262861
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 262861
Текст
О П И С А Н И Е 262861ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советскив Социалистические РеспубликЗависимое от авт. свидетельства МеЗаявлено 10,Х 1.1967 ( 1196189/26-25)с присоединением заявки МГриоритет 12 д, 17/08 21 д, 11/02 МПК В 011 Н О 1 УДК 621.315,592:546.28твитет по дела аооретений и отнрытнпри Совете ЯинистровСССР бликовано 04.11,1970, Бюллетен Дата опубликовани сания 2 Л.1970 АвторыизобретенияЗаявительФ. е;ги м ч г4 ьхс 3 т тОт тунт;к гозовский и В. П, Поп овочеркасский политехнический ииститу ПОСОБ ЗОН ПЛАВКИ С ТЕМПЕРА 1 УРНЫМ ГРАДИЕНТОЧ 2 еобходимой толщины, кристаллогр афичвской уют механически или)=/,Сл,(,т) т при темпе сидкоиС щиринаратуре Тширина(линейн вышения стабильности движедлатается плоакую зону полуате слияния в объеме полупроалюминиввои ленточноий) зоны на старте; Изобретение относится к полупроводниковой промышленности и может найти применение при производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых схем.В известных способах зонной плавки с градиентом темперагуры требуется монокристалличсская затравка на начальном этапе движения зоны. Для стабильного (без разрывов) движвнпя зоны необходимо однородное смачивание металлом-растворителем как поверхности образца, так и поверхности затравки. Это требует строгой плоскостности поверхностей образца и затравки (особенно для тонких зон).Кроме тогонерастворимые включения, оказавшиеся в жидкой зоне, затрудняют транспортирование атомов полупроводника к кристаллизующейся границе и мотут при определенных условиях вызвать разрьвв зоны, Например, для плоских зон на основе алюминия, движущихся,в кремнии или германии, тапсими включениями будут чешуйки окиси алюминия А 1 гОа или частицы карбида кремния ЯС. Для зоны на основе золота, серебра, олова опасным включением является также двуокись, кремния ЯОг, от которой трудно избавитыся.С целью пония зоны пречать в результ водника ряда параллельных линеуглубляющихся в полупроводник пршении температуры.Способ, поясняется примером, в котором в5 качестве полупроводника используют кремнийп-типа, а в качестве металла-растворителядля зон - алюминий.Пластины кремния нориентированные по10 плоскости (111), полирхимически,Мегодом термического распыления алюминия в аакууме через специальный трафаретили на всю пластину с последующей фотоли 15 тографией получают заданное число параллельных линейных зон,необходимой ширины(ЗО - 200 мк) и толщины (не менее 1 О мк).Напыление алюминия сочетается с одновременным сплавлением с кремнием, для чего20 температура,подложки поддерживается в интервале 577 - 660 С,Ширину зоны в зависимости от температуры определяют по формуле262861 Пр едм ет изобретения Составитель Г, Корнилова Редактор Т. 3. Орловская Техред Л. В. Куклина Корректор С, А. КузовенковаЗаказ 1312/15 Тираж 500 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапуноьа, 2 СА 1 (Т) - весовая концентрация алюминия врасплаве прои температуре Т (определяют по ликвидусу диаграммы состояния системы 51 - А 1),Расстояние между ленточными зонами на старте выбирают так, чгобы при заданной температуре Т они слились и образовали плоскую зону. Число зон определяют с учетом получения заданной площади, плоской зоны,Приготовленные таким образом пластины кремния с зонами помещают в вакуумную (остаточное давление не более 10 4 ммрт. ст.) градиентную печь с плоскородньэм тепловым полем, углубляют зоны при температуре 800 - 1200 С на заданное расстояние, после чего повышают температуру та 1 к, чтобы отдельные линейные зоны слились и образовали плоскую зону, Фронт зоны при этом благодаря стабилизирующему эффекту плоскости (111) получается ровным. После этого продолжают движение плоской зоны при любой температуре в диапазоне 700 - 1300 С. Полученная таким образом плоская зона обладает большей стабильностью движения, так как нерастворимые шла 1 ки, имеющиеся в жидких линейных зонах, остаотся на старте и в далЬ- нейшем не препятствуют движению зоны.Применяя серию концентрических линейных зон или серию линейных зон любой дру гой формы, можно получить легированныеили очищенные (при иапользовании нейтральното металла-растворителя для зоны, например, золота, серебра, олова) области различных размеров и геометрии в 1 пластине полу проводника.Кроме того, смачивание алюминием кремния при использэва 1 нии линейных зон настолько воспроизводимо, что отпадает необходимость предварительного сплавления и кон троля. Способ зонной плавки с температурным 20 градиентом путем образованиия и движенияплоской зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности движения зоны, пре 1 дварительно создают ряд линейных зон, углубляют их, после чего павышают тем пературу до образавания,плоской зоны.
СмотретьЗаявка
1196189
МПК / Метки
МПК: H01L 21/324
Метки: 262861
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-262861-262861.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">262861</a>
Предыдущий патент: Способ выращивания монокристаллов
Следующий патент: Электролизер для получения гипохлоританатрия
Случайный патент: Способ измерения коэффициента усиленияантенн