H01C 17/26 — преобразованием резистивного материала

Номер патента: 233779

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Елескин

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, резистивных, углеродистых, элементов, юстировки

...пленочных резистцвныхуглеродистых элементов, например резистцвных элементов поглотителей СВЧ-энергии, О основанный на окислении материала резистивцого слоя и непрерывном контроле величины омического сопротивления элемецта, отлипаюиийсл тем, что, с целью получения заданного закона распределения величины 5 поверхностного сопротивления по всей плошали резцстивного слоя, окисление производят струей нагретого кислорода, участок соприкосновения которой с резистивным слоем перемещают вдоль поверхности резцстивцого О элемента. ве еи ого 1 рой поС. Уча которо Известныи способ юстировки пленочныхзистивных углеродистых элементов, наприрезистивных элементов поглотителей С Вэнергии, основанный на окислении материрезистивного слоя и непрерывном...

Номер патента: 261521

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Важенин, Егорова, Кандыба, Фоменко

МПК: H01C 17/26

Метки: номиналов, пленочных, резисторов, юстировки

...воды. Температура раствора должна составлять 60 - 70 С. сопротивления едмет изобретения Способ юстирорезисторов, основщины резнстивноличающийся тем,процента выходары обрабатываютлителе (напримерводорода аммиактуры бурного выдда. Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть применено в производстве резисторов.Известен способ юстировки, основанный на увеличении сопротивления резисторов посред ством уменьшения толщины резистивного слоя, например оксидированием.Однако в известном способе наблюдается изменение электрофизических характеристик ,резистивиого слоя в процессе юстировки, что 10 приводит к снижению выхода годной продукции.Предлагаемый способ юстировки отличается от известного тем, что резисторы подвергают...

Номер патента: 319962

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Шепрут

МПК: H01C 17/26

Метки: подгонки, резистивногоделителя, тонкопленочного

...резистивного слоя во внешнюю цепь могут быть включены дос присоединением заявк Изобретение относится к технологии атроизводства радиоаппаратуры и может быть исаользовано при изготовлении прецизионных тонкопленочных резистивных делителей,Известен способ подгонки тонкопленочного резистивного делителя, состоящего из гальванически связанных резисторов, посредством анодирования в жидком электролите.Однако по известному способу трудно локализовать площадь, занимаемую электролитом таким образом, чтобы электролит покрывал лишь тот резистор делителя, который подвергается подгонке.Цель изобретения - обеспечение возможности подгонки каждого отдельного резистора тонкопленочного резистивного делителя из вентильного материала.Для этого по...

Номер патента: 300894

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Василиев, Ешкор, Корпссва, Сас, Швецкий

МПК: H01C 17/26

Метки: номиналу, подгонки, резисторовк, сопротивления

...8 питания постояного тока блока аполирования поди,Очец минусом 1. пористомъ элскт 1 эОГ 9, 0 тактр ющемх В пооцессе ацодцровация с поверхностью подгоняемого к номиналу резистора 2 ЧИус,источника 8 соединен с ползунком 10 резистора 5, который включен в смежное с резистором 2 плечо моста. 1 хоцтакт между резистором 2 ц электродом 9 осуществляегся через электролит, содержапиСя в порах элетрода.Параллельно источнику 8 вклочец нульцпдикэто)1 перевРИИОГО тока и фазочувствц. теИь усикИтель 12. На выходе усилителя 12 включен рсверсивцый двцате.ь 1, кицематцчсскц связяццый с ползунком 1 т). Ня выходе уеллТоля 6 включсцо релс 11,правляющее цк,осццсх и выклюсццсм истоця 8.Сип;яч рязбя,аиса моста с выхода усилителя 6 поступает ца индикатор...

Номер патента: 351250

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бобров, Власенко

МПК: H01C 17/26

Метки: величины, подгонки, сопротивления

...декад, содеркащих резисторы 39 - 47, которые устанавливают рабочий ток перед началом работы переключателями 48, 49, 50, и индикатор 51 рабочего тока процесса. Подлежащий подгонке резистор подключается к мосту элементами 52, 53 (положение контактных групп реле показано перед началом процесса оксидирования).После включения цифрового балансного измерительного моста 1 на автоматический режим работы процентное отклонение результата сравнения подлежащего подгонке резистора с эталонным поступает на отсчетное устройство 2 и элементы 3 - 5 индикации нулей. Одновременно из отсчетного устройства 2 через диод 32 поступает импульс управленич устройством ,периодического включения источника питания процесса оксидирования, реле 24 которого,...

Номер патента: 434489

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочныхрезисторов, юстировки

...ток окисления не протЗа этот полупериод рителя-фиксатора и иода пере ме дов 2 поступа диоды закр екает. открывается троизводитсяного ет от ываю ока, щавхо из нпс На чертеже Устройство диодов 2, рез окисления, нор реле 9, катода резистора 7 и В течение когда на анод тельное напряировки пленочлением, содерока окисления,одам юстируечто в течение 10зводится окисорого полупевления,ние равномерпо длине ре по резистору 7 через электролит 6 к катоду 5 протекает ток окисления, обеспечивающий образование слоя окисла на поверхности резистора и увеличение его сопротивления. Благодаря тому, что аноды диодов 2 замкнуты накоротко, на выводы резистораподаются равные по величине напряжения. Под дсйствием этих напряжений в направлении ог выводов...

Номер патента: 657468

Опубликовано: 15.04.1979

Автор: Авакумов

МПК: H01C 17/26

Метки: изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, стеклянной

...2- разрез Л-Л на фиг. 1.Описываемое устройство содержит блок контроля величины сопротивления и механизм разрушения стеклянной иэопяции, выполненный в виде двух соосных дисков 1 и 2, один из которых снабжен закрепленными на нем подпружиненными плавающими вставками 3 с резиновыми вкладышами 4 и расположенными симметрично относительно вращени дисков 1 и 2, и кулачком 5 с возможностью взаимодействия плавающих вставок 3 со вторым диском и размещенным между дисками микропроводом б,Работает устройство следующим образом.14 икропрвращающимибы вставкапроизошелстекляннойрой конецрительныйразрушениязначения с овод б пропускается между ся дисками 1 и 2, так, что 3 прошла под кулачком 5 и контакт в месте разрушения изоляции. Затем через вторезистора...

Номер патента: 680064

Опубликовано: 15.08.1979

Автор: Аввакумов

МПК: H01C 17/26

Метки: изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, стеклянной

...изоляции, емкблок измерении, мела олнен в внде подпастного ножа,й стенке емкоодача мнкропро абжвн приводом чевным ко вхо которого че соединен со вхоУвел 1 подачи микропровода 2 в зонуразрушения снабжен приводом 8 размоткирезистора 9, подключенным хо входу блока4 измерения, выход которого через релейный коммутатор б соединен со входом при вода 8 размотки резистора.Устройство работает следующим обраэом.Михропровод 2 обрывается с одногоиз михроподводов резистора 9. Вхлючает 10ся узел 1 подачи микропровода, привод10 ножа 7 механизма разрушения и привод 8 равмотки.Микропровод 2 запрааляетси во входное отверсгие узла подачи и при его осприкосновенийс жидкостьюемкости 3заключается блох 4 измерения, Вращающийся нож 7 осуществляет срезание...

Номер патента: 773747

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Аввакумов, Цветаев

МПК: H01C 17/26

Метки: изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, стеклянной

...с возможностью встречного вращения747 фрезистора. После этого производитояокончательное измерение сопротивлениярезистора.На чертеже показан вариант исполнения механизма разрушения, в которомдиск из ворсистого материала установленна одном валу с приводом 6, обеспечивающим вращение верхнего диска 1,Этот вариант выполнения привода.ворсис/10 того диска является оптимальным, однако возможно расположение автономногопривода ворсистого диска в любом другом месте, обеспечивающем его установку между дисками 1 и 2. Возможно также выполнение ворсистого дискавогнутым с полостью в сторону нижнегодиска.Обеспечение постоянной очистки рабочей поверхности устройства позволяетзначительно повысить срок службы инадежность работы устройства,3 773и...

Номер патента: 902084

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Бабичев, Белянин, Федосеев

МПК: H01C 17/26

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...по обычной технологии изготовления тонкопленочных резисторов.Сопротивление тонкопленочных нагреватель.ных элементов (тонкопленочных резисторов)составляет 170 - 180 Ом, При подгонке черезтонкопленочный резистор пропускают импуль.сы тока с параметрами: длительность 15 мс,частота следования 10 Гц, амплитуда плавнорегулируется: в диапазоне от 11 до 20 22 В,Одновременно с пропусканием импульсов тока тонкопленочный резистор охлаждается сжатым воздухом (давление в магистрали неменее 2-3 ат).Подгонка проводпся следующим образом.К тонкопленочному резистору при номо.щи зондов подключают источник импульсовтока и омметр через коммутатор. Измеряютначальное сопротивление, Далее на тонкопле.иочный резистор подают 8-12 импульсов(первый этап) в течение...

Номер патента: 955224

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Азаренков, Крылов

МПК: H01C 17/26

Метки: величины, вентильных, металлов, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...диодов с первойдиагональю измерительного моста 1,регулятор 5 режима осаждения, состоящий из блока б управления и транзисторного ключа 7. Измерительный мост1 содержит эталонный резистор 8 и катод 9.Устройство питается от синусоидального напряжения промышленной частоты,35один полупериод которого используется для питания измерительного моста1, а другой - для Формирования регулятором 5 режима анодирования пилообразных импульсов напряжения перемен 40ной длительности. Блок 2 измеренияи управления построен на основе,например, двух компараторов (не показан), один из которых выдает сигнал, на блок б управления по достижении 45сопротивления 90-95 от требуемого,а другой при достижении номинала. Устройство работает следующим образом.Подгоняемый...

Номер патента: 1014049

Опубликовано: 23.04.1983

Автор: Крылов

МПК: H01C 17/26

Метки: вентильных, металлов, номинал, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...- с вторым входом Формирователя измерительного тока, эмиттер - с первым входом операционного усилителя и выходом формирователя измерительного тока. Кроме того контактный узел выполнен по четырехзондовой схеме, третий вход которой соединен с общей шиной, а второй вход - с катодом.Укаэанное включение формирователя измерительного тока, протекающегочерез эталонный и подгоняемый резисторы, позволяет с большой точностью реализовать закон Ома при изменяющихся в широких пределах сопротивлениях подгоняемых резисторов, позволяетприменить четырехзондовое включениеподгоняемого резистора, что существенно повышает точность измеренияв широком диапазоне номиналов вплотьдо самых ниэкоомных резисторов,Кроме того, тавое построение устройства позволяет...

Номер патента: 1038971

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Коробов, Петренко, Рождественский

МПК: H01C 17/26

Метки: микросхем, пленочных, подгонки, резисторов

...устройства состоит в необходимости индивидуальной установкй игл-электродов на кон- тактные площадки.Наиболее близкой пЬ технической .сущности к изобретению является зондовая головка для установок контроля и измерения схем, содержащая эластичноепрозрачное основание с нанесен , ными на него пленочными измерительны ми контактами с микронаконечниками 2 .Недостатком указанного устройства является невозможность осуществле. ния подгонки сопротивления резисторов электролитическим способом непосредственно в процессе контроля.Цель изобретения " расширение функциональных возможностей контактного устройства путем группового выполнения операций подгонки и контроля, снижения трудозатрат при совме; щении устройства с микросхемой и тру доемкости...

Номер патента: 1045281

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Блинов, Валюнин, Егорова, Филатов

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...для е-о перемещения и фиксацииП )и этом ра)Оцл 1 коне,- д:О 1 Рик :ОВМЕЩРН С КОНЦОМ аМПУЛЫ Оаоочо 0 электрода.На ертеже представлено устрсйстнс для подгонки, сецение,Устройство содержит дьпулу 1 1)дбо це 1 о эгеТродд, заполнен- уо пооистым материалом , с капиллярной структурой /,нагример, поролон, во,Лок и т. ,1, пропитанным электролитом (например, Г:1)-ььй раствор борной ил нигной кислоты, деиоьизованная вода) наконечник 3 из пористого материала с капиллярной структурой и электрод 1. ВЫПОЛНЕ)1 Н 11 й ПОДВИЖНЫМ,. Е ДРЧНО) СЛУ чае пс при )ц пу винтового соеди неи я с Фиксируюшей гайкой 5, ,причем наконечник 3 и электрод ) погружень в порИстый материал 2, Наконечник 3 здключе- в ксжух 6 из твердого и прочного диэлектрического атериалд...

Номер патента: 1092576

Опубликовано: 15.05.1984

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов

...для повышения точности, посредством полного устранения переходных процессов на входе нудь-органа.Для упрощения устройства дополнительный резистор 17 и контакт 14 можно не применять, однако при этом устройство будет работать не в оптимальном режиме, т.е, с низкой производитель - ностью. Выбором величины сопротивления дополнительного резистора 17 регу-, лируется частота циклирования и длительность циклов подгонки и измерения.Длительность циклов измерения и подгонки зависит от времени перезаряда конденсатора 12 в каждом цикле. В начале подгонки в цикле измерения, когда подгоняемый резистор 18 подключен к изперезаряжается большим напряжениемнедобаланса моста, так как подгоняемыйрезистор меньше заданного на 1020%. Поэтому длительность...

Номер патента: 1182583

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов

...окисления, в.конце которого на входенуль-органа появляется напряжение положительной полярности, что равносильно напряжению перебаланса моста. Нуль-орган 8 переходит в состояние"Больше", отключает реле 10 и контактами 12 подключает резистор 20к измерительному мосту 4.Наступает цикл измерения. Если сопротивление резистора 20 не достигает своего номинального значения, измерительный мост 4 опять находится в состоянии недобаланса и цикл подгонки повторится.Таким образом, устройство работает в режиме автоматического циклирования с разделением во времени цик-. лов окисления и измерения до тех пор, пока сопротивление подгоняемого резистора не достигнет величины, несколько превышающей (в пределах допуска) номинальное значение, заданное резистором...

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...

Номер патента: 1075852

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Куценко, Мухин, Таланцев

МПК: H01C 17/26

Метки: делитель, интегральных, резистивный, схем

...резистивных элементов. ние относится к электроннойет быть использовано в техн ления прецизионных поли- резисторов, в частности, делителей для интегральных кристаллического кремний с я тем, что, с цельювоспроизведения отнолений резисторов .в делития диапазонаивления в низкоомной он расположенными на изке под резистивными элех боковых сторон дополнми поликристаллическоге сопротивление которыпорядок, больше удельния резистивных элементо На чертеже схематично показан резистивный делитель для интегральных схем,вид сверху.Резистивный делитель содержит изолирующую подложку 1, покрытую слоем двуокиси кремния (не показана), на которойрасположен слой 2 поликристаллическогокремния толщиной 0,5 мкм, резистивныеэлементы 3, контактные элементы 4,...