Патенты с меткой «полупроводниковогоприбора»

Номер патента: 253933

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Ткачекко

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковогоприбора

...пробцвгсые,напряжения иимпульсные свойства прибора. Согласпособу на поверхпссть германия од5 цо с оловом наносят до 10% никеляС целью создания структуры.и - г - р, на протяжении всего коллперехода ца поверхность кристалловобработанных в парах сурьмы в пр10 меди, с эмцттерной стороны наноссплава олово-ц;скель (М 1 до 10010).Технология цацесецссц пленки соет описанной выше. 15 Толщина пленки 200 -Эмцттерньш электрод дискретного хода прц 7 8 в 15 .цин в атмосфере цый сплав вплавллют прс 20 3 лггн, Существенного вл ранее структуру эта опер На чертеже цзоб раже германия после вплавлец рода. 25Прц вплавлеццц эмцттерцого электрода 1происходит экстракццн меди эмцттерцым сплавом п пленкой олова, г. е. удаляется примесь высокой...

Номер патента: 316041

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Маслов, Твсрезовский

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковогоприбора

...Вкоды счстчикоВ 4 и 1 с.,смтя вынч 1 ггания (состоящей из счетчико 13 .1, 1, тр:1 ггсра 5 н с;см совпадения И 6, 7, 8), 10 коли:1 с гво когорта;1 роворциональцо мгновс:1:1 ом з:1 ачс:1:по в льгамперной характеристик:1 диода. Полс окончания цикла преобразова:1:1 я:1;1 формации из счетчика 4 переписывается в счет шк 1 (параллельный перенос) в Оорап 1 оа 1 кодс, после чего счетчик 4 сорасывася в 1.с.юд:1 ое состояние и готов к приему импул 1 сов слсду 11 чцего цикла преобразова 1 п 1 я,на 1 ала которого загтолнятощпе импульпостуа 1 от :.и счстцыс20 СЧЕ Гт 111 КОВ.Следует огмспггь,;то поступающие нас.,",ный мод счсг 11 нк 11 1 импульсы при первом цикле н. собразсва:1:1 я на работу скемы Вы 1111 ання нс вл:1 яот. 25С 1 етчик 1 манже 1 принять...

Номер патента: 830611

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Макаров, Тимурджи

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводниковогоприбора

...целимгновенное значение тока защищаемогополупроводникового прибора преобразуют в сигнал, пропорциональныймощности потерь, рассеиваемых в при(1боре. Этот сигнал подают на тепловуюмодель прибора, выполненную напримерна ЙС-цепи, в которой его преобразуют в величины, пропорциональныетемпературным перепадам между отдельными частями прибора. Суммируя их,получают величину, пропорциональную15 перегреву относительно окружающейсреды полупроводниковой пластины ичастей корпуса,.к ней.прилегающих.Используя однозначную связь междуэтими температурами и значением20 термомеханической напряженности,вызывающей отказ прибора, получаютвеличину, пропорц;ональную термомеханической напряженности, значение которой сравнивают с пороговым2,и при превышении...

Номер патента: 851614

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Бузыкин

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, перегрузок, полупроводниковогоприбора

...в нулевое состояние сигналом, инверсным управляющему и, таким образом, имеющим нулевое выходное напряжение к приходу отпирающего транзистор 1 сигнала. Напряжение с интегратора 4 совместно с напряжением температурно зависимого источника 5 поступает на компаратор 6, управляющим ключом 7.При перегрузке ток эмиттера транзистора 1 стабилизируется схемой 3851614 Формула иэобраеения Составитель В.РыковаРедактор Ю.Ковач Техред М. Рейвес Корректор В. Бутягае 675 омитет ткрытиушская аказ 6379/79 ТиражВНИИПИ Государственного по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, Р ПодписиСР б., д.4/5 филиал ППП "Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 путем соответствующего изменения его тока базы. Возрастающее при этом напряжение коллектор-эмиттер...