Способ изготовления кремниевых p+-p-структур

Номер патента: 1829757

Авторы: Аветисян, Енишерлова, Клемин, Орлов, Шмелева

ZIP архив

Текст

1829757 1 ф примеров онцентрациа приме сей е Олокирвещемамцеитрацил примесейактивном слое ижига жигаструкту.ры, мин га толщина слоя слое и толщина слоя структуРы, С М, смо б, мкм б, мкм б, мкм 5 10 га У 1 О 1 Ом 1150 слой оптимальныа О.З Првемер 2 окислит. 1 10 5 10 10 10 1230 0,3 Пример Э 110 га 5, 1 Огт Пример а 51 Ог 1200 О.Э слой неоптималь. иый У 1 Оа 1 О 3 1200 слой оптимальный 0,2 у 10 а 101 т 3 1200 0,5 1 От 10 3601 Ов 6 10 10 1200 О,1 1 10 гг 110 10 О,З Пример 0 1 1 Отв Привтер 1 О 10 1200 0.3 1 Ов 5 От 1200 О.Э слой оптимальный, но перемет.ры не лучшеструктур Привгер 1 1 От 5101 ГРьввер 12 10 1200 0,3 слой оптимелыныа, но параметры не лучше других оптим.структур Изобретение относится к области получения проводниковой электроники, в частности, к области технологии изготовленияполупроводниковых приборов,Цель изобретения - улучшение качестваструктур,П р и м е р 1. Пластина кремния, легированная ганглием до концентрации 5 101см с концентрацией фоновых примесей10 з см., после шлифовки и полировки дотолщины 360 мкм размещается в камеру и содной;стороны осуществляется имплантация оора в режиме: Энергия - 100 кэВ, доза100 мкКул., отжиг - 9000 С в течение 30 мин,. при этом концентрация легирующих примесей достигает 5 10 см, а глубина дифг:ГРУЗИИ ДО 4 МКМ, ЗатЕМ СтРУКтУРаразмещается в нагревательную камеру и всреде сухого кислорода при температуре1150 С проводится отжиг в течение 3 ч, приэтом нэ неимплантированной стороне пластины возникает обедненный галлием слой, толщиной 0,3 мкм и ко 1 нцентрацией остаточных примесей йБ 10 см, после изготовления омических контактов из структуры 5 вырезаются фотоприемники или линейкифотоприемников.Приборы, изготовленные в режимах, отличных от приведенных в изготовлении, имеют худшие по сравнению с теми прибо рами, которые изготавливаются согласноданному предложению, фотоэлектрические параметры, у них не оптимальные параметры барьерного слоя (см, таблицу, примеры 2-21). Например, прибор, изготовленный 15 при температуре отжига 1100 и времениотжига 3 ч имел до одного порядка хуже ампер-ваттную чувствительность. Такой же эффект наблюдается при изменении времени отжига, например, меньше 2 ч, при сохрэ нении температур отжига в пределах1150-1230 С.1829757 Продолжение таблицы Качество репою а структуре р .о в со.Концентрацию примесейВлокирукт. гв примеров Среда отжигв Врвмю от.жига струк.туры,мин Концентрацию при. мвсей в активномслое м толщина слою Концентрацию при. Темпврвтумвсей в ннэкоомном рв отжига става фотоприем. никащем слое н толщина слою структуры,ьС слое и толщина К. см К. см К, см Ь, мкм Ь. мкм Ь, мкм 1 О Привюер 13 своа оптимальнмй, но параметры не лунце другик витим. структур 0,3 5 10 1200 7 1018 окислнт. 0,3 5 10 Прммер 14 Пример 15 71018 7 1018 10 1200 0,5 10 5 10 О,Э 1100 5 10 гг5 101 10 Привюер 1 В Притвор 17 О,Э 7 1018 7 1018 310 1270 10 0,3 180 310 1200 5 10 10 Э 10 О,З Пример 16 1018 1200 10 5 Од Прнюеер 18 0.3 310 1200 7 1018 слой оптимальм,0 5 О 0,3 Пример 20 310 7 1018 1200 слой неоптимвльн. нейтр,1 О 03 10 Пример 2 310 7 1016 1200 слой оптимвльн. Составитель Г.АветисянТехред М.Моргентал Корректор Л.Пилипенко Редактор О.Стенина Заказ 129 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Формула изобретенияСПОСОБ ИЗ ГОТОВЛ ЕНИЯ КР ЕМ Н И-. ЕВЫХ р -СТРУКТУР, включающий изготовление исходной р+-подложки из монокристаллического кремния, .легированного галлием до концентрации носителей (5 - 7)10 см , и последующее формирование р-слоя толщиной 0,2 5 мкм путем высокотемпературного отжига исходной подложки в контролируемой среде, отлюающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения резкости концентрационного перехода, отжиг проводят в нейтральной или окислительной газовой среде при 1150 - 1230 С в течение 2- 10 ч.

Смотреть

Заявка

4861913/25, 21.08.1990

Научно-исследовательский институт "Пульсар"

Аветисян Г. Х, Енишерлова К. Л, Клемин С. Н, Орлов П. Б, Шмелева Г. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/225

Метки: p-p+-структур, кремниевых

Опубликовано: 20.04.1996

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1829757-sposob-izgotovleniya-kremnievykh-p-p-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кремниевых p+-p-структур</a>

Похожие патенты