Способ изготовления вентильных элементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И- А"Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваМПК Н 01 г 100 45562/26-2 Заявлено 06.Ч 1.1968 (Лов с присоединением заявки ПриоритетОпубликовано 11,111.1971. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 621,314,632.4:621. .791,35 (088,8) летень10 Дата опубликования описания 13.Ч.19 Авторыизобрете В, М. Рюмшин, Д. П, Ловцов, Т. К. Горохова, Т, А1 О. И, Козлов, А. Н, Думаневич, Л, А, Ильина и Е, А. бнин енго аявите ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЕНТИЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТО редмет изобретени Изобретение относится к области изготовления силовых полупроводниковых приборов, а именно вентильных элементов.Для известных силовых полупроводниковых приборов на основе кремния вентильные эле менты изготовляют пайкой полупроводниковых структур и термокомпенсаторов оловянными сплавами с применением активных кислотных флюсов.Применение флюса нежелательно, а в 10 большинстве случаев недопустимо, предпочтительно процесс пайки вести в защитной атмосфере (водород, азот, аргон и т. п.).В получаемых паяных швах обнаруживается большое количество пор и лысин, умень шающих эффективную площадь спая, неравномерное распределение их приводит к локальной концентрации напряжений и растрескиванию кремния из-за того, что окисные пленки, имеющиеся на мягких припоях, не диссоции руют и не удаляются из паяного шва при температуре пайки.С целью получения качественных соединений выпрямительных структур с термокомпенсаторами, в верхнем и нижнем вольфраме 25 (%) сделаны отверстия, в которые закладывают навеску припоя (в виде таблетки), Размер отверстия зависит от плошади спая и устанавливается для каждого типа прибора экспериментально. 30 На чертеже показано выполнение соединеия. При такои конструкции паяного соединения после расплавления припоя окисная пленка разрывается, и припой под действием капиллярных сил поступает в зазор свободным от окислов. Паяное соединение в этом случае формируется в благоприятных энергетических условиях, т. е. припой от центра растекается в сторону более нагретых периферийных участков, причем использование флюсов исключается.При таком способе пайки получаются беспористые паяные соединения с постоянной площадью спая. Пайка верхнего и нижнего вольфрама производится в два этапа. Способ изготовления вентильных элементов, содержащий пайку полупроводниковой структуры и, например, термокомпенсаторов мягкими припоями, отличающийся тем, что, с целью повышения качества получаемых паяных соединений, термокомпенсатор выполняют с центральным отверстием, размер которого определяется площадью спая, и в отверстие закладывают навеску припоя, например, в виде шарика.Составитель Б. Попов едактор Лопотко Техред Е. Борисова Корректор Н. Рождественскапунова, 2 ипограф аказ 1238/3 Изд. Мо 547 Тирахс 473НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 45 Подписное нпстров СССР
СмотретьЗаявка
1245562
В. М. Рюмшин, Д. П. Ловцов, Т. К. Горохова, Т. А. Лубнина, Ю. И. Козлов, А. Н. Думаневич, Л. А. И. пьина, Е. А. ихтенгольц
МПК / Метки
МПК: H01L 23/10
Метки: вентильных, элементов
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-253934-sposob-izgotovleniya-ventilnykh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления вентильных элементов</a>
Способ пайки нахлесточного соединения наружного и внутреннего элементов
Номер патента: 1648698
Опубликовано: 15.05.1991
Автор: Чертыковцев
МПК: B23K 31/02
Метки: внутреннего, наружного, нахлесточного, пайки, соединения, элементов
...или одновременной навивкой на оправку обеспечивает качественное сопряжение паяемых поверхностей. Фиксирование концов спиральных элементов на оправке обеспечивает при нагреве и охлаждении надежное поджатие паяемых элементов оправкой. В совокупности указанные операции приводят к повышению качества спирального паяного соединения.П р и м е р. На оправку 3 из сплава МЛ 2 на основе магния или сплава марганца с медью и никелем с составом, вес, ф Мп 75,2; Со 9,5:М 15,3, имеющими коэффициенты термического расширения 27,3,10 1/С и 29,100 1/0 С соответственно, навивали внутренний спиральный элемент 1 из меди и трубчатый наружный спиральный элемент 2 из алюминия с коэффициентом термического расширения 23,8.10 1/0 С. Между элементами 2 и...
Устройство для определения ориентации полупроводниковых элементов
Номер патента: 388377
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H05K 13/08
Метки: ориентации, полупроводниковых, элементов
...2 импульсов, дешифратора 8, контактного узла и,проверяемого элемента 4 и схем б совпадения. Генератор 1 представляет собой симметричный мультивибратор. Счетчик 2 импульсовсостоит,из трех триггеров, выходы которыхсоединены с входом дешифратора 3. С дешиф 5 ратора выдается необходимое число импульсов, соответствуБщее количеству опрашиваемых пар контактов ориентируемого полупроводникового элемента 4, которые проходят наодну из схем 5 совпадения непосредственно и10 через проверяемый прибор,При совпадении импульсов, прошедшихчерез, проводящий канал проверяемого полупроводникового элемента на соответствующуюсхему И непосредственно от дешифратора,15 выдается команда о положении полупроводникового элемента. Для пояснения работыустройства...
Устройство для защиты от перегрузки двухпроводных цепей полупроводниковых элементов
Номер патента: 489368
Опубликовано: 25.10.1975
Автор: Якоб
МПК: H02H 3/08
Метки: двухпроводных, защиты, перегрузки, полупроводниковых, цепей, элементов
...1, 2 и выходные 3, 4 зажимы устройства предназначены для под соединения соответственно источника питания и нагрузки (на чертеже не шэказаны).В сотельным проводом 12. В результате это- го основной ток проходит не через магнитную катушку, а через транзистор 10.В устройстве, показанном на фиг. 1, конец резистора 8, подключенный к кон тактам 6, соединен через диод 13 с основанием транзистора 10, а в устройстве, показанном на фиг. 2, вместо диода 13 включен транзистор. 14 с резисторами 15 и 16 в цепи его базы. 10Устройство работает следующим образом.По мере увеличения тока потребления напряжение на резисторе 8 возрастает и при достижении пробивного напряжения дио да 13 (см, фиг, 1) последний открывается и запирает транзистор 10. В...
Способ определения параметров полупроводниковых элементов
Номер патента: 1355952
Опубликовано: 30.11.1987
Автор: Орлов
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, полупроводниковых, элементов
...в масштабе графики Г = Ч (1); Г = ч (1), и оба графика, совмещают. Точка пересечения обоих графиков определяет резонансную частоту Г . Краевую емкость С внутреннего проводника 7 измерительного коаксиального резонатора 1 определяют по формуле3о у х2.,1 зогде Е, - волновое сопротивление измерительного коаксиальногорезонатора 1, Измерение суммарной емкости С проводят при выбранном обратном напряжении на переходе. 35Затем полупроводниковый элемент 6 подключают к входу измерительного коаксиального резонатора 1, при этом коллекторный или эмиттерный вывоД СВЧ-транзистора соединяют с внутренним проводником 7, а вывод базы - с внешним проводником 8 и на переходе полупроводникового элемента 6 устанавливают рабочее обратное напряжение....
Устройство для соединения листовых материалов, например, прорезиненных тканей
Номер патента: 525557
Опубликовано: 25.08.1976
Авторы: Богатков, Булатов, Ведерников, Глобин, Коломиец
МПК: B29C 65/72, B29D 9/00
Метки: листовых, например, прорезиненных, соединения, тканей
...пружиной 9, взаимодействующий с заслонками 7,передвигаюшийся по направляющим коллектор 10 охватьг-ваюший плиту 3 и шарнирно связанный сней, Плита 3 имеет перегородку 11, которая установлена в ее полости параллельно рперфорированной, рабочей поверхности.Для фиксации плиты 3 в рабочем положении она снабжена механизмом фиксации,имеющим фиксатор 12, посредством шарнирно соединенного рычага 13 связанный рЬс рукояткой 14, закрепленной на колдекторе 10 и подпружиненной относительно пос-леднего пружиной 15,Устройство рабогает следующим образом,Ог раскагочного устройства на сгод 1 пода ется заготовка заданной длины. Поддежа )цая соединению поверхность промазываегся клеем. Затем при включении привода 4 пли- йа опускается в нижнее положение и после...
Предыдущий патент: Способ изготовления полупроводниковогоприбора
Следующий патент: Лучевой прибор м-типа
Случайный патент: Ультразвуковой измеритель толщины