Патенты с меткой «256086»

Номер патента: 256086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белебашев, Думаневич, Ловцов, Рюмшин, Смол, Файншмидт, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: 256086

...3 - базовый р-слой тиристора; 4 - эмиттерный р - и-переход тиристо ра; б - коллекторный р - и-переход тиристора; б - локальный металлический шунт; 7 - катодная клемма; 8 - анодная клемма; 9 - базовый и-слой тиристора. Устройство работает следующим образом.При подаче положительного смещения на тиристор (+ на клемму 8 и-на клемму 7) к переходу 4 прикладывается прямое смещение, которое должно вызвать инжекцию электронов в базовый слой 3. Так как переход 4 зашунтирован шунтом б с малым сопротивлением, его смещения в прямом направлении не происходит, и инжекция электронов из слоя 2 в слой 3 отсутствует. В то же время в базовый слой 3 поставляется дырочная составляющая обратного тока центрального р - и-перехода 5 и часть дырочного тока...