Полупроводниковый модуль

)5 Н 01 1 25/О ОПИСАНИК ПАТЕНТУ БРЕТ ческии инГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР(71) Всероссийский электротехнический институт им. В,И.Ленина(56) Авторское свидетельство, СССРйг 1631627, кл, Н 011 25/00, 1989.Патент США М 3820153, кл. 357 - 153,1974,Заявка Японии М 59-68958, кл. Н 01 .25/02, 1984.Заявка Японии М 61-208874, кл. Н 0129/74, 1986. Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к выпрямительным блокам, и может быть использовано в различных преобразовательных устройствах.Целью изобретения является увеличение активной площади переключающих элементов при снижении массогабаритов и. увеличении функциональных возможностей модуля.Указанная цель достигается тем, что в полупроводниковом модуле, содержащем полупроводниковую структуру круглой формы, разделенную на части канавками, каждая часть выполнена в виде усеченного сектора и содержит отдельную полупроводниковую структуру,К признакам, отличающим заявляемое решение от прототипа. относятся: выполнение каждой части из отдельной полупровод 1804665 АЗ(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ (57) Использование: в различных преобразовательных устройствах, Полупроводниковые структуры модуля расположены на основании круглой формы, разделены на части канавками и электрически соединены между собой в определенной последовательности выводами. При этом каждая часть кольца выполнена из отдельной дискретной полупроводниковой структуры в виде усеченнЬго сектора, количество и размер которых определяют, исходя из применяемой схемы и мощности модуля, 3 ил. ФаЪф никовой структуры, причем каждая полупроводниковая структура имеет форму усечен- а ного сектора, СОСравнивая с известными решениями О предлагаемое, можно сказать, что использо- р вание отдельных дискретных полупроводниковых структур, имеющих форму усеченного сектора и расположенных по круговому кольцу, позволяет свободно ре- О шать схемные вопросы, что повышает функциональные воэможности модуля;позволяет наиболее эффективно использо- ( 1 вать площадь основания за счет использования формы структур, т,к, их можно уложить плотнее, чем структуры круглой или прямоугольной формы. Такие структуры можно изготовлять из одной пластины, разделяя ее методом скрайбирования на нужное число секторов; В этом случае для достижения одной и той же мощности, снимаемой с пластины, требуется значительно меньше материала на ее производство. Еще больший выигрыш будет при сборке модуля из структур разной полярности, изготовленных аналогичным образом, с использованием как прямого, так и перевернутого монтажа, т.е, достигается качественно другой уровень. повышения плотности монтажа модуля. В свою очередь это позволяет использовать для сборки круглые корпуса без потери их площади и таким образом снизить массогабариты самой сборки и в ряде случаев использовать для сборок корпуса приборов таблеточной конструкции.На фиг.1 изображен общий вид предлагаемого модуля (разрез); на фиг,2 - керамическая подложка с полупроводниковыми структурами (вид сверху); на фиг.З - принципиальная электрическая схема модуля.Модуль содержит (фиг.1,2) основание 1 с напаяной теплопроводящей керамической подложкой 2, на которой расположена полупроводниковая структура 3 круглой формы, разделенная на части канавками. Все части соединены между собой в определенной последовательности выводами 4, которые также соединены с силовыми шинами 5. Вся сборка помещена внутри корпуса 6 и залита компаундом,Керамическая подложка 2 металлизирована по заданной топологии и на нее напаяны силовые шины 5. Каждая часть полупроводниковой структуры 3 выполнена в виде усеченного сектора и представляетиз себя отдельную полупроводниковуюструктуру, количество и размер которых определен, исходя из, применяемой схемы и5 мощности модуля,Структуры могут быть изготовлены втом числе и с наличием логических элементов для решения более сложных схемныхвопросов, В приведенном примере приме"0 нены диодные полупроводниковые структуры, соединенные по схеме трехфазногодиодного моста, электрическая схема которого показана на фиг,З,При работе прибора на вход а, в, С15 (фиг.З) подают напряжение от трехфазнойсети переменного тока, а на выходе прибораДЕ снимают постоянное напряжение,Таким образом, предлагаемая конструкция позволяет на 10-15 О сократить мас 20 согабариты модулей данного класса,снизить на 5-10% расход исходного полупроводникового материала, увеличитьфункциональные возможности и технологичность модуля.25 .ф о р мул а и э о 6 рете н и яПолупроводниковый модуль, содержащий полупроводниковую структуру круглойформы, разделенную на части канавками,З 0 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что каждаячасть выполнена в виде усеченного сек,тора и содержит отдельную полупроводниковую структуру., Техред М.Моргентал Корректор Л.Филь едакт з 1080 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям и113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101