256086

Номер патента: 434516

Опубликовано: 30.06.1974

МПК: H01L 21/04

Метки: локального, перехода, полупроводниковых, приборов, р.п

...битум.Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участ чи, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде, 3 2Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше температуры растекания битума - около 40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффундирует только в месте его нанесения,Диффузант с большим давлением паров можно...

Номер патента: 1762317

Опубликовано: 15.09.1992

Автор: Кройтор

МПК: G09B 23/06

Метки: демонстрации, механизма, односторонней, перехода, прибор, проводимости

...Шарики, находящиеся в левой части прибора (" полупроводник типа р"), имитируют "дырки", а в правой части (" полупроводник типа и") - электроны. Электроды 9 и 10 подключают к полюсам источника высокого напряжения через переключатель. Если полярность этих электродов соответствует указанной на чертеже (к полупроводнику типа р "+" и типа и "-", то под действием внешнего электрического поля шарики движутся между электродами 9 и 10, пересекая границу раздела - линию 11. Этот опыт демонстрирует, что под действием внешнего электрического поля, направленного от дырочного полупроводника к электронному, :новные носители заряда в каждом полупроводнике движутся к границе раздела и разрушают запирающий слой, обогащая его свободными носителями...

Номер патента: 845563

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Горюнов, Дулов, Сергеев, Широков

МПК: G01J 5/26

Метки: времени, переход-корпус, полупроводниковых, постоянной, приборов, тепловой

Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов, заключающийся в регистрации потока ИК-излучения с поверхности структуры полупроводникового прибора при подаче на него разогревающей мощности, изменяющейся по гармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой постоянной времени переход-корпус, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени измерения, измеряют сдвиг фаз между разогревающей мощностью и регистрируемым потоком ИК-излучения и по величине этого сдвига фаз определяют тепловую постоянную времени переход-корпус.

Номер патента: 1255969

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Бельский, Дмитриев, Забиров, Кричун

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, переход-корпус, полупроводниковых, постоянной, приборов, тепловой

...тепла, поэтому амплитуда напряжения на нем, пропорциональная току,50 протекающему через него, будет оставаться неизменной при протекании греющего тока, а амплитуда напряженияна испытуемом приборе будет меняться пропорционально изменению его со 55 5 О 5 20 25 30 торого соединен с входом дешифратора 13, выход которого соединен с входом индикатора 14,Генератор управляющих импульсовсодержит генератор 20 напряжения треугольной формы, первый 21 и второй22 компараторы, делитель 23 частоты,ключ 24, инвертор 25, первый 26 ивторой 27 источники опорного напряжения.При этом выход генератора 20 напряжения треугольной формы соединенс первыми входами первого 21 и второго 22 компараторов, выход первого 2компаратора соединен с входом делителя...

Номер патента: 1708097

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дудуева, Кальнова, Лобков, Митрофанов, Неелова, Сальников, Сергиенко, Шубин

МПК: H01J 21/36

Метки: p-n-переходов, высоковольтного, защиты, композиция, полупроводникового, прибора

Композиция для защиты р n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора, содержащая низкомолекулярный кремнийорганический каучук, кремнийорганическое этоксисоединение и гетеросилоксан, отличающаяся тем, что, с целью создания однокомпонентного состава, повышения электрической прочности и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, в качестве кремнийорганического этоксисоединения вводят триэтоксисилан, а в качестве гетеросилоксана продукт взаимодействия линейного , - - дигидроксиполидиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении, мас.ч. 100 16,8 0,65 при следующем...