Патенты с меткой «p-i-n-диод»

Номер патента: 1120886

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/08

Метки: p-i-n-диод

P-i-n-ДИОД, содержащий сильнолегированные p+ и n+-области и омические контакты к ним, сформированные в приповерхностной области с одной стороны высокоомного кристалла полупроводника, отличающийся тем, что, с целью снижения величины напряжения смещения и расширения функциональных возможностей, дополнительно сформированы два изолированных полевых электрода, один из которых расположен между высоколегированными областями, а другой на противоположной стороне кристалла.