Патенты с меткой «самосовмещенным»

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...