и других металлов не всегда можно получить низкоомцый контакт, например к Йа 1,- Л 1.,Лз, нашедшему широкое применение в изготовлении таких приборов, как полупроводниковые ицжекциоццые...

Номер патента: 349052

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дураев, Ильина, Родченкова

МПК: H01S 5/00

Метки: 349052

...металлизацип диэлектрических пластин, Способ заключается в следующем. Диэлектрические пластины, например сапфировые, промывают в хромовой смеси 2 - 3 мин при комнатной температуре, затем в дистиллированной воде при 100 С в течение 3 - 5 мин, после промывки пластины сушат в термостате около 10 мин при температуре 120 - 150 С, Высушенные пластины загружают в вакуумную камеру и очищают в поле тлеющего разряда в течение 10 - 15 мин при вакууме 1 10- - 1 10 - - мм рт. ст. Затем камера откачпвается до 1 10 -- 1 10 - т мм рт. ст., пластины нагревают до температуры 5 не выше 800 С и напыляют хром толщиной неболее 2 мк. Затем наносят пленку никеля, например, в электрохимпческой ванне, толщиной не более 2 мк и отжпгают ее в вакууме при...