Кремниевый высоковольтный диод
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(21) 4923845 (22) 01.04.91 (46) 23,03.93 (71) Особое к кентском за В.И.Ленина (72) А,Ф.Мур и Г,К.Эшчан (56) 1. Прибо типа 2 Д 212 А Ц 23 362 006 Бюл, М 11онструкторское боде электронно ро при Ташехники им. атов, Н,ИДжус, Лвры полупроводни2 Д 212 В. ТехничеТУ. 1978..Нерсеся вые, диодь кие услови ия является повышеда к пробивному нас;) ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР1 ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ Изобретение относится кструирования и производстваниковых приборов,Целью изобретенние устойчивости диопряжению,На фиг. 1 и 2 представлена схема диода,В пластмассовом корпусе на металлическом основании 1 смонтирован столик 2,Между компенсаторами 3 и 4 размещенкристалл 10 с р-и-переходом. Эмиттерныйвывод 5, приваренный к верхнему компенсатору, и коллекторный вывод 6, приваренный к основанию, выходят с одного торцапластмассового корпуса 7. Вырез 8 в металлическом основании заливается вровень снижней поверхностью основания герметизирующим компаундом при формированиикорпуса. 9 - защитный компаунд (силиконовый каучук).В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги,термоциклы и др, операции).(54) КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД(57) Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллел ьн ых нап равлен и ях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмитте рным и коллекторным выводом в том же сочетании, 1 табл. Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный термоустойчивый диод с паоаметоами: 1 прям= ЗА, Ьоо,обр 5 150 н Ткор = 100 С (или 2 А при Ткор= 125 С Ообр=1400 В,Формула изобретения Кремниевый высоковольтный диод, содержащий пластмассовый корпус с металлическим основанием, на котором последовательно размещены металлический столик, нижний компенсатор, кристалл с р-п-р-переходом, верхний компенсатор с эмиттерным выводом и ориентированный в параллельном направлении коллекторный вывод, соединенный с металлическим основанием, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения устойчивости диода к пробивному напряжению, в металлическом основании под эмиттерным выводом выполнен заполненный пластмассой вырез, размеры которого выбраны так, что минимальое расстояние по поверхности корпуса1803943Я - расстояние между эмиттерным выводом и металл б - расстояние между эмиттерным и коллекторным выв да из корпуса до кромок выреза равно не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводами в том жесечении.
СмотретьЗаявка
4923845, 01.04.1991
ОСОБОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ПРИ ТАШКЕНТСКОМ ЗАВОДЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ИМ. В. И. ЛЕНИНА
МУРАТОВ АЛИК ФАХТДИНОВИЧ, ДЖУС НИКОЛАЙ ИЛЬИЧ, НЕРСЕСЯН ЛЕВОН МЕСРОПОВИЧ, ЭШЧАНОВ ГУЛИМБАТ КАМОЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 23/00
Метки: высоковольтный, диод, кремниевый
Опубликовано: 23.03.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1803943-kremnievyjj-vysokovoltnyjj-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Кремниевый высоковольтный диод</a>
Способ изготовления основания с планарными выводами герметичного реле и устройство для его осуществления
Номер патента: 1561122
Опубликовано: 30.04.1990
Авторы: Ашитов, Ермак, Могильнер, Тертышникова, Эчкенко
МПК: H01H 49/00
Метки: выводами, герметичного, основания, планарными, реле
...штырей 10 в соответствии с межцентровым 21 и межрядным 1/26 расстояниями для удобства установки выводных штырей реле в отверстия 13 приспособления. 1 Цуп 5 представляет собой пластину, высота которой соответствует межрядному расстоянию выводов 10 реле, а ширина - расстоянию от основания реле до места гибки верхних выводных штырей в соответствии с конструкцией,На пластинах 6 и 7 выполнены упоры 14.Сборку основания с планарными выводами герметичного реле осушествляют путем закрепления выводных штырей в основании спеканием стекла с металлом. В полученный цоколь между рядами выводных штырей вставляют гребенку, и их наживляют в отверстия 13 гибочного приспособления.Затем гребенку вынимакт и вместо нее между рядами выводных штырей 10...
Стабилизатор постоянного напряжения на основе эмиттерного повторителя
Номер патента: 1381460
Опубликовано: 15.03.1988
Автор: Скачко
МПК: G05F 1/56
Метки: основе, повторителя, постоянного, стабилизатор, эмиттерного
...рдзцм.5,1 о поступления импульсов от генераторы 15 ток стабилитрццов 6 и 7 проходит чрс. переход коллектор элюиттр трзнзис:црд 2, находящегося в состоянии насыпкюц зд счст тока базы от резистора 13.Трыцзитцр 3 удерживается ц закрытом сц тцюеюии, так как напряжение коллектор эчиттР насыаенного тРанзистоРа всег;Ес чцьпк напряжения 6 азы эчиттер однотипццп сму транзистсрз. Трын:юистцр 4 также гкрыг юцк)л 6 ызы с)т резистора 9, а трац юцлцр 5 крыт, ююоскц юькх наююряжсние наюц 6 д.и, являющееся одююцеюременно выходным ц;юпряжснисм,Ели)е,юя, о 6 рдзованцого р истцрдчи 10 и 11, чецьпк по условию выирд шчиналов эгих рзисгцрцц), км нд со лююют)ср Напряжения цсю элюиттрс трын- и юцр 1, рд 6 отднюп Гц в режиме эчцттер- ПЦЮ ЦЦНЦРИ ГСЛЯ, И Цс...
Дуговой вентиль
Номер патента: 320216
Опубликовано: 25.02.1975
Авторы: Беспалов, Князятов, Настюха, Смирнов, Удовенко
МПК: H01J 15/00
...и катода изоляторами 5 - 7 и снабженные выводами для подсоединения внешних делителей напряжений 8. Составные части катода (камера и перегородка) вакуум- но уплотнены между собой прокладками 9. Соленоид 10, расположенный вокруг катода, фиксируется регулировочными винтами 11. В вентиле предусмотрено водяное охлаждение анодных вводов и катода. Для этого в камере и перегородке имеются сообщающиеся между собой водяные рубашки, а токоподводящие анодные вводы 12 выполняются полыми. Воздух из камеры откачивают через коллектор 13 и канал в перегородке 2 форвакуумным насосом,При включении дугового вентиля в схему колебательного контура для его зажигания необходимо подать импульс тока на соленоид 10. Конфигурация наведенного магнитного поля в...
Импульсный стабилизатор напряжения
Номер патента: 509867
Опубликовано: 05.04.1976
Автор: Кадацкий
МПК: G05F 1/56
Метки: импульсный, стабилизатор
...частоте преобразователя напряжения 4, изменяет мо 509867Импульсный стабилизатор напряжения,содержащий регулирующий транзистор, включенный последовательно в выходную шину стабилизатора переходом коллектор-эмиттер, орган управления, подключенный к базовой цепи регулирующего транзистора и состоящий иэ управляюшего транзистора, составного транзистора и преобразователя напряжения, подключенного к выходу стабилизатора,о тл ич а юш и й с я тем, что, с целью увеличения к. п,д, стабилизаторатрансформатор преобра.- зователя напряжения снабжен двумя дополнительными обмотками, средняя точка одной иэ которых подключена к базе регулирующего транзистора, а крайние выводы подключены к диагонали дополнительно введенного диодного моста, к другой...
Источник опорного постоянного напряжения
Номер патента: 545977
Опубликовано: 05.02.1977
Автор: Кузнецов
МПК: G05F 3/08
Метки: источник, опорного, постоянного
...напряжение источника;вых- токи эмиттерного и коллекторэф кного переходов;О ( )- напряжение лавинного пробоя:эГ эучетом положительной обратнойсвязи между переходами транзистора;10Ц 6)- падение напряжения на диффереяКц кциальном сопротивлении коллекторного перехода;% - падение напряжения на эквиваэ длентного дифференциальном сопротив ленни эмиттерного перехода;Я- сопротивление резистора 3,При увеличении напряженич питания или уменьшении тока нагрузки увеличивается и ток эмиттера 1 , Это приводит к увели 0 чению коллекторного тока 1 , коэффициента передачи тока коллектора и, в конечном итоге, к уменьшению напряжения на эмиттерном переходе О(1 ).Одновременно увеличение эмиттерного и коплекторного токов приводит к увеличению падения...
Предыдущий патент: Квадрупольный масс-спектрометр
Следующий патент: Линейный фоточувствительный прибор с переносом зарядов
Случайный патент: Устройство для измерения частоты и амплитуды гармонического сигнала