Транзистор для схем с автоматической регулировкой усиления

О П И С А Н И Е 256084ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЯЬСТВУ Союз Советских Социалистических Ресоубликвисимое от авт. свидетельства1102 10 Х 1,1967 ( 1167032/26-25) вл присоединением заявки1 рпоритетОпубликовано 04,Х 1,1969. Бюллетень34Дата опубликования описания 19.111.1970 Комитет ло делам зобретеиий и открытийМПК Н 011ДК 621 382 2 (О ри Совете Минист СССРРАНЗИСТОР ДЛЯ СХЕМ С АВТОМАТИЧЕС РЕГУЛИРОВКОЙ УСИЛЕНИЯ иборов, выполненн ный предел работы по меза-технологии;б) неооходпм остьоборудовании для со 5 соединения выводовся общим для всех по меза-технологии, их себестоимость). ом прецизионном лектродов и придостаток являетов, выполненных еделяет высокую в сложнздания(этот нприборчто опр Однако существе них: а) уме ничено в дов, что, Предлагаемое изобретение относится к электронной технике, в частности к производству высокочастотных транзисторов, предназначенных для схем, охваченных цепями АРУ (автоматической регулировки усиления). Такие транзисторы характеризуются спадом усиления на высокой частоте при увеличении тока эмиттера. Подобная зависимость имеет место при соизмеримости концентраций подвижных носителей и легирующей примеси в коллекторном переходе.Уже существующие транзисторы, применяемые в схемах с автоматической регулировкой усиления (например, транзистор А), изготовляют по меза-технологии с напылением электродов эмиттера и базы. В этом случае указанной соизмеримости концентрации по.т, - вижных носителей и легирующей примеси достигают непосредственным изготовлением эмиттера малой площади напылением через маску, что позволяет увеличить плотность эмиттерного тока и уменьшить емкость эмиттерного перехода. меза-технология обладает весьмаными недостатками. Основные из ньшение площади электродов ограозможностью присоединения вывов свою очередь, ограничивает частот 10 Пред,чагаемый транзистор выполнен в видесплавно-диффузионной структуры, позволяющеп использовать дешевую сплавно-диффузионную технологию вместо применяемой меза-технологии. Он отличается тем, что, с 15 целью получения характеристик АРУ п улучшения электрических характеристик, между базовым слоем и эмпттерным электродом оставлен кольцевой зазор, значительно уменьшающий активную площадь эмпттера, Кол лектор выполнен пз высокоомного материалас удельным сопротивлением не менее 1 о,п с,и, что дает возможность получить приведенное выше отношение между концентрациями подвижных носителей и примеси в коллекторном 25 переходе, а это в свою очередь и определяетвозможность раооты транзистораАРУ.ет Кроме того, указанная структура позволя выполнять транзисторы с АРУ на базе пр стой сплавно-диффузионной технологии пр2 М 084 Составитель М. ЛепешкинаРедактор Б. Б. Федотов Техред Т, П. Курилко Корректор Р. И, Крючкова Заказ 577/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 условии сохранения небольших значений сопротивления базы.Обязательным условием, обеспечивающим указанную соизмеримость концентраций носителей и примеси, является применение высокоомной полупроводниковой основы,На чертеже показан предлагаемый транзистор. Он содержит выводы 1 эмиттера и базы, электрод 2 эмиттера, оставшуюся после удаления часть рекристаллизованного слоя (эмиттерного перехода) 3 эмиттера, удаленную часть рекристаллизованного слоя 4 эмиттера (кольцевую канавку), область пассивной базы б, область активной базы б, область коллектора 7.Как видно из чертежа, сохранение области базы неизменной обеспечивает возможность выполнения надежного базового вывода при малых значениях сопротивления базового слоя.Неизменность размеров эмиттерного электрода обеспечивает надежность присоединения эмиттерного вывода 1, независимо от площади эмиттерного перехода 3, Тем самым и устраняется указанный недостаток известных транзисторов, выполненных .по меза-технологии.На чертеже представлена также структура предлагаемого транзистора. Основой служит высокоомная полупроводниковая пластина, часть которой показана в виде коллекторной области 7. Удельное сопротивление при этом на порядок больше удельного сопротивления пластин, обычно применяемых при производстве сплавно-диффузионных высокочастотных транзисторов, где его величина не превышает 1 ом см. После создания сплавно-диффузион ной структуры и присоединения выводов (прибольшой площади эмиттерного электрода и базовой области) уменьшают активную область эмиттера при неизменной структуре базы. Такое уменьшение может быть достиг нуто, например, избирательным травлением,Сплавно-диффузионная технология обеспечивает надежные контакты и высокочастотные свойства приборов, а применение высокоомного коллектора и уменьшение площади 15 эмиттера при неизменной структуре базыобеспечивают спад усиления по высокой частоте, что позволяет применять транзистор в схемах АРУ. Изменяя площадь кольцевото зазора, можно получать транзисторы различ ных классов при неизменной первоначальнойзаготовке. Предмет изобретенияТранзистор для схем с автоматической ре гулировкой усиления, выполненный в видесплавно-диффузионной структуры, отличаюиийся тем, что, с целью получения характеристик АРУ при сохранении небольших значений сопротивления базы, между базовым 30 слоем и эмиттерным электродом выполнензазор, а коллектор изготовлен из полупроводникового материала с удельным сопротивлением не менее 1 ом см.