Высокочастотный туннельный диод
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 263044
Авторы: Константинов, Шапиро
Текст
Но Оы;-,:с, 0 и и СА-. ИЗОБРЕТЕН И 263044 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 22,1.1968 ( 1211972(26.25)с присоединением заявкиПриоритет омитет по дел ЪПК Н 018 обретений и открытий УДК 621,382.2 (088.8 вете Мннистро СССР ллетеньпубликовано 04,11,19 та опубликования описания 26 Х.197 Авторыизобретен,и. Константинов и В. И. Шапиро аявитель ЫСОКОЧАСТОТНЫИ ТУННЕЛЬНЫ И относится к производст приборов с стрицател етения П редм етВысокочастотный щий концентрацию вырожденных р и и отличающийся тем, его шумовых хара значении предельно примеси и-области примеси в р-област ти диод, имеюих примесей в 10 гв 10 зт ат(см, лью улучшения при неизменномконцентрация к концентрацииышает ее. туннельнь лети,рующ областях что, с це ктеристик и частотьблизка или прев Изобретение ву полупроводниковых ьным сопротивлением.Известны высокочастотные туннельные диоды, например, типа 1 И 102 КК 3.362.048 ТУ, у которых концентрация в р-сбла.ти р-и-перехода значительно презышает концентрацию носителей в и-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффициент шума.Цель настоящего изобретения - создание СВс 1-туннельного диода с уменьшенным коэффициентом шума.Сущность изобретения заключается в том, что при фиксированном значении приведенной/п 1 р т 2концентрации), гдеПр )и - концентрация донсрной примеси;р - концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций и и р изменяют таким образом, чтобы величина отрицательного сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и величина отрицательного сопротивления диода зависят от величины вы,рождения с и и р стороны, Так как зависимость от концентрации положения уровня Ферми для вырожденното материала и-типа более слабая, чем для материала р-типа, то, изготавливая туннельный диод с концентрацией и-примеси, равной концентрации р-при меси или превышающей ееможно уменьшитьотрицательное сопротивление диода и его,шумы, не меняя частотного предела диода.Высокочастотный туннельный диод представляет собой, полупроводниковый прибор с 10 концентрацией легирующих примесей 10 то -10 з атс,из, причем концентрация примеси в и-области близка к концентрации примеси в исходном материале р-типа или превышает ее.Такого соотношения концентраций достигаюг 15 применением предельно низких температурвплавления, при которых исходный полупроводник еще растворяется в электродном материале, и высоких скоростей охлаждения при получении туннельного р-и-перехода.
СмотретьЗаявка
1211972
П. Б. Константинов, В. И. Шапиро
МПК / Метки
МПК: H01L 29/88
Метки: высокочастотный, диод, туннельный
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-263044-vysokochastotnyjj-tunnelnyjj-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Высокочастотный туннельный диод</a>
Предыдущий патент: 263041
Следующий патент: Способ матирования поверхности кварца
Случайный патент: Устройство для периодической остановки шагового транспортера