Полупроводниковый прибор и способ его изготовления
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 
1013 Па/м.
2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а продолжительность термообработки каждого слоя металла по направлению от границы раздела металл - полупроводник выбирают из условия
ti = (N - ni)t,
где ti - время обработки i-го слоя металла;
N - общее количество слоев металла;
ni - порядковый номер слоя;
t - время полного отжига металла при заданной температуре.
Описание
Цель изобретения повышение надежности приборов.
Полупроводниковый прибор показан в разрезе на чертеже и состоит из полупроводниковой пластины, разделенной на область 1p-типа проводимости и область 2n-типа проводимости, и металлизации 3.
Пример изготовления полупроводникового прибора по предлагаемому способу. Полупроводниковые пластины со сформированными p-n-переходами травят в плавиковой кислоте, промывают в воде и этаноле, сушат в термостате при температуре 400-430 К. Затем пластины укладывают в кассеты, а кассеты помещают в установку вакуумного напыления. Установка вакуумного напыления оснащена источником напыления с ограниченной зоной действия и термоэлементами для отжига. Создают в рабочей камере установки вакуум (1,1.102-1,35.10-2 Па), включают питание термоэлементов отжига и электронно-лучевой нагрев распыляемой алюминиевой мишени. Приводят во вращение карусель, на которой размещены кассеты с пластинами. Скорость вращения карусели устанавливают 0,1 с-1, а скорость напыления алюминия 10-7 м/с. На позиции отжига температуру кассет с пластинами поддерживают на уровне 330-340 К. Полный цикл напыления металлизации с ее отжигом осуществляют за 13-14 оборотов карусели. Толщина слоя металлизации при таких условиях осуществляет 1,5.10-5-1,6.10-5 м. Внутренние слои металлизации (прилегающие к полупроводниковой пластине) при указанных режимах проходят полный отжиг и имеют высокую пластичность и наименьшую микротвердость при хорошей адгезии к полупроводнику. Наружные слои металлизации, практически не подвергнутые отжигу, обладают высокой микротвердостью и, следовательно, хорошей износостойкостью.
Предлагаемый прибор обладает повышенной надежностью за счет возможности работы при повышенных предельных и ударных токах.
Предлагаемый способ изготовления полупроводниковых приборов позволяет повысить выход годных приборов на 1,2%
1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2
1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а продолжительность термообработки каждого слоя металла по направлению от границы раздела металл - полупроводник выбирают из условия
ti = (N - ni)t,
где ti - время обработки i-го слоя металла;
N - общее количество слоев металла;
ni - порядковый номер слоя;
t - время полного отжига металла при заданной температуре.
Рисунки
Заявка
3749089/25, 10.02.1984
Производственное объединение "Таллинский электротехнический завод им. М. И. Калинина"
Думаневич А. Н, Зумберов В. В, Кузьмин В. Л
МПК / Метки
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 27.03.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1225426-poluprovodnikovyjj-pribor-i-sposob-ego-izgotovleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор и способ его изготовления</a>
Способ диффузионной сварки полупроводников или металлов с щелочными стеклами
Номер патента: 1494376
Опубликовано: 20.07.1995
Авторы: Браун, Косогоров, Рассказов, Фролов, Шлифер
МПК: B23K 20/14
Метки: диффузионной, металлов, полупроводников, сварки, стеклами, щелочными
СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИЛИ МЕТАЛЛОВ С ЩЕЛОЧНЫМИ СТЕКЛАМИ, при котором детали сдавливают, к полупроводнику или металлу прикладывают положительный электропотенциал, а к стеклу отрицательный и осуществляют изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения путем исключения избытка химических соединений щелочных металлов на свариваемой поверхности стекла при изготовлении многослойных изделий, со свободной поверхности стекла удаляют слой, перенасыщенный щелочными элементами.
Устройство для металлизации напылением
Номер патента: 1795587
Опубликовано: 20.09.1996
Авторы: Васильев, Духовских, Казьмин
МПК: B05B 7/22
Метки: металлизации, напылением
...покрытия и производительности металлизации.Указанная цель достигается тем, что в устройстве для металлизации напылением, содержащем удлинительную пластину, электродвигатель, цепную передачу, проволокопротягивающий механизм с тянуще-направляющими роликами и распылительную головку, согласно изобретению тянуще-направляющие ролики выполнены с конусными пазами и расположены на ведущем валу с двумя звездочками, кроме Устройство для металлизации напылением, содержащее удлинительную пластину, электродвигатель, цепную передачу, проволокопротягивающий механизм с тянуще-направляющими роликами и распылительную этого, на ведомом валу расположены два тянуще-при жимающих ролика, поджатых пластинчатой напорной пружиной, а также установлены с...
Способ определения температуры плавления эвтектики полупроводника и металла
Номер патента: 616598
Опубликовано: 25.07.1978
МПК: G01R 31/26
Метки: металла, плавления, полупроводника, температуры, эвтектики
...температуру, при которойвольт-амперная характеристика имеетформу прямой линии,На фиг, 1 изображена кривая, характеризующая ток-напряжение при низкойтемпературе; на фиг.2 - то же, в момент образования омического контакта,т.е. при температуре, соответствующейтемпературе плавления эвтектики.Предлагаемый способ измерения осуществляется следующим образом.На чистую поверхность исследуемогополупроводника , с предварительно иэготовленньи к нему смическим контактом, наносят металл. Структуру616598 тонкими слоями металлов, так как назависимость тока от напряжения структуры металл-полупроводник не влияеттолщина слоя металла,Формула изобретения Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Захаров А.М. Диаграммы состояния...
Способ предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла
Номер патента: 141999
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Ботвинкин, Запорожский
МПК: C03C 23/00
Метки: диффузии, кварцевого, металла, полупроводникового, предотвращения, примесей, расплав, стекла
...составляет 50 - 100 милливатт на 1 слР рабочей поверхности 7 изделия 4, Величину напряжения отрицательного смешения прннимаюг в пределах 100 - 200 в на 1 лл толщины стенки 8 изделия 4, но не менее 400 в при толщине стенки, меньше 3 л,ц,При подаче отрицательного электрического смещения на нару.к ную поверхность 3 изделия 4 в системе расплав 2 - изделие 1- -катод б возбуждают слабый электрический ток, обусловленньш диффузионным перемещением примесных катионов, содержащихся в кварцевом стекле изделия 4, от внутренней положительно заряженной поверхности 7 изделия 4 к наружной поверхности 3, находящейся под1999 отрицатеджйым потенциалом. Этим снижают термодиффузию примесныхкатионов из материала изделия 4 в расплав 2 полупроводникового...
Состав для диффузионной металлизации металлов и сплавов
Номер патента: 432238
Опубликовано: 15.06.1974
МПК: C23C 10/52
Метки: диффузионной, металлизации, металлов, состав, сплавов
...к росту зерна обрабатываемого металла, что позволяет отказаться от последующей термической обработки для исправления структуры,В результате насыщения образуются многофазные диффузионные слои, состоящие из поверхностной карбидной зоны (Т 1 С и ЖС), интерметаллидной зоны (Т 1 Ге, Т 1%) и а-твер дого раствора титана и никеля в обрабатываемом металле,После насыщения при 900 С в течение1 час стали 20 в смеси, содержащей, вес. %:Титан (ферротитан) 35 10 Никель (карбонил) 30Вольфрам 15 Йодистый калий 5 Плавиковый шпат Остальное 15 получен диффузионный слои глубиной 300 -400 мкм с высокой концентрацией легирующих элементов при общей глубине слоя 1,0 - 1,5 мм. Карбидная часть слоя, глубиной 70 - 80 мкм имеет твердость 3000 - 3500 кг/ммв, 20...
Предыдущий патент: Способ очистки нефтяного остаточного сырья
Следующий патент: Способ сборки рефлектора антенны
Случайный патент: Взвешивающее устройство для грузов на упруго подвешенной платформе