Способ создания металлизации интегральных схем

,.г с1 патент ф РГ М 081983.а 1, Мо/Т еергосезз,1984, р. 259ДАНИЯ МЕТАСХЕМотносится к эм создания мрхбольших ин ТаПгалоп аког,). Час, Яс- 263,ЛЛИЗАЦИИ лектро ежсоед те грал ои не- ых ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ПИСАНИЕ ИЗОБР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретениетехнике, к способаний больших и све Р 9овский, Ю;В.Агрич и Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем.Цель изобретения - повышение надежностии быстродействия интегральных схем.П р и м е р, На кремниевую подложку со сформированными МОП-транзисторами с поликремниевыми затворами последовательно охлаждают слой титана толщиной 1000 А и слой молибдена толщиной 500 А методом электронно-лучевого напыления в вакууме при давлении 10 Па. Скорость напыления титана составляет 15 А/с. Температура подложки в процессе напыления составляет 523 К.Затем на двухслойную пленку титан-молибден методом электронно-лучевого напыления в вакууме напыляют слой кремния толщиной 1000 А, Скорость напыления кремния составляет 10 А/с.Проводят термообработку при температуре 833 К в течение 1 ч в реакторе понижен.,Ю 1389 схем. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия интегральных схем. Согласно изобретению на кремниевую подложку со сформированными МОП- транзисторами последовательно осаждают слои титана и молибдена. Затем напыляют слой кремния. Проводят термообработку в среде азота с образованием силицида титана, Затем удаляют слой кремния и молибдена плазмохимическим травлением. Удаляют непрореагировавший в процессе первой термообработки слой титана. Наносят второй слой кремния. Проводят вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6 Ом/Затем в реакторе пониженного давления осаждают при температуре 893 К слой поли кристаллического к ремни я толщиной 1000 А. Термообработку для гомогенизации фазового состава и снижения сопротивле1389603 Составитель В,ДолгополовТехред М.Моргентал Корректор М.Керецман Редактор М.Васильева Заказ 1955 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 чия слоя силицида проводят при температуре 1073 К в течение 10 мин в реакторе пониженного давления при давлении 66 Па в среде Й,После термообработки проводят плаз мохимическое травление слоя поликристаллического кремния в плазме фторсодержащих соединений СГ в течение 2 мин селективно по отношению к слою дисилицида титана.10Поверхностное сопротивление слоя дисилицида на участках монокремния и поли- кремния составляет 1,0 ОмйФормула изобретенияСпособ создания металлизации интег ральных схем, включающий последовательное осаждение на подложку слоев титана и молибдена, первую термообработку в среде азота с образованием силицида титана, удаление слоя молибдена и непрореагировавшего с кремнием титана и вторую термообработку при температуре, превышающей температуру первой термообработки,отличающийся тем,что,сцелью повышения надежности и быстродействия интегральных схем, после нанесения слоя молибдена на него наносят первый слой кремния, после первой термообработки первый слой кремния удаляют вместе со слоем молибдена, а после удаления слоя непрореагировавшего титана на слой силицида титана наносят второй слой кремния, который удаляют после второй термообработки.