Измерительный элемент

Номер патента: 140128

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Великий, Лебедкин, Шейнманн

МПК: G01V 3/10

Метки: измерительное, индуктивной, методом, поля, становления, электроразведки

...генератора 1 синусоидальный сигнал поступает на фазовращатели б и б, а затем в блоки 7 и 8, аналогичные блоку 2. Кратковременные импульсы с блоков 7 и 8 поступают на мультивибратор 9, где ограничивают по ширине прямоугольные им пульсы, образуемые в нем. Фазовращатель 5 регулирует сдвиг во времени прямоугольного импульса по отношению к импульсам, создающим первичное поле, а фазовращатель 6 регулирует ширину импульса. Импульсы, образуемые в мультивибраторе 9, служат коммутирующиг сигналом для синхронного детектора 10, на вход которого поступает140128 оставителв д. 3 Рубиичиехред А. А, Камы щи икова Редактор А. И. Дышельма ктор Н. В, Щербаков дп. к печ. 6.1 Х.61 г. Фк. 8748ЦБТИ при Коь,приМосква, Ц 8/ ормат бум. 70(Тираж 1200 тете по...

Номер патента: 147257

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Петров, Плотников

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматической, выводов, полупроводниковых, приборов, припайки, установки, центр, электродам, электродных, электродов

...все координатные перемещеня кареток 4 при помощи коромысла 8, длина плеч которого устанавливается .в зависимости от кратности увеличения кристалла Электродная проволока 9, сварочные электроды 10 и ножи 11 укреплены па монтажной каретке 12 и перемешаются вместе с ней. УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ ЭЛЕКТРОДНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ЦЕНТР ЭЛЕКТРОДОВ И АВТОМАТИЧЕСКОЙ ПРИПАЙКИ ВЫВОДОВ К ЭЛЕКТРОДАМ147257Проекционное устройство 13, печь 14 нагрева газа и осветители б неподвижны, На чертеже слева показано положение исполнительных механизмов в момент поиска электродов. После того, как фотоэлемент 7 своей чувствительной частью установился в центр проекции электрода на экране, механизм координатного перемещения поисковой каретки...

Номер патента: 173275

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Шакола

МПК: G01R 1/18

Метки: измерительных, схем, эквипотенциального, экранирования, элементов

...нируемого элемен ванные элементы аггисная гругггга Л 89 Известны способы эквипотенциального экранирования элементов измерительных схем путем подачи на экран потенциала от вспомогательной ветки или схемы,Предложенный способ отличается от известных тем, что экран контактными кольцами присоединяют непосредственно к выводам экранируемого элемента, а при последовательном соединении экранируемых элементов экраны между собой соединяют также последовательно, Это позволяет уменьшить влияние экрана на параметры экранируемого элемента. ана методом напыления илг т контактные кольца, служа ения экрана к выводам экра та. В случае, если экраниро соединены между собой по едовательно, экраны соединяют также поедовательно. Способ эквипотенциального...

Номер патента: 173849

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сестрорецкий, Синьков, Якубень

МПК: H01L 29/06

Метки: переключательный, полупроводниковый, свч, элемент

...осуществляется диэлектрическим покрытием.Толщина -области в элементе берется чительно больше, чем толщина р -ипереходов. В этом случае р - с и- пходы непосредственно не участвуют в у ленин сигналом СВЧ. Управление осуществляется за счет изменения проводимости области высокоомного полупроводникового криДля уменьшения мощности управления, атакже повышения стабильности параметров 10 рабочими напряжениями на элементе берутнулевое напряжение и положительное напряжение, равное примерно одномувольту. Так как элемент не используется при отрицательных напряжениях, то форма вольт-амперной 15 характеристики при обратных смещениях неимеет существенного значения, в результате внешние факторы (водяные пары) значительно слабее влияют на...

Номер патента: 1140190

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Вольфганг, Йерг, Кристиан

МПК: H01L 29/06, H01L 45/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент

...строение переключающего элемента.Переключающий элемент находится на подложке 1, которая может представлять собой кремниевую, стеклянную или металлическую пластину. В качестве исходного слоя для собственно переключающего элемента на подложку 1 нанесен базовый электрод 2, например, из сплава молибдена и алюминия или никеля и хрома, Базовый электрод 2 и часть подложки 1 покрыты слоем поликристаллического кремния 3, в котором образован легированный проводящий канал 4, расположенный перпендикулярно к рабочей поверхности слоя поликристаллического кремния и обеспечивающий контактирование базового электрода 2 со слоем аморфного полупроводникового материала 5. Между проводящим каналом 4 и аморфным полупроводниковым материалом 5...