Фотонно-инжекционный тиристор

, где Опер - нап истора, В - сопрвключаю ого тиристора. оляетввести пол зь в активную об включения тири я генерации лаз яже-, отивщего Опти- ожиасть тора рноо, иФ(Ь ре ек ис- отой жСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕДОМСТВО СССРОСПАТЕНТ СССР)(56) Корольков В,И., Рахимов Н. Диоды,транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. - Ташкент: "ФАН" Узб, ССР, 1986,с 112 - 114.Корольков В.ИРахимов Н. Диоды,. транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур, - Ташкент; "ФАН" Узб, ССР, 1986,с.114 - 117,(54) ФОТОННО-ИНЖЕКЦИОННЫЙ ТИРИСТОР Изобретение относится к квантоэлектронике и может быть использованапример, в полупроводниковых инжеконных лазерах, имеющих генератор накарелаксационного типа,Целью изобретения является расшиние области использования фотонно-инжционного тиристора,На фиг,1 схематически изображентонно-инжекционный тиристор, в состкоторого один оптотранзистор; на фигфотонно-инжекционный тиристор, в сосве которого два оптотранзистора,Фотонно-инжекционный тиристор -точник лазерного излучения с одним оптранзистором (фиг,1) представляет сор -и -р -Р-Р-И-и структуру, где на подл 804667 АЗ(57) Применение: квантовая электроника, и может быть использовано в полупроводниковых инжекционных лазерах, имеющих генератор накачки релаксационного типа. Сущность изобретения: фотонно-инжекционный тиристор содержит резонатор, включающий два зеркала, сформированных на двух взаимно параллельных гранях гетеро- структуры, причем величина порогового тока генерации излучения Упор удовлетворяет условию Упор сОпейР ние переключения тир ление контура сопротивления открыт ческий резонатор позе тельную обратную свя светодиода, где после создаются условия дл го излучения, 2 ил. ке 1, например, из р -баАз, эпитаксиальными методами сформированы слои п -баАз -о 2, р -баАз - 3, Р-А 1 о,ззбао,6 БАз - 4, РоАооБбао,9 БАз (активная часть) - 5, й- Ао,зБбао,з 5 Аз - 6, и -баАз - 7, Электроды тиристора имеют металлические контакты катода 8, анода 9, управляющего электрода 10, Слой окисла 11, например 3102, защищает р-и переходы, выходящие на торцевые поверхности кристалла тиристора,Подложка 1 и слои 2 - 4 образуют р-и-р транзистор, слои 2 - 7 образуют п-р-и оптотранзистор, а слои 4 - 6- светодиод на основе двойной гетероструктуры, являющейся источником света в этом оптотранзисторе. Оп-. тический резонатор типа Фабри-Перо, образованный передним 12 и задним 13Э 1804667О перпор Фиг, 7 зеркалами обеспечивает положительную обратную связь в активной (слой 5) области светодиода.Фотонно-инжекционный тиристор - источник лазерного излучения с двумя оптот ранзисторами (фиг.2) представляет собой р -Р-Р.-М-п -р -Р-Р-М-и -структуру, где на + О О +подложке 1, например из р -ОаАв эпитаксиальным методом сформированы слои: РАО,з 5 Оао,кАв - 4, Р-АО,О 5 Оао,9 о 5 Ав - 5, 10 М-АО,з 5 Оао,о 5 Ав - 6, и -ОаАв - 2, р -ОаАв -3, Р-АО,з 5 Оао,65 Ав - 4 Р-АО,овОао.з 5 Ав - 5, МАО,з 5 Оао,65 Ав - 6, и -ОаАв - 7.Электроды тиристора имеют металлические контакты; катода - 8, анода - 9, управ ляющего электрода - 10, Слой окисла 11 осуществляет защиту р-и переходов, выходящих на торцевые поверхности кристалла тиристора.Подложка 1 и слои 4,5,6,2,3,4,5 образу ют р-.п-р оптотранзистор. Слои 6,2,3,4,5,6,7 образуют п-р-и оптотранэистор. Слои 4,5,6 образуют светодиоды на основе двойной гетероструктуры, которые являются источниками света в этих оптотранэисторах. Оба 25 светодиода, включенные в прямом направлении, выполняют роль эмиттерных переходов тиристора, поставляя неосновные носители заряда к его коллекторному переходу. Положительная обратная связь между 30 оптотранзисторами обеспечивается за счет оптического взаимодействия между эмиттерными и коллекторным переходами. Вывод лазерного излучения в обеих. конструкциях тиристора осуществляется 35 обычным образом через зеркала 12 и 13 оптического резонатора. Таким образом, введение положительной обратной связи в активной области светодиода превращает фотонно-инжекционный тиристор в источник лазерного излучения,Использование предлагаемого тиристора позволяет упростить конструкцию разрядного контура; исключив лазерный диод, вдвое уменьшить длительность заднего фронта импульса тока накачки, пропорциональную сопротивлению элементов контура, облегчить тепловой режим работы тиристора в два раза и тем самым расширить область его применения,Формула изобретения Фотонно-инжекционный тиристор на основе многослойной гетероструктуры, содержащий оптотранэисторы, эмиттерные переходы которых являются светодиодами, о т л и ч а ю щ и й с я тем, чтос целью расширения области использования за счет генерации лазерного излучения, он дополнительно содержит оптический резонатор, включающий два зеркала, сформированных на двух взаимно параллельных гранях гетероструктуры, перпендикулярных ее слоям, при этом параметры светодиода и резонатора выбраны из условия: где пор - величина порогового тока генерации излучения,Опер - напряжение переключения тиристора,В - сопротивление контура, включаю-. щее сопротивление открытого (включенного) тиристора.1804667 оставитель С,Лько ехред М.Моргентал рректор С. Ю дакто Заказ 1080 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при 113035., Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101