Кашаева
Способ изготовления контактного устройства
Номер патента: 1702466
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Иванов, Кашаева, Ломов, Сменов
МПК: H01R 43/00
Метки: контактного, устройства
...6, включает контактирующие элементы 2 с участком 8 для подкл очения к контактным площадкам ЖКЗ, соединенные общим участком б, Заготовку опрессовыва 1702466ют диэлектрическим материалом 9 в зоне, показанной на фиг. 7, общий участок б отрезают, как показано на фиг, 8,Контролируют контактирующие элементы па расположению контактирующих участков по отношению к плоскости контактирования. Поскольку число контактирующих элементов (240) избыточно по отношению к числу контактных площадок (202),выбирают участок из расположенных рядом друг с другом 202 контактирующих элементов, имеющий наименьший разброс по шагу, высоте и линии контактирования относительно друг друга (фиг. 9), Лишние контактирующие элементы удаляют, включая краевые зоны, оставшиеся...
Полимерная композиция для грампластинок
Номер патента: 857181
Опубликовано: 23.08.1981
Авторы: Архипова, Афанасьева, Березова, Зегельман, Кашаева, Кронман, Макарова, Малышева, Михайлов, Соловьев
МПК: C08L 27/22
Метки: грампластинок, композиция, полимерная
...метилметакрилата с2 мас.й метклакрилата или 40 мас.й ,бутилакрилата при следующем соотно"шенин компонентов, мас.3: 1Сополимер винилхлорида с винилацетатом, модифицированный сополи"мером метилметакрилата с 2 мас.Х метилакрилата или40 мас.Х бутилакрилатаСтеарат бария-кадмияСтеарат кальцияСажа 85718 4Композицию готовят следующим об-разом.Смешивают ингредиенты в течениеполучаса при комнатной температуре.Приготовленный замес подвергают вальцеванию 5 мин при 150 С, а вальцованоный материал прессуют для изготовления грампластинок на измерительныхматрицах при 50 С в течениемин.о10 На вальцованном материале оценивают индекс расплава при 50 С (33)и термостабильность при 165 С. Относительное удлинение (8) определяютна образцахпо ГОСТУ...
Способ получения кремнийорганическогосополимера
Номер патента: 840050
Опубликовано: 23.06.1981
Авторы: Жильцов, Кашаева, Лядкова, Мазанова, Разуваев, Семчиков, Соколова, Сутина, Терман
МПК: C08F 283/12
Метки: кремнийорганическогосополимера
...р и м е р 10. Получение самоотверждающегося защитного покрытияна подложке,В стеклянную ампулу с 4,5 г ММАдобавляют 0,5 г СНь(СН-СН)5 С 1 и0,05 г йаВ(СНб)4 (1 О: масс.%), Ампулу запаивают .на воздухе и проводятфорполимеризацию при 50 С в течение1 ч до конверсии 15%. Полученную полимерномономерную смесь выливают наподложку (стекло, металл). Через1,5 ч при 20 ОС образуется полимернаяпленка.Количество акрилового мономера взято из расчета 1 моль на моль двойныхсвязей в ОВС, т.е. его масса равнаРоЬс-йММ, 2,510,ггде Р -, масса ОВС;ММ - молекулярная масса мономера.Как видно из табл. 1, процесс отверждения осуществляют при 0-20 С вприсутствии кислорода воздуха в течение времени от 3 мин до 1,5 ч в зависимости от температуры и...
Позитивный фоторезист
Номер патента: 421548
Опубликовано: 30.03.1974
Авторы: Андреев, Бобров, Валиев, Динабург, Кашаева, Лубашевска, Макаров, Никольский, Фирсов, Хорина
МПК: H01L 21/312
Метки: позитивный, фоторезист
...введение в состав позитив ного фоторезиста сенсибилизатора приводит к изменению его интегральной и спектральной светочувствительности одновременно с улучшением разрешающей способности фотослоя. Иц. тегральная светочувствительцость сенсцбили зированпого фоторезиста втрое выше чувствительности известных позитивных фоторсзистов. Спектральная чувствительность его имеет второй максимум, лежащий в более длинноволновой области спектра (450 - 500 нм). 30 Таким ооразом, повышение интегральной и спектральной фоточувствцтельцости позитивного фоторезцста, це исключая прежней сферы применения, даст возможность использовать его в проекционной фотолитографии в качестве фотослоя прц изготовлешш фотошаблонов с применением обычной оптики и...