Высокочастотный туннельный диод

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...

Номер патента: 974234

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Смынтына

МПК: G01N 25/00

Метки: активных, заряженных, катализатора, концентрации, концентраций, поверхности, соотношения, центров

...при комнатной температуре после десорбции молекулярного кислорода;Д - электропроводность катализа"3тора, измеренная при комнатной температуре после десорбции атомарного кислорода,Экспериментально установлено, цто концентрация зарлженных активных центров на поверхности катализатора 25 определяется по йормупе1 о = (4)1 ж= :Но, Ь) где М,; в . концентрация междоузельныхатомов металла; Й Ж)- концентрация вакансий халькогена;. коэффициент, зависящий от свойств поверхности катализатора, определенный экспериментально-расчетным путем, например для катализатора типа селенида кадмия он ра" вен 1-1,2/1 И, 40 Согласно формулам ( 2 ), ( 3 ), ( 4 ),) соотношение между концентрациями заряженных активных центров на поверхности катализатора, например,...

Номер патента: 1563589

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Вильям, Джон

МПК: C01F 7/04

Метки: байера, гуматов, жидкостей, органических, примесей, процесса, суспензий, типа, удаления

...существенно не влияет на эффективность удаления гуматов.1 Таблица 2 20%-ный активный раствор в воде. ф Добавлен без дополнительного разбавления.П р и м е р 2, Обогащенный щелок, который получают из верхнего отстойника красного шлама, обрабатывают полидадмахом до фильтрации с целью удаления остаточных диспергированных частиц красного шлама. В щелок вводят полидадмах и фильтрующие средства. Для удаления гуматов используют раствор продукта полидадмаха (20% активного вещества) придозировке 18, 31 и 57 мг/л суспензии.Обрабатывающий агент полидадмахасначала разбавляют водой до конЧентраций 194, 224, 302 мг/л соответственно до подачи в щелок, Затем обогащенный щелок, содержащий полидадмах,фильтруют на фильтр-прессах, на которых имеется...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...