Пашкуденко

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1545100

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Борщ, Желудков, Когут, Магден, Пашкуденко

МПК: G01K 7/01, G01K 7/22

Метки: датчик, медико-биологических, объектов, температуры

...локального химического травления сформировано кольцевое углубление шириной 1 й глубиной (Ь),где Ь - толщина жесткого центра мем браны, О - толщина дна кольцевогоуглубления,Размеры кольцевого углубления вы браны из соотношений 4рован) тонким слоем поликристалюического кремния 6 и соединен посредствомтонких (диаметр 0,04 мм) золотых илиалюминиевых контактных проводников 7с контактными выводами 3 на переходной плате 8, выполненной из фольгированиого гетинакса,Датчик работает следующим образом,При приведении датчика в тепловойконтакт с телом животного, имеющегоболее высокую температуру по сравнению с окружающей средой, нагреваютсявсе элементы его конструкции, параметры которых (в основном теплоемкость, масса н...

Номер патента: 1401266

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Бандура, Пашкуденко, Стринадко

МПК: G01B 11/02

Метки: интерференционный, пленок, толщины

...4/5Производственно.полиграфицеское предприятие, г. Ужгород, ул. Проектвая, 4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины пленок,Цель изобретения - повышение точности и расширение диапазона измерений путем использования рассеянного когерентного света для облучения измеряемой пленки. Способ осуществляется следующим образом.Измеряемую пленку облучают когерентным рассеяным светом перпендикулярно ее поверхности, с помощью микроинтерферометра регистрируют интерференционную картину, образованную светом, падающим перпендикулярно поверхности пленки и отраженным от ее наружной и внутренней поверхностей по перемещению интерференционной головки микроинтерферометра в направлении, перпендикулярном...

Номер патента: 1100588

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Викулин, Пашкуденко, Ройзин, Солошенко, Шевцов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: вольт-фарадных, характеристик

...к второму выходу генератора, а второй вход - к выходу усилителя, вход которого соединен с выходом моста переменного тока, снабжено блоком 65 обратной связи и блоком сопряжения,причем блок обратной связи выполненв виде последовательно соединенныхблока диФференцирования и блока выделения абсолютной величины, а блоксопряжения - в виде регулятора тока,блока оптоэлектронной связи и резистора, выход блока выделения абсолютной величины соединен с входом регулятора тока, выход которого подключенк первому входу блока оптоэлектроннойсвязи, выход которого подключен квходу генератора пилообразного напряжения через резистор, второй вход которого соединен с третьим выходом генератора пилообразного напряжения, авход блока дифференцирования...

Номер патента: 1002829

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Бандура, Моисеенко, Пашкуденко, Прохоров, Чирков

МПК: G01B 9/02

Метки: оптически, прозрачных, слоев, толщины

...наредуцированной плоскости 13, и для еенаблюдения необходимо переместить фокус объектива 2 от поверхности слоя11 на расстояние, равноес 1о щ еигде д - вертикальное перемещение объектива 2 от появления системы а интерференционных полосдо системы б, мкм;д - геометрическая толщина слоя,мкм;и - показатель преломления слоя.50 д =с 1 лгде д - вертикальное перемещение объ-.2ектива 2 от а до с систем полос мкмд - геометрическая толщина слоя, 55мкм;и - показатель преломления слоя,Решая систему уравнений из двухуказанных соотношений. толщину слоя На фиг. 1 изображена принципиаль 45ная схема устройства, реализующеГопредлагаемый способ; на фиг. 2 вид интерференционной картины, записанный на самописце в виде эгектрических сигналов,Способ...

Номер патента: 993042

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Викулин, Викулина, Пашкуденко, Чирков, Шапошников

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...противоположные плечи моста, используются в качестве термочувствительных 25элементов и устанавливаются на объекте, температуру которого необходимоизмерить. Остальнь 1 е два ( 2 и 4 полевых транзистора термостатируются.В измерительную диагональ моста вклю-зОчен вольтметр 5.При одинаковой температуре полевыхтранзисторов, включенных в одну и туже половину моста например, полевыетранзисторы 1 и 2), напряжение насредней точке между ними равно Ч, = -О 2где Е - напряжение источника питаниям,оста,При нагреве полевого транзистораего ток насыщения уменьшается (кри Овая "+Т" на фиг.2), что приводит кувеличению напряжения от Ч до +Ч; апри охлаждении ( кривая Т"" куменьшению до величины -Ч. Сравнительно небольшие изменения тока полевых транзисторов 1...

Номер патента: 739383

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Бандура, Пашкуденко, Прохоров

МПК: G01N 21/46

Метки: оптически, показателя, преломления, прозрачных, слоев

...показателя преломления30 вещества в слое.Недостатком известного способа измерейия показателя преломления является также. и относительно узкий интервал используемых толщин слоев (1-20 мкм).Цель изобретения - получение возможности определения показателя преломления оптически прозрачных слоев с неизвестной толщиной беэ их разрушения и увеличения40 пределов измерений.Поставленная цель достигается тем, что в отличие от известного способа, заключающегося в измерении сдвига между системами интерференционных полос, наблюдаемых в микроинтерферометре определяют при последовательном перемещении плоскости визирования по глубине слоя сдвиг от первой системы интерференционных полос, образованны при помощи пер 50 вой по ходу луча поверхностью слоя,...