Способ создания межсоединений интегральных схем

. кл. Н 01 Ь 2/283 тронной технике, Цель иэобретення - повышение надежности и выхода годных ИС. Сущность способа заключается в том, что на поверхность подлож ки с изолирующими областями наносят слой поликремния формируют рисунок межсоединеннй, последовательно осаждают слои симицидообраэующего переходного металла и кремния, локально удаляют слой кремния и металла через маску н проводят термообработку для синтеза силицида на шинах межсое дннений. При использовании данного способа отсутствуют закоротки и утеч ки между шинами межсоединений. 5 игИвановский На подложкусо слоем двуокиси ,кремния 2 осаждают слой поликристаллического кремния 3 и легируют фосфором (см фиг.1). Затем проводят фото 1 равировку межсоединений 4 и эатворон ИОП транзисторов 5 (см,фиг,2). Последовательно наносят слой силицидообраэующего переходного металла 6 и слой кремния 7 (см.фиг.Э). Проводят фотогравировку, формируя ииэкоомные локальные участки межсоедииений с травлением слоев кремния 7 и силнцидообраэующего переходного металла 6 (см.фиг.4). Затем проводят одностадийную термообработку с формированием слоя силицида 8 и соэ,иниием низкоомных локальных участков полицидной разводки из слоев 4 и 8, при ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ЦТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗОБР У 4332839,1982,ЗЛопЕ, НРЯАС - а а 111 сЫейашогрЬопа - э 111 соп сопСасс апд1 псегсоппесс есЬпо 1 ояу Еог ЧЫ 1.1 ЕЕЕ Тгапэ. оп Е 1 есгоп Печ., 1987,ч.Е 0-34, Р 3, рр 587-592.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИИИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕН(57) Изобретение, относится к злек" Изобретение относится к электронной технике н может быть использовано для создания больших интегральных схем (ИС) с многоуровневой системой межсоединений.Цель изобретения - повышение надежности и выхода годных ИС.На фиг,1 представлена полупроводниковая подложка после осаждения слоя поликристаллического кремния; на фиг.2 - полупроводниковая подложка после фотогравировки, слояполикристаллического кремния; на фиг,3 - полупроводниковая подложка после последовательного нанесения слоев склицидообразующего переходного металла и кремния; на фиг.4 - полупроводниковая подложка после фотогравировки слоев кремния и силицидообраэующего переходного металла; на фиг,5 - полупроводниковая подложка после термобработки и образования полицидноаэводкн.этом затворы ИОП транзисторов 5 остаотся поликремниевыми (см.фиг.5).,П р и и е р. Согласно предлагаемому способу изготовляется интегральная схема, содержащая тестовые эле 5 менты и и" и р-канальные ИОП транзисторы с поликремниевыми затворами. Толщина слоя поликристаллическогокремния 0,40 мкм, При этом на крем,ниевую подложку со сформированными . ИОП транзисторамн с поликремниевьпчизатворами и поликремниевой разводкой последовательно осаждают. слойтитана толщиной, 900 1 н слой аморфного кремния толщиной бОО а методом электронно-лучевого напыления ввакууме , 1.0 мм рт.ст, Скорость на пыления Т 3. 25 А/с, Скорость напыления кремния. 10 1/с. Температура подложки в процессе напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава. Поверхностное сопротивление,дисипицида титана1,0+0,1 Ом/О. Проводят окисление поверхности в сухом кислороде при8 бО С. Далее известными методами, формируют слой межуровневого диэлектрика (двуокись кремния, Фосфорно-си"ликатное стекло), фотогравировкойокна переходных контактов к областямистоков, стоков и к шинам межсоедикения первого уровня и создают алюминиевые шины межсоединений второгоуровняр контактирующие в окнах омнческих контактов с шинами первогоуровня (контакт алюминий " поликристаллический кремний) и областями1и и р типа МОП транзисторов. уменьшение ширины силицидных шин межсоедипений не превышает двух толщин металла. Исследование шин методом Ожеспектроскопни показывает наличие азота и кислорода в торцевых участках шин. Именно этим и можно объяснить уменьшение ширины шин межсоединений. Однако это уменьшение ширины шин (0,1 мкм на сторону) не существенно для шин шириной4 мкм. Изготовленные согласно предлагаемому способу БИС Б 572 ПП 1-4 выдерживают испытание на долговечность, Другим преимуществом является отсутствие закороток н утечек (у прототипа эакороткн возникают из-за неравномерного стравливания слоя титана), что ловьппает вы- ход годных изделий и их надежность,Предлагаемый способ формирования межсоединений для интегральных схем по сравнению с известным способом дает воэможность Формировать слой ди" силицида титана на заданных участках поликремниевых шин межсоединений, что позволяет создать одновременно поликремнневые затворы МОП транзисторов и полицицную разводку. Другим преимуществом является совместимость предлагаемого способа создания шин межсоединеннй со стандартными К-МОП технологиями, надежность схем с межсоединениями, изготовленными по предлагаемому способу, аналогична надежности схем с поликремниевымн межсоединениями.ФДополнительным преимуществом является возможность перехода от дорогостоящих инертных газов к азоту, Хотя поглощение примесей и приводит к уменьшению эффективной ширины шин межсоедннений, при ширине шнн 4 мкм этот эфФект оказывает слабое влияние на их сопротивление.Вышесказанное позволяет надежно реализовывать полнцидную разводку с сопротивлением .1 Рм/р в рамках стандартных К-МОИ технологий.Формула изобретенияСпособ создания межсоединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность подложки с изолирующими областями слоя поликремния, формирование полнкремниевых межсоединений, последовательное осаждеггне слоев силицидообразующего переходного металла н кремния, локальное удаление слоя5 595277 6 кремния через фоторезистивную маску, схем, травление слоя металла прово" термообработку, селективное травление дят посла локального удаления слоя слоя металла, о т л и ч а ю щ и й с я кремния, а термообработку проводят тем, что, с целью повышения надежнос в одну стадию после травления слоя ти и выхода годных интегральных . стелла.гфи,ЗакаВНИИПИ 956 ТирайГосударственного комитета по изобр 113035,:Иосква, %-35, Рауш Подписноеениям и открытиям при кая наб., д, 4/5