Способ матирования поверхности кварца
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
263045 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сеюз Советских Сонивлиоуичвоких РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 22 Л 11.1968 (М 1226971/26-25) Кл. 21 д, 11/02 оединением заявк Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР.11.1970, Бюллет ния описания 9 Л уб пиковано ауа опублик 970 Авторыизобретени Н. Т. Васина, Б. Е. Раснецова и лмакова, ;аявитель Ьй 6., " ПОВЕРХНОСТИ КВА ПОСОБ МАТИРОВ оэлектричвыхода го 180 г фторид калияазотная кислота 70%-на2-й раствор Изобретение относится к способам обработки поверхности кварца, используемого в радиоэлектронной промышленности при изготовлении пленочных фотоэлектрических лучеприемников.Кварц матируют с целью получения широкоразвитой поверхности для увеличения прочности сцепления с подложкой контактного металлического покрытия.Матировапие поверхности кварца производят путем пескоструйной обработки, при этом на матиров анной поверхности образуются микротрещины, и большое количество пластин бракуется вследствие сквозного пробоя. Процесс обработки трудно регулируется, нетехнологичен и вреден для здоровья.Стекла типа С-1 по составу матируются химическим путем при помощи плавиковой кислоты и щелочно-фтористых солей.Однако растворы, рекомендуемые для матирования стекла, непригодны для матирования кварца, ввиду неравномерности, точечности матирования и наличия большого числа непроматированных участков.Целью изобретения является получение стабильной равномерно матированной по всему полю поверхности с определенным классом чистоты, исключение образования микротрещин на матированной поверхности кварца, устрансние микрошумов и повышение порога чувствительности пленочных фот еских лучеприемников, увеличение д ных изделий,Сущность изобретения заключается в обработке подлежащей матированию поверхности кварца в смеси двух насыщенных растворов следующих составов:1-й раствор фторид аммония 120 г азотная кислота 70% -ная 100 илРаствор для матирования поверхности квар ца приготовляют путем смешения насыщенныхрастворов в соотношении 1: 1,2, Оптимальное время травления и число обработок определяются в каждом случае в зависимости от требуемого класса чистоты, Лучшие результаты 20 дает двухразовая обработка по 10 мин с промежуточной промывкой и сушкой,Описываемый способ матирования полированной поверхности кварца (14-го класса чистоты) обеспечивает стабильное, равномерное 25 по всей площадки получепие матированной поверхности 8 - 10-го классов чистоты. Предмет изооретения Способ матирования поверхности кварца о путем химической обработки, отличающийся263045 Составитель А, С. ТомсонРедактор Т. 3. Орловская Тсхрсд Л. В. Куклина Корректор А. А. Березуева Заказ 33, Тираж 51) Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 тем, что, с целью повышения равномерности матирования поверхности пластин, матирование производят в смеси насыщенных растворов фторида калия в азотной кислоте и фторида аммония в азотной кислоте, взятых в соотношении 1: 1,2.
СмотретьЗаявка
1226971
Н. Т. Васина, Б. Е. Раснецова, Г. Я. Колмакова
МПК / Метки
МПК: H01L 21/465
Метки: кварца, матирования, поверхности
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-263045-sposob-matirovaniya-poverkhnosti-kvarca.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ матирования поверхности кварца</a>
Раствор для матирования поверхности кварца
Номер патента: 458904
Опубликовано: 30.01.1975
Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова
МПК: H01L 21/465
Метки: кварца, матирования, поверхности, раствор
...кварца с повышенным классом чистоты (10 - 12), увеличение выхода годных изделий по фотоэлектрическим т 1 араметрам, 30 Предлагаемыи раствор, не о я разрушительным действием на фоторе р, позволяет получить штрихи до 0,03 м беспечивает высокую однородность мат р иной поверхности.Раствор для матирования приготовляют дующим образом.Концентрированную (35 - 377 о-ную) соляную кислоту разбавляют водой в два раза и заливают в два сосуда (фторопластовые стаканы) по 100 - 120 мл. Небольшими порциями при помешивании в один сосуд добавляют 90 - 100 г фтористого калия и в другой 180 - 200 г фтористого аммония, далее содержимое обоих сосудов сливают, получая насыщенный раствор фторидов с большим количеством извести, равномерно распределенной по...
Способ определения чистоты поверхности (шероховатости)
Номер патента: 111923
Опубликовано: 01.01.1958
МПК: G01B 11/30, G01B 15/04, G01D 5/39
Метки: поверхности, чистоты, шероховатости
...изображения реального профиля поверхности образца; на фиг. 2 - изображение реального профиля части образца; на фиг. 3 и 4 - электронограммы профиля поверхности шара после полировки и доводки; на фиг, 5, б и 7 - электронограммы профиля участка поверхности шарика после длительной эксплуатации.В предлагаемом способе исследования микрогеометрии поверхности образца любой конфигурации разработана схема применения приборас отраженным пучком электронов при включении только одной (второй) электромагнитной линзы.Схема применения прибора состоит из источника электронов 1, первой электромагнитной линзы 2, второй электромагнитной линзы Г, образца 4, пучка электронов б, экрана или фотопластинки б, На фиг. 2 представлено теневое...
Способ изготовления стандартных образцов чистоты поверхности
Номер патента: 972313
Опубликовано: 07.11.1982
Авторы: Богатырев, Глазов, Дьяконов, Цыганов
Метки: образцов, поверхности, стандартных, чистоты
...случае можно пренебречь, так как эта Величина граничит с величиной погрешности изменения, которая при доверительной вероятности 0,95 состав 10 ляет +0,005 мкг/см 7, а также для отжиганецелесообразно использовать температуры выше 300 С. Уже при 300 С концентрация остаточных загрязнений на поверхности становится равной 0,01 мкг/см, т. е.опять-таки граничит с величиной погреш 11 Ставленная цель достигается согласнс 15 ности. Дальнейшее увеличение температусгксобу изготовления стацдартць)х Образцов ры отжига приведет к тому, что величина цис г 1 ты 1 нврхцости, включающему шгруж остаточного загрязнения будет лежать ци пластин в титроваццый раствор загряз- в пределах ошибки опыта и не сможет быть цяющ 1 О вН 1 стив;1 С;.1 Ослсдуюцим мдзц...
Устройство для профилирования поверхности балластного слоя железнодорожного пути
Номер патента: 74179
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Белогорцев
МПК: E01B 27/02
Метки: балластного, железнодорожного, поверхности, профилирования, пути, слоя
...выполнено в виде щита 1, сц дышлами 2 и располагасмого поперек пути под поднятой рец 1 еткой наклонно к горизонту,При протаскивании тягой Т щита 1 по балластному слою, щнт, благодаря наклонному положению, своими дышлами 2 прижимается к нижним поверхностям шпал, а нижнейкромкой 3 профилирует балластныйслой соответственно толщине и ширине шпал.Для выравнивания сил, действующих на шпалу по ее длине, при прохождении подвижного состава, нижняя кромка щита 1 выполнена криволинейной, причем такой, при которой обеспечивается образование впадины в балласте под средней частью шпал и валика под их кон- цами Предмет изобретения 1. Устройство для профилирования поверхности балластного слоя железнодорожного пути, протаскиваемое под поднятой...
Способ местного отпуска кольцевых выточек на поверхности закаленных стальных изделии путем нагрева токами высокой частоты и устройство для осуществления способа
Номер патента: 88329
Опубликовано: 01.01.1950
МПК: C21D 1/18, C21D 1/42, H05B 6/36
Метки: высокой, выточек, закаленных, изделии, кольцевых, местного, нагрева, отпуска, поверхности, путем, способа, стальных, токами, частоты
...по боковыи 333) репнин сгорондм. д в петлево)1 иглу)1- горе в и;кцсй вну)реннсй части ток)1 ОЛ- вота прина;Тваот меаиыс вьСтупаощие )екгорь с разуом, рдвнь 1 м рдя)1 усу кольпснг)й 331 точи) 3 ЛТО: возлупцп)й зазор, неОт)молимй лл 5 перемещения 1 заелия че,е, 31 лт втор.Сион.нб Осуществг 51 От цри помощи инлукгор ц; петлевого или разъемного. Разьсмный ицлуктор и;)стстзв сн и 3 Фпг. 1, а ц)тлч Ой - и пг. "., Туси (2) Обоз- и(ЧД О Г 1)с ТНРОЦЫ )1 ЗЛ)СМЧ)1 О 1 ЦД КТОРД (Фнг, 1); (3) и (4 - повордчиваемые н 1 дрнио:)1: ( ) - п)1 т 31 ощии гснс)дтор; (1:) - ЗОПД НСПОГ 1)СЛ тпсцц 3)Г) КогнтаКта )стклу стовоцами и)луктор 3: (7) и- медные секторы, припаянные к трубке пнлуг)тод: (Ю - лстлевой инту тор (Фиг.21) (10) - сектор. прпдянчый к...
Предыдущий патент: Высокочастотный туннельный диод
Следующий патент: Автомат для сборки ножки полупроводниковыхприборов
Случайный патент: Бункерная установка