Патенты с меткой «к-моп»

Номер патента: 725049

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Костромин, Кувшинов, Мео, Ракова

МПК: G01R 31/317

Метки: к-моп, микросхем, проверки, типа, цифровых

...микросхему 6. Элемент сравнения выполнен на стандартном К - МОП вентиле. Логический преобразователь 2 с индикатором выполнен, например в виде сигнатурного анализатора.Пассивный нелинейный двухполюсник 3 включает в себя диоды 7 и 8 и резисторы 9 и 10 лВ качестве логического преобразователя с индикатором может быть также использован частотомер. Вход зонда при проверке цифровы49 3 7250"микросхем подключают к выходу проверяемой .микросхемы 6. Эквивалентная схема К - МОП " вентипя по выходу представлена в виде двухключей 11 и 12, работающих в противофазе и имеющих внутреннее сопротивление, опреде.ляемое резисторами 13 и 14. Нелинейный пас.снвный двухполюсник 3 и резистор 5 создают нагрузку для проверяемой микросхемы 6. Для...

Номер патента: 1220118

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Андреев, Беллавин, Лебедев

МПК: H03K 5/02

Метки: буферный, к-моп, транзисторах, усилитель

...из транзистора 9 и диодном включении и резистора 10, создает на затворе транзистора 7 напряжение, превышающее пороговое напряжение этого транзистора ца , небольшую величину, так, чтобы трацзистор работал в пологой областиЬАХ, т.е. транзистор 7 работает врежиме генератора тока. При этом независимо от величины питания схемыца подложке транзистора 1 устанавливается напряжение, соответствующеегранице отпирания его истоковогоР-перехода, т.е. примерно 0,5 В,Величина тока, обеспечивающего 1 О смещение подложки, должна соответствовать лишь границе отпирания истокового Р перехода (не более1 мкА)9 чтобы коэАФициецт усилениявертикального биполярного транзистора К" МОП структуры несущественноо."личался ат единицы.Если величина напряжения...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1575850

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц

МПК: H01L 27/04

Метки: дифференциальный, интегральный, к-моп, усилитель

...входных синфазных сигналов, зисторов и режима работы ДУ, при этом использование изобретения позволяет 0 и 0 д - напряжения положительного повысить коэффициент усиления ДУ за сси отрицательного питания; С- ем счет повьппенной концентрации примеси кость затворного диэлектрика МОП- , в подложке входных транзисторов, и транзисторов, Б- пороговое напря- следовательно, повышение дифферен" жение нагрузочных МОП-транзисторов; циального сопротивления сток-исток 1 - постоянный ток генератора тока входных транзисторов, особенно еслио 23дифференциального усилителя; К , Кп, они имеют короткие каналы. В отличие К - удельная крутизна МОП-транзисто- от известных ДУ при таком повьппенниЙров генератора тока, входных и нагру- концентрации примеси в...