Способ изготовления полупроводниковогоприбора

О П ИМ.фЖфйЪГЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства М хл, 21 д, 11,0 аявлено 06 Х.11074403,26-26 с присоединением заявки Ъо ПК Н 01 риоритетпубликовацо 08 Х.1970. Бюллетень Ло 16ата опубликования описания 1.1 Х.1970 Комитет по делом изобретений и открытийУДК 621.382,002(08 ри Совете Минист СССРАвторизобретения М. Ткачен ский приборостроительный завод аявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУППРИБОРА ОВО получить ч чгццть сно этомцовремец блцзкоц к екторцого германии, сссутсгвцц лт плецкс тветств 1000 А.вплавляю40 - 800 Сводорода.500 С в1 янця цааццц неи разрез1 н эмцттер т ца цечн в течение холлекторечецце 2 - олученцую казывает. кристалла ного элект;уже известны способы повышения пробивных напряжений полупроводниковых прцбо. ров, например герм ациевых конверсионных транзисторов, путем создания структуры типа и - г - р на протяжении всего коллекторного перехода (приборы П 60-П 609 А ц 1 Т 321).С этой целью на кристаллы германия, обработанные в парах сурьмы в присутствии меди, со стороны эмиттера методом вакуумного испарения при вакууме - 10-4 игл рт. ст, и комнатной температуре подложки наносят пленку олова,При вплавлеции эмиттера медь под эмиттерным электродом экстрагируется в расплав, а вце эмиттера - в пленку олова, Полученный таким образом слой повышенного сопротивления обеспечивает достаточно высокие пробивные напряжения коллектор - база - У ,о,Описанный способ имеет существенный недостаток, заключающийся в длительном рассасывании импульса тока коллектора тр, так как при экстракции меди увеличивается время жизни неравновесных носителей в пассивной области базы. Геометрические размеры приборов П 60-П 609 А и 1 Т 321 обеспечивают довольно низкое значение т, соответствующее требованиям ТУ. Примененйе же данного способа в производстве приборов П 605-П 606 Л приводит к увеличению тр в 1,5 - 2 раза, что выходит за пределы требований ТУ. Предлагаемый способ позволяетвысокие пробцвгсые,напряжения иимпульсные свойства прибора. Согласпособу на поверхпссть германия од5 цо с оловом наносят до 10% никеляС целью создания структуры.и - г - р, на протяжении всего коллперехода ца поверхность кристалловобработанных в парах сурьмы в пр10 меди, с эмцттерной стороны наноссплава олово-ц;скель (М 1 до 10010).Технология цацесецссц пленки соет описанной выше. 15 Толщина пленки 200 -Эмцттерньш электрод дискретного хода прц 7 8 в 15 .цин в атмосфере цый сплав вплавллют прс 20 3 лггн, Существенного вл ранее структуру эта опер На чертеже цзоб раже германия после вплавлец рода. 25Прц вплавлеццц эмцттерцого электрода 1происходит экстракццн меди эмцттерцым сплавом п пленкой олова, г. е. удаляется примесь высокой растворимости и под и слоем 2 обра зуется слой 3 повышенного сопротивления.253933 Предмет изобретения Составитель М. Лепешкинаедактор Б. Федотов Техрсд 3. Н. Тараненко 1(орректор Н. А, Митрохина Тирах 480 сга по дспаги изобретений и открь:тий прп Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/Закан 2325 б ЦИИИПИ Коа Подписное еге Министров СССРппографпя, пр. Сап 1 нова Таким образом на протяжении всего коллекторного перехода образуется структура, близкая к гг - г - РПри удалении из германия меди увеличивается время жизни носителей тока, что приВОдит к ухудшению им 11 ульсных свойстВ транзистора - увеличивается тр. 11 о одновременно с экстракцией меди происходит диффузия никеля из сплава Ьп%. Обладая меньшей растворимостью в германии, по сравнению с медью, никель не вносит существенного вклада В электропроводность слоч повышенного сопротивления, однако, создавая дополР 1 ительпые уровни рекомбинации уменьшает время жизни носителей тока,При применении предлагаемого способа з производстве транзисторов П 605-П 606 А значения пробивных напряжениР 1 коллектор-база Ув повышаются в среднем с 50 - 55 до 70 - 95 в при достаточно низких значениях тр, с большим запасом удовлетворяющих требования ТУ. Кроме того, значительно повышается напряжение на коллекторе, при котором коэффициент усиления по току меньше единицы (а С 1), уменьшаются емкость коллектора С, и постоянная времени 2; а также значи тельно увеличивается мощность рассеива.НИ Я Р расс10 Способ изготовления полупроводниковогоприбора, например германиевого конверсионного транзистора, путем создания структуры типа и - г - р на протяжении всего коллекторного перехода нанесением на кристаллы 15 германия, обработанные в парах сурьмы вприсутствии меди, со стороны эмиттера пленки олова с последующим вплавлением эмиттерного электрода, отлииающиЛся тем, что, с целью получения высоких пробивных напря жений и улучшения импульсных свойств, одновременно с оловом на поверхность германия наносят никель в количестве до 10%.