H01L 37/00 — Термоэлектрические приборы без перехода между различными материалами; термомагнитные приборы, например приборы, в которых используется эффект Нернста-Эттингсхаузена; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления таких приборов или их частей

Номер патента: 59823

Опубликовано: 01.01.1941

Автор: Киселев

МПК: H01L 37/00

Метки: видимого, излучения, коротковолновой, приема, термостолбик, ультрафиолетового, части

...использовать явление ускорения химической реакции соединения хлора с во дородом под действием света и нагре. вания. Так как, при этом, выделившаяся в результате химической реакции между хлором и водородом энергия много больше, чем лучистая энергия, воздействующая на термостолбик, то последний, будучи помещен в баллон, наполненныи смесь о хлора и водорода, значительно более чувствителен, нежели обы шые вакуумные термоэлементы. При этом, как известно, скорость реакции зависит от интенсивности лучистоп энергии.В силу этого, сам термостолбик можно выполнить в виде обычных пар железо-константан, расположенных в виде обычной зигзагообразной нити в центре баллона, не заботясь о специальном расположении спаев. Термостолбик такого вида...

Номер патента: 97331

Опубликовано: 01.01.1954

Авторы: Облезов, Перлина, Сенченков, Фунштейн

МПК: H01F 17/04, H01L 37/00

Метки: индуктивности, катушка, магнитного, нерегулируемая, подобного, сердечником, тому, феррита

...Это обстоятельство препятствует широкому использованию подобных высокоэффективных магнитных материалов в аппаратуре, к которой предъявляются требования магнитной устойчивости.Воздействие на указанные материалы постоянного магнитного поля обеспечивает возможность изменения их температурного коэффициента индуктивности и установки требуемого значения, в частности нулевого, и знака температурного коэффициента индуктивности катушки с, сердешиком из этого материала.Особенностью предлагаемой нерегулируемой катушки индуктивности с сердечником из феррита или т. и. магнитного материала является применение в ней постоянного магнита или электр ома гннта. подмагничивающего сердечник катушки.Соответствующей перестановкой постоянного магнита...

Номер патента: 113546

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Рабкин

МПК: H01F 17/04, H01L 37/00

Метки: индуктивности, катушка

...теперст рцы 1 к)эффгниент рык обычно в несколько рдз больше температурного коэс 1)фициентд )магцитодиэлектрически.; сердечников, требуется иногда несколько слоев поливного термомагцетика.В предлагаемой катушее лля компенсации температурной нестабильности ссрлечпиков с большим температурЫм коэффициентом прониЦВЕЛОС Ги В)ЕСТО ТСР.ОМГ)ПТЦЫ ВОТ 1 ВО., НЗГОТОВГЕЦЦЬК ПОЛИВОУ, применяют гибкис вставки, изготов ленные смешением ця вяльцак тер. момягнитного пороцпеа с каучуком. или другим эгдстпчньм диэлектрик).51, д также с лругими необкодимымп н 1 по,1 нитег Я)и, с,1 уждшими для прляцця массе прочности и эластичности, с послелующим прессоВашем и.; в тонкие листы толшиюц от 0,1 ло ОЛ л/в и вулкянизяци 1)е" .т) прсссОВанц 51 гцсть мог, т...

Номер патента: 115089

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Елютин

МПК: C22C 38/40, G01K 7/16, H01L 37/00 ...

Метки: железной, основе, сплав, теплочувствительных, термодатчиков, элементов

...соп 1тивлсния равен 1 - 3 10 - 4 на 1Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРтв. редактор И. В, Макаров Поди. к пен. 23 Л 11-58 г. Цена 25 коп.нформационно избъем 0,17 п. л. 1 рак 650 инография Комитета но делам изобретений и открытий при Совете Мншгстров ССС Москва, Петровка, 14В технике приборостроения применяются хромоникелевые сплавы.Особенность описываемого сплава состоит в том, что, с целью использования его при температуре до 900, он имеет следующий химический состав: углерода не более 0,05%, марганца до 0,5%, никеля до 31% и хрома до 18%.Удельное электросопротивление сп сплава колеблется от 0,8 до 0,95 оя.,им 21 л и температурный коСплав на хкелезной основе для термодатчиков и...

Номер патента: 134307

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Егорова, Курлина, Шефтель

МПК: H01L 37/00

Метки: полупроводниковых, термосопротивлений

...гп нта приме ОДППКОВЫХ атных соед 50, О тли тьностп при торог( комп известО изготовление полупроводнковых рмосопротив,ц нпй -утем обжига при температуреЗОО 1650" смеси окисей пли гпдратных соединений титана с цинком, кадмием или оериллием.Предлагается, с целью получения термосопротивлений, отличаюцихся высокой стабильностью при повышенных температурах в пределах до 600, использовать смесь окисей пли гпдратных соединений тпгана и кобальта, подвергасмуо обжигу при температуре 450 - 1550.1 хоба ьто-титановые термосопротивления целесообразнс изготн.ять В Виде миниатОрных бусинок с и;атинов 1,ми ВыВодами, ОднО иосновных операций технологического процесса является обжиг этих бхсинок, который проводится при температуре 450 - 550 В...

Номер патента: 199944

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Лавренченко, Наер, Одесский

МПК: H01L 37/00, H01L 43/00

Метки: гальваномагнитный, охладитель

...могут п5 бретенияадитель, испзена, содеисточникс целью поности и возммагнитногоюбой формыофилированн едмет из ользуюржащий питания, вышек ия ожности поля помагнит ыми наохл ла В существующих гальваномагнитных охладителях для обеспечения максимальной энергетической эффективности монокристалл должен иметь экспоненциальное сечение.Предложенный гальваномагнитный охлади тель отличается тем, что магнит снабжен подвижными профилированными наконечниками, это позволяет регулировать плотность магнитного поля по,высоте монокристалла любой формы и обеспечивать повышение энергети ческой эффективности охладителя. При этом значительно упрощается технология изготовления охладителя. Кроме того, предлагаемый охладитель позволяет осуществить оптимальное...

Номер патента: 213121

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Агаев, Исмаилов, Мосанов

МПК: F25B 21/00, H01L 37/00, H01L 43/00 ...

Метки: холодильный, элемент

...оски 4, сос ами 5, зак абоена, ние смент ПНЕ 1 ипя Холла ведспсратур. т изоо однльныи элемент Эттингсгаузена,целью расширения эффективного охл ння э.д. с. Холла,соединены металл ми. На чертеже изобрго устройства, Холодильный элемпускается ток через В известных холодильных элементах, р тающих на основе эффекта Эттингсгауз отрицательное влияние оказывает появле э. д, с, Холла,Предложенный холодильный элемент выполнен с боковыми гранями, которые соединены металлическими проводниками, что создает закорачивание э. д. с. Холла. Это дает возможность изготовлять его из полупроводника или полуметалла, имеющих лучшие выходные параметры по сравнснию с другими материалажена схема описываемо нт 1, по которому проэлектроды 2, помещен и магнитное...

Номер патента: 240065

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Коренблит, Самойлович

МПК: H01L 35/18, H01L 35/32, H01L 37/00 ...

Метки: материал, термоэлемента

...образо5 в каждой точке этой шайбы угол мецдиусом-вектором, проведенным изкоорд 1 шат, и главной осью кристаллаяцец и равен О. Если между внешнейрепней окружностями, ограцичивающисО бу, создать разность температуры Т,кристалла и осью овать в качестве тсточюв ермо боле вдоль нокрим, что ду ра начала посто-внуг-шай - Т го в том, нес них напри- сурьма Цель изобретения - применение материала, позволяющего получагь элементы с повышенной термо-э,д.с. продолжительным сроком службы.Отличительная особенность нового риала для термоэлемента заключается что ои изготовлен из монокрис галл веществ с анизотропной термо-э.д.с., мер из висмута В или сплава висмутВ 1 - Яэ. Т, 2 О (1 т - л,) 81 п -- , где 9 -240065 Предмет изобретения Корректор Л, Г. Коро....

Номер патента: 301774

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Осипов

МПК: F25B 21/02, H01L 37/00

Метки: пдштно-техннчегядрijighoteka

...чертеже показана схема описываемого холодильника.Холодильник состоит из монокристалла 1, имеющего электрические контакты 2, и внешнего источника 3 постоянного тока. Моно- кристалл 2 изготовлен из материала, обладающего анизотропией термо-э,д.с., например из твердого раствора висмута с сурьмой, содержащего 1,6 ат, % сурьмы. Плоскости контактов составляют угол 45 с направлением, вдоль которого термо-э, д. с.,монокристалла максимальна. Монокристалл устанавливается между охлаждаемым объектом и тепловымстоком таким образом, что плоскость охлаждения Т, и плоскость теплоотвода Утакжесоставляют угол 45 с направлением, вдолькоторого термо-э. д. с, максимальна. Сечениемонокристалла выполнено так, что площадьтеплового контакта с охлаждаемым...

Номер патента: 376817

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Базаров, Краутман, Петров

МПК: H01F 13/00, H01L 37/00

Метки: 376817

...диаметром, большим наружного диаметра намагничиваемого магнита, и с практически нулевым внутренним диаметром.На чертеже схематически изображено описываемое устройство. Устройство содержит два соленоида 1, Один из соленоидов жестко крепится на основании 2, другой же с помощью винта 3 имеет возможность передвигаться в вертикальном направлении по направляющим 4. Оба соленоида должны быть строго сцентрированы. Кроме того, соленоиды выполнены с практически нулевым внутренним диаметром и включены встречно для создания радиального магнитного поля непосредственно от центра рабочего зазора меж ду соленоидами. Чем больше внутренний диаметр соленоидов, тем больше область нулевого радиального магнитного поля в центре рабочего зазора (мертвая...

Номер патента: 378973

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01F 13/00, H01L 37/00

Метки: магнитов, многополюсных, термомагнитной

...постоянный ток, создающий дополнительный магнитный поток.На фиг. 1 схематически показано распределение основного магнитного потока от индуктора в присутствии дополнительного маг. нитного потока; на фиг. 2 - то же, в отсутствие дополнительного магнитного потока.В межполюсные пазы магнитов 1 сложной конфигурации вставляют изолированные проводники 2, по профилю близкие к профилю паза. Проводники соединяют между собой последовательно и по ним пропускают постоянный ток, образующий вокруг каждого проводника магнитное поле одноименной полярности с магнитным полем намагничивающей установки 3.Магнитное поле, образующееся вокруг проводника с током, вытесняет поле рассеяния намагничивающей установки в тело магиита, что позволит создать...

Номер патента: 415764

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 37/00

Метки: 415764

...ого диапаечения выдатчика вматериаля добавка жании исю увели рения чений в мый те льно в ц, при омпоненсплав ие добавки альная композиция спла содержит,Опти .%: е -РЬ Яе 47,71 )47 71Основа0,48легпрую На чертеже показан датчик с каскадным термоэлементом, в котором применен предлагаемый термоэлектрический материал.Датчик с каскадным термоэлементом содержит поглотитель 1 СВЧ-мощности, коммутационный материал 2 (%Ь+РЬ), термоэлектрический материал 3 средней ступени каскада 1 РЬВе(Сц, Яе), коммутационный мате. риал 4 (МЗЬ+РЬ), материал 5 нижней стуе добавки Бе 5 Компонент няться в еле РЬв составе сплавющих пределах,47,69 - 47,7347,69 - 47,730,46 - 0,504,08 - 4,12 могут м %: Сц Яе Известе датчика с жащий в Извести накладыва диапазон вает...

Номер патента: 295526

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Анатычук, Димитращук, Лусте

МПК: H01L 37/00

Метки: 295526

...электропроводности и изотропной термо- э.д.с., снабжен закорачивающей монокристаллической пластиной, установленной на боковой грани кристалла,На чертеже показана схема предлагаемого термоэлемента.Он состоит из двух кристаллов 1 и 2, имеющих форму прямоугольных брусков, изготовленных из различных материалов, Материалы кристаллов обладают изотропной термо- э.д.с., но апизотропной электропроводностью. Грани а с, и а с, кристаллов име:от контакт с тепловым источником, а противолежащие грани имеют контакт с тепловым стоком. Кристалл 1 ориентирован так, что его кристаллографические оси Х и У образуют угол ср с ребрами бруска, в то время как кристаллографические оси кристалла 2 совпада ют с ребрами пластины. При этом тепловойпоток в...

Номер патента: 428492

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Кирпач, Козлюк, Котырло, Щеголев

МПК: F25B 21/02, H01L 37/00

Метки: 428492

...1 с радиальными прорезями 2 для коммутационных пластин, с размещенной электроизоляцией 3, ферромагнитный материал 4, источник внешнего магнитного поля, выполненный либо в виде постоянных магнитов 5, либо в виде каскадной термоэлектрической батареи б, скоммутированной по схеме цилиндрического соленоида.10 Кольцевые полупроводниковые элементы 1, собранные в пакет, образуют канал 7 для прохода теплоносителя. Холодильник работает следующим образом, 15К кольцеобразным полупроводниковым элементам 1 через коммутационные пластины, размещенные в прорезях 2, подводят последовательно электрический ток, Благодаря этому происходит перенос тепла от внутренней поверхности элементов к внешней. При прохождении тока по кольцеобразным элементам...

Номер патента: 511770

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Зиновьев, Круглова, Пилат, Романишен, Чайка

МПК: H01L 37/00

Метки: гальваномагнитный, охладитель

...выполненного с двойниковьии прослойками, снижение температуры ниже температуры кипения жидкого азота составляет в случае цилиндрической фор мы кристалла 9 Ств случае кристалла в форме треугольной призмы экспоненциаль ного сечения 11 фС. В случае наиболее благоприятной ориентации снижение температуры может достигать 51 С. ьваномагнитный эФФекта Эттинсг рмоэлектрически ла, магнита и и хладиузена,анизотточниэобретени Гальваномагн основе эффекта щий иэ термоэле го кристалла, тания, о т л и что, с целью ув кой эффективнос кристалл выполн лойками. оя но пи(61) дополнительное к а (22) Заявлено 2607.74 (21) ка питания.Однако известный охладнтель обладает низкой энергетической эффективностьюи малой глубиной охлаждения. Так, прииспользовании...

Номер патента: 828269

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Агаев, Алиев, Араслы

МПК: H01L 37/00

Метки: материал, холодильника, эттингсгаузена

...удельное Добротность опр ость температурра Целью изобрете ние эффективност счет повышения тнос пи. овышеия задобротЗО вал я является преобразовмомагнитной Изобретение о ным устройствам, холодильной техн получения темпе 300 К.Известны материалы Пельтье-Этти,нгсгаузена, основе гальванотермом та 1. Указанная цель дос материал для холодильн на, работающего в об 200 - 300 К, имеет сост 5 х=1 - 2 10 з. На чертеже представ. ратурных зависимостей добротности В 1 - Ы и пр риала при значении на нитного поля Н = 10 кЗ. Характеристикой вещ щей пригодность его для тингсгаузена, является ве нитной добротности 2,5ля многих полупроводников в интер 200 в 3 К термомагнитная доброт, Курасова Редант Заказ 574/514 Изд Ца 357 Тираж 784ЧПО Поиск...

Номер патента: 860650

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Колчанова, Сметанникова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66, H01L 37/00

Метки: коэффициента, кристаллах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эттингсгаузена

...область температуре 2эо 1 с)де ОпрстРлениР РГО изклассического термомагнитцого эффекта принципиллено невозможно,551;ель дости.лется те.(, что берутматериал, кое(цент рация рдгцг)геснеехносителей тока е;кгтсрсм гдов)етВоряет услое)ию:(2)р, огреву электроцнс(го гдзд по тсмперятуры Те, грев(,юцей темпрятуру решетки т цд величицу зтохлажпают его по температуры с(,2 -150 К, а градиент температуры соз -дают путем освещения кристалла сц( -том иобласти собс твенного ног оше -Ония, энергия которого 1. уговлетвс -ряет условию2 0сА) 3 ;,1(с,(о " Яо(3)где С - ширицд здпрешеццой эоны15по.ТуГ ро 30; (с кдсс - энер гия процольцого оптиоческ ого фотона Б Го:упреввслцике,Г - заряп электрона,2 г,Г(1 - эффективная масса рдвс(цсного цоситечя тока;и -...

Номер патента: 1715712

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Долгих, Поповкин, Стефанович, Холодковская

МПК: C01G 29/00, H01L 37/00

Метки: висмута-теллура, высокотемпературных, качестве, оксобромиды, пироэлектриков

...печь отключают ичерез 8 ч (время остывания) достают из нееампулу, в которой заметны пары брома. По 5 спетого, как ампулу вскрывают, избыточныйбром улетучивается.Получение оксобромида висмута-теллура формулы В 14 Тег 09 Вгг. Смешивают 3,05 гВ 10 Вг, полученного на стадии выше, 1,60 г10 ТеОг и 2,33 г В 1 гОз марки о.с.ч., перетираютв агатовой ступке и загружают в кварцевуюампулу, которую вакуумируют и отпаиваютв соответствии с вышеописанной методикой. Эвакуированную ампулу помещают в15 вертикальную трубчатую печь и нагреваютпри 650 +20 С в течение 3 недель. СкоростьувелиЧения температуры в данном случаероли не играет. По окончании отжига ампулуизвлекают из печи через 8 ч после ее отклю 20 чения. Получают целевой продукт с количественным...