Патенты с меткой «тонкопленочный»

Номер патента: 197515

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Марченко, Сол, Тютюнников, Шпорхун

МПК: B01D 1/22

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...трубыс зазором 1 - 2 ягг вращается ротор 5. Вал ротора вращается в подшипниках б и 7, оц снабжен торповы., уплотнением 8. Продукт подают по штуцсру 9. Штуцер 10 предназначен для удаления паров цизкокипящего компонента, а штуцер 11 для удаления кубового остатка. Ротор э с жестко укрепленными радиальными логгатками оазделеи ца секции определенной длины. После каждой секции ца валу устаон,с. диски 12, г.соп,гге на верхнем торце кольцевой канал углового сечения, а ближе и центру - отверстия для прохода пара из ниже;ежиих секций. Одна сторона кольцевого канала образована цилиндрической поверхностью, а другая конической с осями, совпадающими с осью аппарата. Угол наклона образующей конуса устанавливается в пределах 45 - 90. Лопатки ротора...

Номер патента: 204975

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Марченко, Тютюнников, Шпорхун, Ярмак

МПК: B01D 3/28, B01D 3/30

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...конденсации. Камера с обогреваемыми стенками может быть выполнена конической формы.На чертеже показан описываемый аппарат в общем виде.Он содержит камеру 1 конической формы с обогреваемыми стенками 2, внутри которой помещен полый ротор, охлаждаемая повсрхность которого выполнена в виде спиральных трубок 4, навитых на вал по винтовой линии.Продукт, подлежащий разгопке, поступает по штуцеру на внутреншою обогреваемую поверхность конической камеры 1 и испаряется на ней. Пар, соприкасаясь с охлаждаемой изнутри спиралью 4, конденсируется на ее поверхности. Обогащенный грудно кипящими компонентами конденсат отбрасывается на обогреваемую поверхность конической камеры, на которой вновь испаряется. жидкости в конце каждой камерь полость 5, в...

Номер патента: 205808

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Марченко, Сол, Тютюнников, Шпорхун

МПК: B01D 1/22, B01J 10/02

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...лопатками 8, прикрепленными при помощи подвесок 9 и пальцев 10 и 11. Подвеска осуществлена таким образом, что система лопатка - подвеска - корпус ротора при соприкосновении лопатки с греющей поверхностью образует параллело. грамм.Лопатки прикрепляют к ротору при помощи подвесок равной длины, расположенных попарно в плоскостях, перпендикулярных к оси аппарата и подвижно сочлененных с лопаткой и корпусом ротора при помощи пальцев так, что расстояние между местами сочленений на лопатках равно расстоянию между местами соответствующих сочленений на роторе.Аппарат работает следующим образом.Подлежащий разделению или иопарениго продукт подают через штуцер 12 в аппарат, где он захватывается лопатками ротора и распределяется по обогреваемой...

Номер патента: 259283

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Гасанов

МПК: H01L 29/786

Метки: полевой, тонкопленочный, триод

...ц дырочной проводимости.На фцг. 1 изображен предлагаемый тонко пленочный триод, разрез; ца фцг, 2 - зависимость цнд;ццрованноЙ поверхностцоЙ проводимости от внешнего электрического поля,Предложенцый триод состоит цз полупроводниковой пленки 1, слоев 2 изолятора, ме 1 б таллцческцх электродов затворов 3, элекприс;.кцх коцтактОВ 4 ц а ц цзолцрующеЙ подложки 6.Для Включецця тоцкоплс очного полевоготриода закорачцвают полеаыс электроды 3 ц 2 С подсоединяпот цх через батарею смещения кконтактам 4. Контакты 4 ц а через нагрузочцое сопротивление соединяют с источником постоянного напряукснця. Подавая сигнал перецапряжс 1:ця между истоког 25 затвором на цагрузочцое сопротцвлеш 1 е получают необходимый полезный сигнал.Прц толщине пленки...

Номер патента: 288152

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кон, Мишин

МПК: H03K 17/84

Метки: переключающий, тонкопленочный, элемент

...изобретения является увеличениечисла устойчивых состояний тонкопленочного переключающего прибора со структурой 20 Ао - .е - А 1, для чего пленка дпэлектрикавыполнена в виде пленки меняошспся толщины.В предлагаемом тонкопленочном переключающем элементе падение напряжения на 25 первом включснном ПЭ может достигать величины, достаточной для включения второго ПЭ; падение напряхкения на первом и втором включенных ПЭ может достигать величины, достаточной для включения третьего30 ПЭ, и т. д т. е.288152 1,г,= Упэв Риг. 1 Составитель В, ГордоноваТехред А. А, Камышникова Корректор Н. П. Бронская Редактор Б. Федотов Заказ 16147 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, )К, Раушская...

Номер патента: 320835

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Болгарина, Вибли, Гаг

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный, тонкопленочный

...- в 1 10 в /С, что недостаточно д высокостабильных и прецизионных резис ров.Целью изобретения является получение резисторов с низким значением ТКС при расширении диапазона сопротивлений в низкоомную 15 и высокоомную область. Для достижения этой цели в состав резистивного материала введена смесь окислов висмута, железа, алюминия, титана, хрома, тантала и ниобия. При этом тонкопленочный резнстивный материал может 20 содержать исходные компоненты в следующих количественных соотношениях, в вес, %:Окислы олова 85 - 98,5, титана,железа0 - 150 30 стивный материал поллоокисные пленки для резисторов с величиной ТКС, изменяющейся в интервале -1-100 10 - /С, и величиной удельного поверхностного сопротивления от 0,5 Ола до 1 ком/кв при этом...

Номер патента: 308459

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Амосова, Волкова, Галухина, Тер

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, тонкопленочный, элемент

...агнитный слой нитных пленках, окиси германия, счет неоднородваемой диффуенку моноокиси м, не треслоя беО, и времени а при из- значительростыщины турыроцесс обом едмет изобретен Тонкоплено щий магнитн ложку напыл тем, что, с ц 25 силы магнитн ложкой наненапример,Данное изобретение относится к области запоминающих устройств, в частности, к средствам производства элементов памяти.Известен способ получения тонких магнитных пленок, Способ состоит в осаждении на подложку посредством испарения в вакууме по меньшей мере одного слоя хрома и слоя кобальта, покрывающего слой хрома. Процесс нанесения этих слоев должен происходить при строго определенной температуре, а именно 300 С для кобальта и 250 С для хрома, Коэрцнтивная сила Н, при...

Номер патента: 329582

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Асеев, Косой, Лобов, Сыноров, Чко

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...- 5 раз обивное я. ходится диэле слой металла ляет повысить без увеличени напряжение ко изобретения Предм Тонкопленочны сенных на диэле лических обклад покрытых слоем тем, что, с целью лпчения площади песен слой метал нане- металчатых, бийся ез увеик на, Асеев, В, В. Крячко, И Изобретение относится к электронной технике. Устройство может быть применено в гибридных СВЧ интегральных схемах.Известны тонкопленочные конденсаторы в виде нанесенных на диэлектрическую подложку гребенчатых металлических обкладок, покрытых диэлектриком.С целью повышения емкости без увеличения площади обкладок, на диэлектрик предлагаемого конденсатора нанесен слой металла.На фиг. 1 изображен конденсатор, вид сверху; на фиг, 2 - то же, поперечный разрез,На...

Номер патента: 340216

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Инкорпорейтед, Иностранец, Иностранна, Соединенные

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...давления инертного газа и уменьшение в результате этого вакуума внутри камеры 1 приводит,к увеличению скоростис которой распыленный металл удаляется с катода и, соответственно, к увеличению скорости осакдения пленки, максимум давления обычно определяется заданными пределамл подаваемой электроэнергии, поскольку увеличение давления приводит также к увеличению электрического тока между анодом н катодом. Практически верхний предел давления составляет 150 лк рт. ст. при напряжении в процессе распыления порядка 5000 в. Предел максимального давления должен быть таким, при котором раопыленце легко регулируется, не отклоняясь от допустимых номинальных норм. Минимальное давление определяется наименьшей скоростью осаждения,...

Номер патента: 347796

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Артыненко, Гришечкик, Добротин

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитный, тонкопленочный, элемент

...информации.Цель изобретения - увеличение однородности параметров тонкопленочного магнитного элемента прц одновременном увеличении порога разрушения информации.Для этого в предлагаемый элемент введены слой алюминия, размещенный между подложкой и слоем моноокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мк, и дискретные вкрапления меди в слое сплава никеля, железа ц кобаль. та, имеющем толщину 0,04 - 0,13 мк. Слой алюминия выполнен с периодом поверхностной шероховатости 0,1 - 10 мк, а дискретные вкрапления меди - с толщиной 0,001 - 0,0055 лтк.На чертеже изображен один цз возмокных вариантов предлагаемого тонкоплечсчного магнитного элемента. На подложке 1 цз сплава алюмпнця ц марганца, содержащего 98,6% алюминия и 1,4% марганца, размещен слой 2 алюминия...

Номер патента: 356700

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Жуков, Карпыч, Климов

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...подгонку резистора.Цель изобретения - уменьшение разброса температурного коэффициента сопротивления в рабочем диапазоне температур. Это достигается тем, что подгоночный участок зашун тирован напыленным на ту же подложку низкоомным слоем, имеющим по всей длине электрический контакт с подгоночным участком.На чертеже изображен предлагаемый тонкопленочный резистор.Увеличение сопротивления подгоночного участка резистора происходит за счет умень. шения длинны шунта и,соответствующего наращивания длины 1 рабочей зоны подгоночного участка. Ширина Ь удаляемой зоны при подгонке постоянна и минимальна, поскольку требуется лишь разорвать зистивной,пленки с пленкой шунта. ны А в рабочей части подгоночного остается постоянной и минимальной бой...

Номер патента: 359706

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Джуринский, Красов, Крикоров, Тананаев, Хромов, Чистопа

МПК: H01G 4/20

Метки: емкости, конденсатор, постоянной, тонкопленочный

...д1.ЯгСаз(ВОз)полученныйспекяния илиНапыление1. ЯгС аз (В Оз)термического го слоя издом вакуумно торр) нз рези публиковано 21,Х.1972, Б ата опубликования описа осится к тонопленочным ользуемым в электронной водстве гибридных интегстцвного тя палового (вольфрамового) нспярителя при температуре испарения 1200 - 1400 С н температуре подложки 150 С.Г 1 олучецный тоцкопленочный конденсатор с ялом иниевьми электродамн имеет при толщнсне диэлектрика 3000 - 4000 А удельную емкость 27000 - 30000 пф/с,г, тангенс диэлектрических потерь 0,009 - 0,01 н пробивное напряжение 00 гг.П р и м е р 2. Для изготовления тонкопленочного конденсатора в качестве диэлектрика используют двойной борат лантана со стронцием 1 аггз (ВОз) 4 стехиометрического...

Номер патента: 363127

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Мешков, Приходько, Радванский, Сапронова, Шалимов

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...подложки 1, на поверхности которой расположены изолированные обкладки 2, выполненные, например, из золота и покрытые пленкой диэлектрика 3, например, пленкой пятиокиси тантала, на поверхности которой расположены основные обкладки конденсатора 4 и контактные площадки б, выполненные, например, из золота.Ситалловую подложку 1, полированную с одной стороны до 14 кл., кипячением в водном растворе перекиси водорода очищают от загрязнений. Затем ее сушат в потоке очищенного инертного газа и помещают на подложкодержатель установки для термического испарения. На ситалловую подложку 1 напыляют сплошную пленку золота и с помощью фотолитографии получают рисунок изолированных обкладок 2 конденсатора. После этого ситалловую подложку 1 помещают в...

Номер патента: 374668

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Джуринский, Красов, Крикоров, Тананаев, Хромов, Чистова

МПК: H01G 4/20

Метки: jceqc, jtxhh•jбл«v, vosht«tili, конденсатор, тонкопленочный

...(до 200.000 пф/см) и существенно меньший тангенс угла диэлектрических потерь 1 дб (до 0,005), при этом увеличивается воспроизводимость его параметров,ю емнгенс - 0,009 вь эл оя из ЕгВоз роводят меиспарения танбалового ри темперав течение ри напылеТонкопленочный конденсатор постоянной емкости, в котором диэлектрический слой выполнен из материала, содержащего соедиИзобретение относится к области технологии производства радиодеталей и может быть использовано для изготовления тонкопленочных конденсаторов гибридных интегральных схем,Известен тонкопленочный конденсатор постоянной емкости, в котором диэлектрический слой выполнен из материала, содержащего соединения бора.В предлагаемом конденсаторе в качестве 1 материала диэлектрического...

Номер патента: 376805

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, тонкопленочный, элемент

...порядка 10, а усредненное по толщине пленки направление легкого намагничивания 10 совпадает с направлением числовой линии. Направление трудного намагничивания, усредненное по толщине пленки,указано стрелкой 11.Предложенный элемент работает следующим образом,Запись.Запись О производится путем возбуждев числовой линии 1 импульса тока, магное поле которого насыщает пленку 4 вравлении трудного намагничивания (11),ле спада импульса числового тока пленка4 остается намагниченной в направлениитрудного намагничивания. Причиной этому376805 Предмет изобретения Составитель Ю, Розенталь Редактор Л. Утехина Техред Т. Курилко Корректоры: Е. Давыдкина и А. НиколаеваЗаказ 1980/2 Изд.497 Тираж 57 б ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 382244

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Тимофеев

МПК: H04N 5/335

Метки: изображений, однострочный, тонкопленочный, фотоэлектрический

...торцы пластин, противоположные торцам с фоточувствительными элементами, нанесено токопроводящее покрытие.На фиг. 1 показан предлагаемый фотоэлектрический преобразователь; на фиг. 2 - его эквивалентная электрическая схема.Однострочный фотоэлектрический преобразователь содержит диэлектрическую подложку 1, выполненную из отдельных стеклянныхастин 2 - 5, собранных в общий пакет, На ин из торцов каждой пластины нанесено пленочное покрытие 6 - 10 из фоточувствительного материала, на противоположные торцы каждой из пластин нанесены токопроводящие полости (на фиг. 1 не показаны), служа. щие для соединения элементов преобразователя между собой. На одну из боковых сторон 11 каждой пластины нанесены коммутирующие элементы 12 с соответствующими...

Номер патента: 422047

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Изобретени, Косаревич, Кураева, Лабунов

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...окисла посравнению с теплотой образования окисногослоя диэлектрика. В результате реакциивблизи к А 1 образуется слой А 1,0 и слой чистого бе вблизи беО. Свободный германийГ 5 диффундирует вглубь диэлектрического слоя,образуя проводящие каналы, что в сильноймере снижает электрическую прочность конденсатора.Кроме того, технология получения извест 20 ных тонкопленочных конденсаторов усложнена тем, что для создания контактных площадок и нижней обкладки используют разныемаски, Это увеличизает затраты на изготовление масок и время технологического цикла25 изготовления конденсатороз.Цель изобретения - повышение электрической прочности, надежности и долговечноститонкопленочного конденсатора,Это достигается тем, что в предложенномз 0...

Номер патента: 476614

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Красов, Ласкорин, Марин, Никитенко, Смирнов, Хромов

МПК: H01G 3/06

Метки: емкости, конденсатор, постоянной, тонкопленочный

...ме ма. 20 Изобретение относится к радиотехнике иможет быть использовано в микроэлектронике при производстве тонкопленочных гибридных микросхем.Известен тонкопленочный конденсатор постоянной емкости, выполненный на основе системы металл-диэлектрик-металл с диэлектриком из соединения редкоземельного металла.Основными недостатками известного тонкопленочного конденсатора постояиной емкостиявляются невысокая максимальная удельнаяемкость (С,п=50 - :70 тыс. пф/смз) и сравнительно низкая электрическая прочность(Епр= (1 - :2) 10 в/см),Цель изобретения - повышение удельнойемкости и электрическои прочности,Поставленная цель достигается тем, что вкачестве соединения редкоземельного металла для диэлектрика использован скандиатредкоземельного металла,...

Номер патента: 479163

Опубликовано: 30.07.1975

Автор: Мельниченко

МПК: H01G 2/20, H01G 4/06

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...к25 нижней обкладки, выполки с образованием воздуобкладкой и подложкой. нсатор,жке верхами, яи одностем, чтопрочноа в местрая диэнепа в вшного з(54) ТОНКОПЛЕНОЧН Изобретение относится к области микроэлектроники и предназначено для использования в тонкопленочных гибридных и в совмещенных интегральных схемах.Известен тонкопленочный конденсатор, содержащий расположенные на подложке верхнюю и нижнюю обкладки с выводами, являющимися продолжением оокладок, и однослойный диэлектрик.Недостатком известного устройства является возможность электрического пробоя в месте перехода вывода над краем нижней обкладки.Цель изобретения - увеличение электрической прочности конденсатора.Это достигается тем, что верхняя обкладка в месте перехода ее в...

Номер патента: 483704

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Вергер, Карл-Хайнц

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: записи, информации, магнитный, накопитель, тонкопленочный

...импульсы 26 и 27 па шинах 8 и 23 снимаются, например, с источника тактовых импульсов (на фиг. 1 не показан) накопителя на тонких пленках, Управляющий импульс 28 получается прн записи едпничной информации из усилителя считывания и внешней информации из регистра записи (на фиг. 1 не показаны). Усилитель считывания связан с шиной 24, а регистр записи - с шиной 25 схемы ИЛИ 17. Если отсутствует управляющий импульс 28, то в соответствующую ячейку накопителя на тонких пленках записывается нулевая информация,Рассмотрим более подробно работу устройства в соответствии с временными диаграммами, показанными на фиг, 2.Управляющий импульс 27 на шине 23 включает транзистор 18, переводит этим стабилитрон 16 в проводящее состояние, благодаря чему...

Номер патента: 483985

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Марченко, Тютюнников

МПК: B01D 3/30

Метки: аппарат, дистилляции, испарения, процессов, роторный, тонкопленочный

...в предлагаемом аппарате секции корпуса выполнены в виде коцусов, увеличивающихся в диаметрах по высоте, и каждое нижнее основание вышерасположеццого конуса меньше верхнего основания цижерасположенцого конуса, Нижнее основание каждого конуса может быть расположено внутри шжсрасположеццого конуса,жит корпус 1 наоранныи цзодна под другой секций с греми 2. Секции корпуса выполусов, увеличивающихся в диате. На размещенном по цецторе 3 внутри каждой секции рызгиваюгцие 4 и перераспрестройства. Разбрызгивающие т быть выполнены, например, отбортовкой. Вал ротора враодшипниках 6 и 7,действием силы тяжести и интенсивно испаряется,На интенсификацию процесса теплообмена большое влияние оказывает эффект удара жидкости о теплоотдающую...

Номер патента: 500773

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Дитрих, Карл-Хайнц, Манфред, Ульрих, Херманн

МПК: H01G 3/13

Метки: конденсатор, многослойный, тонкопленочный

...Выч воды устанавливают на таком расстоянии вайян от другого, которое соответствует вели1 чине сетки печатной схемы. 5Определенная глубина проникновения подсоединительных проводов (выводов) обеспечивается тем, что оба подсоединительньЫ вывода 6 с одной стороны вплавлены в термопластичную покрывающую пленку 5, ко- щ торая обладает меньшей термической крат. ковременной стойкостью, чем изопируюша пленКа Х на другой стороне койденсатора. Небольшая термическая кратковременная стойкость основывается на том, что материал 5 пленки 5 имеет более низкую температуру плавления, чем материал другой покрывающей( пленки.Это достигается тем, что пленка 5 .состоит из полиэтилентерефталата, а другая 20 иэ полисульфона.Особенно надежные механическое и...

Номер патента: 512772

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Марченко, Плавник

МПК: B01D 3/28

Метки: аппарат, массообменный, тонкопленочный

...относительно оси ротора вблизи внутренней поверхности пденкообразуюшего элемента, а их оси параллельно образующейпленкообразуюшего элемента.Такое конструктивное выполнение аппарата позволяет эффективно проводить процесс массообмена в тонкой пленке с болееполной степенью превращения веществ, атакже улучшает процесс теплообмена.На фиг. 1 изображен тонкопленочныймассообменный аппарат, на фиг., 2 - разрез по А-А на фиг, 1.Аппарат содержит корпус 1 с рубашкой2, вал 3 ротора с закрепленными на нвмрадиальными лопатками 4 и распределитель-,ным диском 5, Ротор снабжен пленкообра -зуюшим элементом 6, выполненным в видеусе:енного конуса, имеющего на наружнойповерхности радиальные лопатки 7, и отбойным усеченным конусом 8. Распределительный...

Номер патента: 601013

Опубликовано: 05.04.1978

Автор: Витер

МПК: B01D 1/22

Метки: аппарат, вакуум, выпарной, тонкопленочный, центробежный

...разрсз.Внутр 1 ГсрмстпчпоГО 1 Орус 1 ппртата ) з:тещ 2 п рот)р - , сост 5) пп 1 НЗ тс.Гт)/)б) мен- :1 ЫХ Э ОСНТС/.т ".), С брЗ 1 ттт./ЫХ КОтст К МН стенками 4 и ). Прп этом внутренняя кони/еСКаЯ СтЕНКа Снабжепа КОЛЬЦСГ/Ь/МИ ГО)РМП И ППЕ:ПЗП 2 ЧС:1 Л" тС) Птт:1 С Л, 2 Н)т)тттКя - . раЛ 21/П 1 Ы1 ГО)рЗ/1 П Пр".Л)З 1 тСН 2 ДЛЯ РаЗЛЕЛЕНПЯ ЗОН ГРСЮЩСГО и ЬТОРП т НОГО и- ров, 13 сршп/1 ГО,)р см :1 т.х стспо"., Оп пк 1.СОТС 5 МСК. СОО/т . :т 1 С.:Я 51 П. /ОСТЬ СПЛОООтС;Пт)ГО : тстЕтттг ОСПЗ 1 тстт;) иП - 10 тт, Гт ППт.;,;тт. 1;ттт 602 тнтттт:т т ./0 полоз ГГ)е 0 це 0 пап. 1,)льцсвстс Г )т); тр: ствс) з 1 с;кду соссдппзи тсплййбмсппы) и эл".,сп. ТакП Г 1)СЛПЗП 2/ПО ЛЛЯ П/РОХО.11 КП:1 СП ) Р 1 тт, ттО)П ;тЛКО ТП П ВТОР 1 тт 10 Й 11)1...

Номер патента: 627530

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Буравихин, Горовой, Казаков, Ушаков

МПК: G11B 11/02

Метки: записи, информации, носитель, тонкопленочный, ферромагнитный

...при сравнительно низкой температуре нагрева (600 о700 С), приводит к резкому изменению магнитных и электрических свэйств носителя. Используют полученные термичес ким испарителем в вакууме тэнкэпленоч ные носители иэ железоникелевых сплавэв с ОПК решеткой. НэсителиГе-И с ОПК структурэй эбладают высокой намагниченнэстью насыщения, Послеоэтжига до 600-700 С в них осуществляется мартенситный ОПКфГПК фаээвый перехэд. В тонкопленочных носи телях высэкэтемпературная ГПК фаза соЗаказ 5634/50 Тираж 717 П одписноеЦНИИПИ Государственного кэмитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 храняется при охлаждении до кэмнатной температуры. П осле...

Номер патента: 685299

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Витер, Марченко, Тютюнников

МПК: B01D 1/22

Метки: испаритель, роторный, тонкопленочный

...цель достигается тем, чтошарнирно-закрепленные лопатки, концыкоторых изогнуты по дуге, изогнуты повинтовой линии и кромки их прилегаютк поверхности теплообмена,На фиг. 1 изображен предлагаемыйаппарат в продольном разрезе; на фиг.2 - разрез по А-А фиг, 1,Внутри герметичного корпуса 1 сгреющей рубашкой 2 размещен ротор 3с подвижно закрепленными на нем лопатками 4. Конец лопатки 4, прилегающийк поверхности теплообмена в сечении,перпендикулярном оси аппарата, изогнутв виде дуги 5 и направлен навстречуи под улом к врашеиио ротора, ириэтом лопатки прилегают к поверхностипило.;б ,и по уьь;", оой ":,;,:пикг,и". се аппарата имеется штуцер 0 для ьодачи исходной жидкости, ьцтуцер 7 для и вода концентрата, штуцер с для ыхода вторичного...

Номер патента: 638130

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Гудзенко, Осадчев, Теричев, Тищенко

МПК: G01B 9/02

Метки: интерферометр, тонкопленочный

...опорного и сигнадьн го пучков на выходе интерферометра. Издученный в поддожку дифрагировайший на бегущей акустической поверхностной водне сигнальный пучок имеет частоту ИфУ что дает возможность осушествдения гетеродинной обработки исследуемого сигнада, несущего информацию об изменении разности фаз сигнадьного и опорного пучков, по которой и судят Об изменениях температуры припегаюшей к несушему слою среды, о величине слабых потоков энергии, падающей на несущий слой, о показателе преломления жидксстей и газов, обтекающих несуший слой. Формул а изобр ет ения Тонкопленочный интерферометр ддя оптического и субмилдиметрового диапазона волн, содержаший подложку из пьезоэдектрика с расположенным на ней тонкопденочным диэлектрическим водноводом...

Номер патента: 772562

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Короневский, Люперсольская, Маковкина, Шляпников

МПК: B01D 3/30

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...роторный аппарат состоит из вертикальной цилиндрической колонны 1 с обогревающей рубашкой 2. В верхней части колонны имеется камера-сепаратор 3, в нижней - камера-сборник 4.В колонне размещен ротор 5, представляющий собой вал с лопастями, В верхней части ротора 5 закреплен распределитель 6 жидкости, представляющий собой лопасти,772562 Формула изобретения Б Фиг 2 гз тавитель А. Миронед К. Шуфрич809 Со ич Техр Тираж ПИ Государстве делам изобрет Москва, Ж - 35,П Патент, г.вКорректор М. КостПодписноеССР едактор А. Долинаказ 6775/3ВНИИпо113035,филиал ПП нного комитета С ений и открытии Раушская наб.,Ужгород, ул. Прс каналами 7 и пазами 8 для стекания жидкости на стенку колонны, соединенные кольцевым каналом 9,Колонна снабжена...

Номер патента: 809411

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Беляков, Головин, Смирнов, Юсипов

МПК: H01C 7/06

Метки: резистор, тонкопленочный

...фиа,1 Эта цель достигается тем, что в тонкопленочном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, кромка вывода, граничащая с расширенным концом выполнена в виде дуги эллипса большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. Кроме того, расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение.На фиг. 1 изображен пленочный резистор, общий вид; на фиг. 2 - вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А.Тонкопленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, нанесенный на ее поверхность пленочный .резистивный элемент 2, пленочные выводы 3 с расширенными концами 4 резистивного элемента, кромка...

Номер патента: 879664

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Лабунов, Можухов, Сокол, Уваров

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсатор, неполярный, тонкопленочный, трехуровневый

...сквозное пористое анодное окисление слоя А 1, окисляя всю его толщину в участках, незащищенных фоторезистом и плотным анодным диэлектриком А 0 5, При этом формируется часть вспомогательного пористого анодного диэлектрика А 0 7, окружающего по периметру трехуровневую структуру. После этого, не снимая второй фоторезистивной маски, проводят еще одно электролитическое анодное окисление незащищенных участков, но уже в электролие для плотного анодирования, При этом происходит формирование слоев плотного анодного диэлектрика,13 за счет бокового анодного окисления А торцов нижнего электрода 2 и его контактной площадки 8, примыкающих к вспомогательному пористому анодному диэлектрику 7, и частичного заполнения пор элементарных ячеек пористого...