H01L 27/01 — содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...