Полупроводникового прибора

Номер патента: 148200

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Радзиховский

МПК: A61B 3/12

Метки: глазного, дна, исследования, периферии, прибор

...параллельному направление пучка лучей, выходящих из исследуемого глаза. Такое устройство прибора позволяет производить офтальмоскопическое исследование крайней периферии глазного дна.На чертеже изображена схема предлагаемого прибора.Прибор состоит из оптичесиой части и металлической оправы, Оптическая часть имеет форму усеченного конуса 1, большее основание которого опирается на цилиндр. Со стороны меньшего основания в конусе отшлифовано сферическое углубление по форме глазного яблока 2На боковой поверхности усеченного конуса отшлифованы две плоские поверхности, расположенные друг против друга, под углом 60 к основанию цилиндра. Эти поверхности являются зеркалами и их целесообразно (но необязательно) покрывать серебряной...

Номер патента: 1117977

Опубликовано: 10.04.2005

Авторы: Малышев, Писклов, Рябошапко, Харламов

МПК: B65G 53/40

Метки: детонационной, импульсный, питатель, пневматической, подачи, порошковых, установке

1. Импульсный питатель для пневматической подачи порошковых материалов к детонационной установке, содержащий бункер и горизонтально установленные в нижней его части с зазором и соосно друг относительно друга газопровод, сообщенный с импульсером, и транспортный трубопровод, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов по длине и стабилизации режима подачи материала, транспортный трубопровод на участке, расположенном между бункером и детонационной установкой, выполнен с отверстием для сообщения с атмосферой.2. Импульсный питатель по п.1, отличающийся тем, что транспортный трубопровод снабжен воронкой, смонтированной на нем в месте выполнения отверстия и обращенной большим...

Номер патента: 381119

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/288

Метки: заготовок, полупроводниковых, приборов, припоя, сборки

...не восстанавливается при пайке в водороде (не диссоциирует в вакууме) и препятствует полной смачиваемости поверхности. Низкое качество контактов снижает надежность и циклостойкость приборов и повышает их тепловое сопротивление.Согласно предлагаемому способу, с поверхности прокатанной ленты или вырубленных заготовок удаляется пленка окислов химическим или механическим путем и наносится тонкий слой металла, окислы которого восстанавливаются водородом (например, слой никеля) или диссоциируют (например, слой серебра) при нагреве в процессе пайки до расплавления припоя. Нанесенный металл защищает припой от окисления, а в процессе пайки растворяется в припое. Толщина металлизации определяегся химическим составом припоя. Этот способ...

Номер патента: 1251213

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Полухин, Романовский

МПК: B23K 1/12, H01L 21/58

Метки: изготовлении, кристалла, пайки, полупроводникового, прибора

...пластины нанесением сетки рисок. Затем на слой металлизации наносят слой низкотемпературного припоя и разделяют пластину ломкой на отдельные кристаллы, после чего производят сборку кристаллов с кристалло.держателем и выводами и нагрев до температуры пайки.Толщина слоя припоя, наносимого на металлизационный слой, достаточна для образования паяных соединений без внесения дополнительных доз припоя.Пример. Пайка на кристаллодержатель кремниевых структур тиристора Т - -106 на токи 10 А с одновременной пайкой токовых выводов -- силового и управляющего - к кремниевой структуре.На пластину кремния с тиристорны ми элементами, сформированными в ее теле, осаждают никелевое покрытие и подвергают 30 гермообработке для формирования на всех ее...

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y