Способ сборки полупроводниковых триодов

Номер патента: 1524980

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Поздняков, Прилепин, Сенцов, Трегубов, Шепелев

МПК: B23K 31/02

Метки: алюминиевого, биметаллическому, вывода, выводу, лопаточного, приварки

...строго соосно с алюминиевым лора- точным выводом 17 с необходимым технологическим зазором между ними. При этом положении упор 10 сварочной каретки 3 беззазорно соприкасается с изолятором рычага 5, а подпружиненный контакт 15 прижимается к тосоъемнику 14, Блок управления сваркой вырабатывает управляющие импульсы и передает их на исполнительные устройства источника питания установки и осцилля тор .Ос цилля тор выдает единичный импульс высокого напряжения, источник питания устройства вырабатывает импульс сварочного напряжения и импульс напряжения питания дополнительного электромагнита 8, Последний подается непосредственно на дополнительный электромагнит 8, а высоковольтный и сварочный импульсы по своим цепям подводятся к контактному...

Номер патента: 1013155

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Зверев, Кузнецов, Мурашов, Петрова, Цывин

МПК: B23K 1/20

Метки: корпусами, кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов

...толщине слой стекла, который вдальнейшем выполняет роль припояпри соединении кристалла с основанием корпуса.. Процесс изготовления слоя стеклав этом случае прост, технологичен,универсален, исключает отходы, егопродолжительность не превышает 1020 с и определяется толщиной слоя,концентрацией суспензии и напряжением на электродах,На чертеже показана электро-химическая ячейка для нанесения слоястекла на пластине полупроводника,снабженного сильнолегированным слоем р+ или и+ типа./П р и м е р. В процессе изготовления. структур на пластине 1 из кремния и+ типа с р =7,5 Ом см на обРатной стороне одним из известных методов (диффузия, ионное легирование)создают сильнолегированный слой 2 р+типа с поверхностной концентрациейй =1101...

Номер патента: 1730223

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына

МПК: C30B 29/14, C30B 33/04

Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов

...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...

Номер патента: 538862

Опубликовано: 15.12.1976

Автор: Нежинский

МПК: B23K 31/02

Метки: вывода, корпусу, приварки, проволочного, радиодетали

...рычага 21 и установленной на этом рычаге на пути движения валика 18 подпружиненной планкой 22.Ы первом окне 10 установлен подпружиненный к каретке 9 пружиной 23 плунжер 24 и кинематически связанный с плунжером и кареткой ролик, закрепленный на верхнем конце рычага 25 привода каретки 9. Рычаг 25 подпружинен регулируемой пружиной 26 и связан нижним концом с кулачком 27 распределительного вала 19.Устроиство снабжено механизмом отрезки вывода 7, состоящим из фильеры 28 с калибрующим каналом, отрезного ножа 29 и механизма 30 рихтовки сматываемой проволоки 5 с бобины 6.Механизм фиксирования корпуса 3 радиодетали состоит из нижней 31 и верхней 32 губок, а губки 13 и 14 снабжены токоподводами 33, включенными в сварочную цепь 34.Между лотком...

Номер патента: 949729

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Карлов, Кондаков, Коренев, Мордасов

МПК: H01G 13/00

Метки: вывода, конденсатора, корпусом, сваркой, соединения, фольгового

...вывода с корпусом конденсатора, заключающейся в том,что секцию конденсатора в сборе с фольговым и стерж 15 невым выводами 1 устанавливают в корпусе конденсатора, прижимают фольговый вывод к донной части корпуса конденсатора путем приложения осевого усилия к стержневому выводу и пропускают варочный ток через зону контакта фольгового вывода с корпусом, перед установкой секции конденсатора в корпус, между стержневым выводом и фольговым выводом размещают изолирующий опорный элемент, а сварочный ток пропускают через донную часть корпуса конденсатора.На фиг. 1 показан общий вид сборки конденсатора; на фиг. 2 . - Узел 1 на Фиг.1.В секцию 1 конденсатора устанавливают опорный изолирующий элемент 2 (например стеклянный шарик) до соприкосновения с...