Силовой полупроводниковый узел

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 5 Н 013 23/О ЕТЕНИЯ САНИЕ И ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Чен Д.П., Джексон Г. Повышение устойчивости"силовых транзисторов к вторично.му пробою при обратном смещении путемотключения по эмиттеру, - ТИИЭР, 1980, т.68, М 10, с. 212-213.(57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании силовыхтранзисторов. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия. Конструкция силового полупроводникового 1721667 А прибора содержит ступенчатую эмиттерную токоотводящую шину 4, прижимаемую усилием тарельчатых пружин 13 через изолятор 12 посредством прижимной шайбы 10, болтами 11 с регулировкой усилия прижима к эмиттерным областям структуры силового транзистора 2 через молибденовую маску 3, Шина 4 имеет боковое отверстие 7 для базового вывода б. На верхнюю ступень эмиттерной шины 4 припаяна .коллектором структуры управляющего низковольтного транзистора 5. На изоляторе 9 припаяны диодные структуры 8. Новым в конструкции силового полупроводникового прибора является выполнение токоотводящей эмиттерной шины силового транзистора в форме ступеньки, на верхнюю ступень которой напаян низковольтный быстродействующий транзистор, что позволяет разместить все элементы прибора в едином корпусе. 1 ил.1721667 Формула изобретения Составитель С, МанякинРедактор И. Дербак Техред М,Моргентал Корректор И. Муска Заказ 957 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании силовых транзисторов,Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия,На чертеже представлена конструкция силового полупроводникового узла.Узел содержит основание 1 с установленными на нем силовой транзисторной структурой 2, эмиттер которой соединен через молибденовую кольцевую шайбу 3 с медным электродом 4, на выступе которой закреплена низковольтная быстродействующая транзисторная структура 5, при этом соединяющая шина 6 базы силовой транзисторной структуры расположена в отверстии 7, выполненном в боковой части медного электрода 4, диодную цепь 8, закрепленную через изолятор 9 на внешней поверхности кольцевого упора 10, установленного с помощью болтов 11 через изолирующую шайбу 12 и пружину 13 на основании 1, при этом пружина 13 расположена между кольцевым упором 10 и изолирующей шайбой 12, установленной в проточке электрода 4.Используя в качестве обьекта серийно выпускаемые силовые транзисторные и диодные структуры типа ТК и ДЧ, установленн ы е в конструкции предлагаемого полупроводникового узла, где медный электрод 4 силовой транзисторной структуры 2 одновременно выполняет роль коллектор- ного токоотвода для структуры низковольтного быстродействующего транзистора 5, получают условие равенства прямого коллекторного и обратного базового токов( = = ь.обр) силовой транзисторной структуры 2 при его отключении по эмиттеру, и, как следствие, достигая максимальное быстродействие и надежность; Силовой полупроводниковый узел, содержащий основание с установленными на 5 нем силовой транзисторной структурой,низковольтной быстродействующей транзисторной структурой, диодной цепью и соединяющие токопроводящие шины, причем анод диодной цепи соединен с эмиттером 10 низковольтной быстродействующей транзисторной структуры, катод - с базой силовой транзисторной структуры, а эмиттер силовой транзисторной структуры соединен с коллектором низковольтной быстродейст вующей транзисторной структуры, о т л ич а ю щи й с я тем, что, с целью повышения надежности и быстродействия, введены молибдвнавая кольцевая шайба, одной стороной соединенная с эмиттером силовой 20 транзисторной структуры, а другой - с одной из токопроводящих шин, выполненной в виде медного электрода в форме перевернутого стакана с внешней кольцевой проточкой в верхней части, на выступе которой 25 закреплена низковольтная быстродействующая транзисторная структура, изолирующая шайба с пружиной, изолятор и кольцевой упор, установленный с помощью болтов на основании, при этом изолирую щая шайба установлена в проточке электрода, а пружина расположена между изолирующей шайбой и кольцевым упором, при этом соединяющая шина базы силовой полупроводниковой структуры располоке на в отверстии, выполненном в боковой части медного электрода, ее диодная цепь закреплена через изолятор на внешней поверхности кольцевого упора, а диаметр выступа электрода выбран равным диаметру 40 низковольтной быстродействующей транзисторной структуры,