Интегральная схема

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР(57) Изобретение относитэлектронной техникии можпользовано при созданииК-ИОП интегральных схем,.К-МОП аналого-цифровых птелей. Целью изобретенияповьппение надежности интсхемы при нулевом уровнепотенциалов на входах ди затво с. 68 ся к обдаст ет быть исналоговыхнапример, еобразоваявляется гральной синфазных фференциаль" ного усилителя. Интегральная схема содержит дифференциальный усилительный каскад и ключевые в-канальные МДП-транзисторы, Дифференциальный усилительный. каскад содержит активные р-канальные и нагрузочные п-ка" нальные ИДП-транзисторы. Эффективная длина каналов нагрузочных п-канальных транзисторов меньше эффективных длин каналов активных р-канальных и ключевых и-канальных транзисторов, Величина эффективной длины выбира" ется так, чтобы пороговое напряжение нагрузочных и-канальных транзисторов было меньше. порогового напряжения ключевых и"канальных и активных р"ка.нальных транзисторов за счет эффекта ф короткого канала.ил,131656Изобретение относится к областиэлектронной техники и может быть использовано при создании аналоговыхК-МОП интегральных схем, включающихК-МОП дифференциальный усилитель(ДУ) и ключевые и"канальные МОП-транзисторы, например К-МОП аналого-цифровых преобразователей (АЦП),Целью изобретения является повышение надежности интегральной схемы 1 рпри нулевом уровне синфаэных потенциалов на входах дифференциальногоусилительного каскада.На чертеже приведена принципиальная схема дифференциального усилитель 15ного каскада.Интегральная схема содержит дифференциальный усилительный каскад на .комплементарных МДП-транзисторах:активных р-канальных 1 и 2, нагрузочных и-канальных 3 и 4 и источнике 5тока, выполненной в виде р"канальногоМДП-транзистора, Кроме того, интегральная схема содержит ключевые иканальные. транзисторы. 25Конструктивно-технологические параметры транзисторов имеют следующиезначения;затвор - поликремниевый, самосовмещенный с областями стоков н истоков Единица Изготов-. АД 7574измерения леннаяЗИС Характеристика Максимальная нели 20-30 3050 20 нейно сть мВМаксимальное смеще 30 мВ ние нуля входа Температурный дрейф смещения нуля входа/типовойТемпературный дрейфабсолютной погрешности преобразования н конечной точке шкалы/типовой Минимальное время преобразования с гарантией точности преобразования Относительная устойчивость к ВВФ мкВ/С 15 150 600 мкВ/ С 15 мкс относительные единицы. толщина затворного диэлектрика45 нм, эффективная длина канала 9 24,0 мкм для р-канальных транзисторов 1 и 2,1,8 мкм для и-канальных транзисторов,эффективная ширина канала600 мкм дпя р-канальиых транзисторови 2,320 мкм для и-канальных транзисторов 3 и "4пороговые напряжения транзисторови-канальных нагрузочных 0,7,В,и-канальных ключевых 1,0 В,р-канальных активных 1,0 В.Описанная интегральная схема была использована в изготовленной БИС8-разрядного АЦП последовательногоприближения, Имеющаяся статистика поопытным партиям АЦП показала практическое отсутствие технологическогобрака БИС АЦП по точностным параметрам, связанным с характеристиками схемы, что обусловлено значительнымитехнологическими запасами по ее параметрам. Высокие точностные и ско"ростные характеристики схемы позволили значительно улучшить соответствующие характеристики изготовленнойБИС АЦП по сравнению с ее функциональным аналогом АД 7574 Фирмы "Апа 1 оя Печ 1.се", в котором использованааналогичная по электрической схемеинтегральная схема., Сравнительные характеристики изготовленной БИС АЦП,иАД 7574 приведены в таблице.20 Составитель икова Техред М.Хо.Матэ Корректор А, Эимокосов едактор Тираж ВНИИПИ Государственно по делам изобретений 3035, Москва, Ж, Родписн о комитета СССРи открытийушская наб., д. 4 оизводственно-полиграфическое.предприятие, г, ужгород, ул. Проектная,3 365Таким образом, заявляемая конструкция интегральной схемы, включающей дифференциальный усилительный каскад и п-МОП ключевые транзисторы, позволяет значительно улучшить эксплуатационную надежноеть, точностные и скоростные характеристики интегральных схем, например, аналогоцифровыхпреобразователей, а также обеспечить высокий процент выхода О годных схем и их низкую себестоимость . за счет больших технологических запасов по параметрам. формула изобретения 15 Интегральная схема, включающаяи-канальные ключевые МОП-транзисторыи К-МОП дифференциальный усилителЬный каскад с активными р-канвльными 09 4и нагрузочными и-канальными транэисторами, истоки которых подключены кшине земли с нулевым потенциалом,о т л и ч а ю щ в я с я тем, что,с целью повышения надежности интегральной схемы при нулевом уров"не синфазных потенциалов на входахдиФФеренциального усилительного каскада, нагрузочные и-канальные транзисторы дифференциального усилителяимеют эффективную длину канала,меньшую чем эффективные длины каналовактивных р-канвльных транзисторовдифференциального усилителя и ключевых и-канальных транзисторов, приэтом эффективное пороговое напряже"ние нагрузочных п-канальных транзисторов дифференциального усилителяменьше порогового напряжения ключевых п-канвльных транзисторов.