Способ получения полупроводникового прибора

256083 Сокга Советских Социалистических РеслубликЗависимое от авт. свидетельствал, 21 а, 11/ 32258/26-25) аявлено 10.1.19 оединением заявкиЯПК Н 0 риоритетпубликовано 04,Х 1.1969. Бюллетень34ата опубликования описания 7.1 Ч.1970 Комитет ло делам зобретеиий и открыти лри Совете Мииистров СССР,иСЖо Авторыизобретения В, И, Магаляс, О. Д, Кнаб и В, А. Смирнов явител ЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ОС ленных известным споодниковой пластины наатем пластинку покрыуокисп кремния (химиение, силанирование). я диффузия.можно рассмотреть пои одновременно металсенида галлия и-типа с1 - 2 10 т 1/слР,подготоолупров узант, 3 лоем двнапыловодитс римера ерехода инки ар теллур На одну из собом сторон п пыляется дифф вают тонким с ческий способ После этого прВ качестве п лучение р - и-плизации пласт концентрацией Изобретение относится к электронной промышленности и может быть применено на предприятиях и в организациях, разрабатывающих.и выпускающих источники когерентно го и некогерентного излучения на основе ин. 5 терметаллических и других соединений.Известен способ получения полупроводникового прибора созданием плоского р - и-перехода диффузией,примеси в пластину полупроводникового м атери ал а с последующей 10 металлизацией.Этот способ заключается в следующем.Пластину из полупроводникового материала шлифуют до нужной толщины, а одну сторону ее полируют. Тщательно подготавливают квар цевую ампулу, в которую помещают полупроводниковую пластинку и диффузант. Для сохранения стехиометрии добавляют один из летучих компонентов материала (мышьяк в слу. чае арсенида галлия), Ампулу откачивают до 20 давления порядка 10 о мм рт. ст., запаивают, помещают в специальную печь и приводят диффузию из газовой фазы, Так как диффузия проходит в пластинке одинаково со всех сторон, то одна из ее сторон обязательно сошли фовывается, что влечет за собой дополнительный р асход дорогостоящего м атер и ал а. Пл астину с р - и-переходом помещают в напылительную установку, на р- и и-области напыляют и вжигают соответствующие контакты. 30 Известный способ требует применения большого количества сложных установок, значительной затраты времени и привлечения ряда кв алифици ров анных специалистов. Кроме того, изготовление диодов этим способом сопровождается дополнительными расходами вспомогательных и основных материалов (кварц, полупроводниковые материалы и др.).Предлагаемый способ позволяет значительно сократить время, число операций, коли ество сложных технологических установок, обслуживающий персонал и дорогостоящие материалы. Он отличается от известного тем, что, с целью одновременного создания р - и-перехода и металлизации, на одну из сторон пластины напыляют диффузант, а на противоположную сторону - материал контакта с последующим покрытием пластины с обеих сторон пленкой двуокиси кремния.256083 Составитель М. ЛепешкииаТехред А, А, Камышникова Корректор Л, В, Юшина Редактор В, Дибобес Заказ 661/12 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министоов СО;Р Москва Ж, Раущская наб., д. 4/б Типография, пр, Сапунова, 2 На полированную сторону ориентированной пластинки из арсенида галлия напыляется в качестве диффузанта цинк, на противоположную сторону - индий. После этого пластинка помещается в установку для силанирования и покрывается пленкой ЯОа из газовой фазы в потоке инертного газа, Затем проводится диффузия. Причем, в отличие от известного способа (диффузия из газовой фазы в кварцевой ампуле), в данном случае технологические условия при проведении диффузии чище, так как кварцевая пленка, полученная в результате силанирования, химически более чистая, чем кварцевое стекло, из которого изготовляется ампул а,После проведения диффузии пластинка извлекается из установки. В плавиковой кислоте растворяется пленка ЯО и пластинка готова для изготовления диодовпричем с одной стороны она имеет металлизованный слой, образованный оставшимся на поверхности цинком, а с другой - индием. Полученные металлизованные поверхности пластинки легко поддаются лужению обычным паяльником.Так как пластинка и диффузант окружены оболочкой из ЯО, то стехиометрия основного полупроводникового материала не,нарушается;а это исключает необходимость применениянавесок мышьяка. Полученный р - и-переходне уступает по качеству известным и обладает5 характерной вольт-амперной характеристикой,Изменяя режим диффузии, температуру ивремя, можно легко изменять ширину р - а-перехода и глубину его залегания.Так, полученные предлагаемым способом10 р - п-переходы в зависимости от режимовдиффузии,находились на глубине от 2 до50 мк. Ширина р - п-перехода, определеннаяпо его емкости, лежала в пределах 0,05 -0,7 мк.Предмет изобретенияСпособ получения полупроводникового прибора, путем создания р - ттнперехода диффузией,примеси в,пластину полупроводникового ма 20 териала и металлизации, отличающийся тем,что, с целью одновременного создания р - ггперехода и металлизации, на одну из сторонпластины напыляют диффузант, а на противоположную сторону - материал контакта, с25 последующим покрытием, пластины с обеихсторон пленкой двуокиси кремния,