Патенты с меткой «p-p+-структур»

Номер патента: 1829757

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Енишерлова, Клемин, Орлов, Шмелева

МПК: H01L 21/225

Метки: p-p+-структур, кремниевых

...после изготовления омических контактов из структуры 5 вырезаются фотоприемники или линейкифотоприемников.Приборы, изготовленные в режимах, отличных от приведенных в изготовлении, имеют худшие по сравнению с теми прибо рами, которые изготавливаются согласноданному предложению, фотоэлектрические параметры, у них не оптимальные параметры барьерного слоя (см, таблицу, примеры 2-21). Например, прибор, изготовленный 15 при температуре отжига 1100 и времениотжига 3 ч имел до одного порядка хуже ампер-ваттную чувствительность. Такой же эффект наблюдается при изменении времени отжига, например, меньше 2 ч, при сохрэ нении температур отжига в пределах1150-1230 С.1829757 Продолжение таблицы Качество репою а структуре р .о в со.Концентрацию...

Номер патента: 1424631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров

МПК: H01L 21/208

Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020