H01L 21/332 — тиристоров

Номер патента: 1804663

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Дерменжи

МПК: H01L 21/332

Метки: запираемого, силового, тиристора

...выполнение процессов в следующей последовательности;в кремниевую пластину 1 проводят первую стадию диффузии акцепторных примесей для создания слаболегированной области 2 управляемой р-базы (фиг.1);осуществляют селективное травление кремниевой пластины со стороны управляемой р-базы, создавая меза-рельеф со впадинами 3 и выступами 4 (фиг.2);проводят вторую стадию диффузии акцепторных примесей в кремниевую пластину со стороны меэа-рельефа, создавая сильнолегированную область 5 управляемой р-баэы (фиг.3);проводят селективную диффузию донорных примесей, создавая дискретные эмиттерные и -слои 6 и р-и -переходы 7 на выступах меза-рельефа (фиг,4).На фиг.5 представлена готовая полупроводниковая структура, изготовленная по предлагаемому...

Номер патента: 1082229

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Боронин, Елисеев, Крюкова, Панкратов, Соболев, Челноков, Шек

МПК: H01L 21/332

Метки: тиристоров

1. Способ изготовления тиристоров, включающий диффузию акцепторных примесей в шлифованную поверхность кремния, высокотемпературное окисление, фотолитографию, диффузию фосфора, повторное высокотемпературное окисление и обработку структуры для получения заданного времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов и упрощения технологического процесса, обе операции высокотемпературного окисления проводят в хлорсодержащей среде, упомянутую обработку структуры осуществляют при проведении повторного высокотемпературного окисления путем изменения концентрации хлорсодержащей компоненты, определяемой по градуировочной кривой...