Тонкопленочный полевой триод

О П-И-: АИ Е ИЗОБРЕТЕМ ЙЯ Союз Советских Социалистических Республиквисимое от авт, свидетельства153098/26-2 явлено 25.1 т.1967 присоедцнеьнем заявкиМПК Н 011 Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министров СССРпуоликовано ата опублцк Автор зобретеция витель ЪЙ ПОЛЕВОЙ ТРИ ТОН КОПЛ 2 Изооретепие от рам тоцкоплецочцо рые использу 1 отся вация и гецерировосится к активным прибомикроэлектроники, котодля усиления, преобразоация электрических сигцаИВВестен тонкоплецочу 1 ыЙ полевой транзистор, выполненный в виде тонкопленочной структуры металл - изолятор - полупроводник, причем в качестве полупроводника используют широкозонный полупроводник г-типа. В таком транзисторе ток стока растет с увеличением положительного напряжения ца затворе (относительно истока) и падает с уменьшением этого напряжения:. при отрицательном напряжении ца затворе.Осуществить инверсию проводимости приложением отрицательного напряжения к затвору практически невозможно, так как для этого необходимы электрические поля, превосходящие электрическую прочность изолятора.Целью изобретения является создание тонкопленочного полевого триода с ичверсной проводимостью на широкозонном полупроводнике при малых внешних электрических полях. Это достигастся тем, что тонкопленочный полевой триод выполнен в виде симметричной тонкопленочной структуры металл - изолятор - полупроводник - изолятор - металл, в которой толщина пленки полупроводника нс превосходит несобственную дебаевскую длину экраццрованця.акая конструкция обладает Ц-образОЙ воль гам перцой характеристикой с мцццъумоз Ока ца цзгп бах зон полупроводника, блцзких и нулю. Неоольшцс положительные и отриатслП 1 ые сОцсцця ца затвО- ре позволяот использовать прибор соответстве 11 но в режи.,ах электроНой ц дырочной проводимости.На фцг. 1 изображен предлагаемый тонко пленочный триод, разрез; ца фцг, 2 - зависимость цнд;ццрованноЙ поверхностцоЙ проводимости от внешнего электрического поля,Предложенцый триод состоит цз полупроводниковой пленки 1, слоев 2 изолятора, ме 1 б таллцческцх электродов затворов 3, элекприс;.кцх коцтактОВ 4 ц а ц цзолцрующеЙ подложки 6.Для Включецця тоцкоплс очного полевоготриода закорачцвают полеаыс электроды 3 ц 2 С подсоединяпот цх через батарею смещения кконтактам 4. Контакты 4 ц а через нагрузочцое сопротивление соединяют с источником постоянного напряукснця. Подавая сигнал перецапряжс 1:ця между истоког 25 затвором на цагрузочцое сопротцвлеш 1 е получают необходимый полезный сигнал.Прц толщине пленки полупроводника порядка цли меньше несобственцОЙ деоаеВскОЙ длины экранпрованпя поверхностная прово- ЗО димость триода мцПимальная прц внешних259283 г,ставптель О. федюкинасхред Т, П. Курилко Корр.ктор Л. В. Юш иктор оган Заказ 901, 5ЦНИИПИ Комитета Тираж 499 Подписно делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР Москва )К, Раушская паб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 полях, близких к нулю, независимо от степени легпровання полупроводника основными примесями (т. е. при любых 7,).При больших 7., что имеет место в широкозонных полупроводниках Сй 5 и СЙЬе, и толщинах полупроводника, значительно превосходящая длину Дебая Еминимум поверхностной проводимости и, следовательно, инверсия ее достигаются при очень больших внешних электрических полях, которые могут превосходить электрическую прочность изолятора.Таким образом в предлагаемом тонкопленочном полевом триоде обе ветви вольтамперной характеристики электронная и дырочная) достигаются прп достаточно малых электрических полях для любых значений Кривыс зависимости относительной поверхно/ Д(стной проводимостиот нормированного электрического поля Е, на поверхности пленки полупроводника показаны нафиг. 2.Кривая 7 соответсгвует 7. ) 10 и любымтолщинам полупроводника д, кривая 8 -5 7,1 и с 1 = 10-, кривая 9 - 7, ) 1 и д= 10 - 1,кривая 10 - 7, ) ехр 2 и (:. 1, кривая11 - 7 = ехр 2 и д = 10, кривая 12 - 7, = ехр 1и г =: 10, кривая И - 7, = ехр 10 и д =- 10. Предмет изобретения Тонкопленочный полевой триод с несколькими симметрично расположенными относи тельно полупроводника затворами, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью получения У -образной вольтамперной характеристики, пленка полупроводника по толщине не превосходит несобственную дебаевскую длину экраниро вания.