Патенты с меткой «низкоомных»
Зажим для низкоомных (до 100 ом) без реактивных катушек сопротивления
Номер патента: 96600
Опубликовано: 01.01.1953
Авторы: Быков, Максимов, Устинов
МПК: H01C 1/14
Метки: до, зажим, катушек, низкоомных, ом, реактивных, сопротивления
...) и зажатый сГ 5 жны., болтом д.Предмет изобрете.ияЗажим Лля пизкоомных (до 1".( Г безреактивных кату(пек сопротивлеи 51, Выпоненпый НО тип) Оифил 51;":1 ьх заКимов с дв" мя П.1 ССХНЗ и КОПТЯ КТНЫМИ Н(ЕКЯМИ, МОКДУ КОТОРЫМИ ВСТЯВЛЯЮТСЯ ПЛОСКИЕ няконечпГк( присоединяемых прОВОДОВ, О т,1 Р 1 2 ю Р и Й с я тем, что,нс,110 Обсспеепи 5 Всзможности присоедипени 5 Г(роводов со стан ДЯРТПЫМ; ПЯКОПСЧНКЯ МИ И ПОГ(ШЕНИ 5 Н 2 ДЕЖПОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО контакта, мсжлу указанными некали, выполненными в Виде уголь- н 1 НО(н заКЯГ Гт)11 ьм винтом пакет из пяти пластин, из котовых средняя вНОлнепя из элсктйоизолянионного материала, соседние с ней - пз электропрсво (Ого материала и к нчм присоединены внутрен- НГе сслинн сольные прово;Гикн, я к 1 яйние име...
Переключатель для низкоомных декад безреактивного магазина сопротивлений
Номер патента: 96754
Опубликовано: 01.01.1954
МПК: H01C 10/46, H01C 10/50
Метки: безреактивного, декад, магазина, низкоомных, переключатель, сопротивлений
...проводник 1 б. Если началом цепи декады считать контакт 1 (при этом ток будет подводиться к декаде и уходпть из нее с левой стороны), то проводник 15 на правом краю декады должен быть соединен с правым концом полукольца 14, а на левом краю декады - выведен наружу (бпфилярно с проводником, подводящим ток к начальному контакту 1), Скользящая двойная контактная щетка 1 б, образующая контактный мостик, замыкает полукольцо 14 с тем или иным из контактов (на фиг. 1 с контактом б),Ток, поступая на начальный контакт декады 1 от точки А, проходит по бифилярным сопротивлениям декады до контакта б, на котором находится щетка. 1 б, переходит по ней96754 иг. 2 в, редактор И. Д, Тихомиров тандартгиз. Поди, в печ. 25/Хг. Объем 0,125 и. л. Тир....
Способ изготовления низкоомных электроугольных изделий
Номер патента: 141929
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Дымковский, Кравченко, Мануйлов, Фиалков
МПК: H01R 39/20, H01R 43/12, H05B 31/16 ...
Метки: низкоомных, электроугольных
...смолы с уротропином. В качестве пластификатора берется олеиновая кислота или стеарин.После вальцевания и размола вышсперечисленных компонентов в смесь вводится металлический порошок, например, медный, свинцозый и т, д., в количестве не более 40% по весу. После тщательного см;- шивания образуется однородная металлоуглеродистая смесь, которая прессуется при температуре 140 - 160 в форме изделия, Отпрессованные изделия подвергаются обжигу при температуре 700 - 900.Получаемые изделия имеют удельное электросопротивленисом ммр = 4 - 8 , Столь низкое электросопротивленпе получается благоЯдаря то, что при высокотемпературном обжиге металлические ча141929 стицы 4 пекавъсЫ йобразуют электропроводный металлический каркас, а неэлектропроводная...
Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов
Номер патента: 151400
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: H01L 21/66
Метки: бесконтактных, измерений, кристаллов, малогабаритных, низкоомных, полупроводниковых, сопротивления, удельного
...изобретенияУстройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.Редактор Н. С, КутаФина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева Глода. к пеи. 1 О.Х.62 т. Формат бум 70 Х 108,и Объем 0,18 изд. л. Заи. 10496 Тираж 1150 Цена...
Многоканальная система измерения напряжений низкого уровня с низкоомных датчиков
Номер патента: 466461
Опубликовано: 05.04.1975
Авторы: Асланян, Вязовский, Курочкин, Толчинский
МПК: G01R 19/00
Метки: датчиков, многоканальная, напряжений, низкого, низкоомных, уровня
...термопары и терморезисторы имеют внутреннее сопротивлениене более 1000 ол), можноприменяя обратныесвязи, построить нормирующий усилитель снужными свойствами.Представленный на фиг. 2 операционныйусилитель с входным сопротивлением Р коэффициентом усиления К и выходным напряжением Е охвачен последовательной отрица 40 тельной обратной связью по напряжению через делитель, образованный резисторами Язи Й 4. Этим обеспечивается необходимый коэффициент передачи и малое выходное сопротивление нормирующего усилителя в целом.2 Для увеличения выходного сопротивлениянормирующего усилителя (при отключенномсигнале с датчика Еимеющего малое внутреннее сопротивление Р;, т, епереключателькоммутатора П разомкнут) введена положиЗ 0 тельная параллельная...
Сплав для низкоомных прецизионных магнитов
Номер патента: 469762
Опубликовано: 05.05.1975
Авторы: Кондратов, Марин, Рогова
МПК: C22C 27/00
Метки: магнитов, низкоомных, прецизионных, сплав
...для тонкоплерезисторов.Известен сплав для низкоомнык пренык резисторов, имеющий следующийвес. %: кремний 52 - 60, кром 32 - 3кель 8 - О.Однако этот сплав отличаетсяудельным сопротивлением (порядк5000 ом/квадрат) и высоким темперакоэффициентом сопротивления (2 10 - "в интервале температур от - 65 до 12С целью снинкения удельного сопрурного коэффициентасторов предлагаемыйее соотношение комп ибороости, к ночны.с его состав, вес. никель 6, обладает пор .сро но 50 ом,квадрат цизионсостав, 8 и нифф 10 - " град -низким500 - турным град ) 5 С. отивле- сопросплав онентов,сть Фор мула зооретення 5сто 1 зези. кель, иже- атурмсет мны; прецнзионны:кремний, сром и нтем, что, с целью сзтивления и темпесопротивления, онсе с/ 34 - 47 1 - 7,5...
Устройство для подгонки низкоомных проволочных резисторов
Номер патента: 618801
Опубликовано: 05.08.1978
Авторы: Баурин, Киреев, Ковалев, Смирнов
МПК: H01C 17/245
Метки: низкоомных, подгонки, проволочных, резисторов
...с ходовым винтом 56, которыйсвязан резьбовым соединением с элемен)том 57 компенсирующего устройства, включающего также вилку 58 для воздействия на задающий элемент 59, связанный с салазками.Ходовой винт соединен с узлом 60 многоступенчатой регулировки скоростирадиальной подачи, управляеюгм черезэлектродвигатель 61 от электрическойсхемы, содержащей блок контроля и управления 62, измерительный мост постоянного тока, в который входят сопротивление плеча отношения 63, сопротивление плеча сравнения 64 с добавочным сопротивлением 65 и шунтирующимего контактом бб коммутирующего элемента, эталонный резистор 67 и привод узла 68 многоступенчатой регулировки скорости радиальной подачи шлифовального круга 50 с добавочным сопротивлением 69...
Измеритель низкоомных комплексныхсопротивлений
Номер патента: 822079
Опубликовано: 15.04.1981
Авторы: Братус, Гриневич, Карпенко
МПК: G01R 27/02
Метки: измеритель, комплексныхсопротивлений, низкоомных
...предлагаемого измерителя.Измеритель содержит источник 1питания, измеряемый объект 2, 50образцовые меры 3 взаимной индуктинности с обмотками 4 и 5 и 6 с обмотками 7 и 8, образцовые резисторы9 и 10, детектор 11 равновесия, трансФорматоры 12 с обмотками 13-15 и 16с обмотками 17-19Работа устройства осуществляетсяследующим образом,При равновесии цепи обеспечивается равенство напряжений на зажимахизмеряемого объекта 2 и на зажимах бОобмоток 14 и 18.Если сопротивленияпервичных обмоток 13 и 17 трансформаторов 12 и 16 бесконечно велики,то никакого шунтирования образцовыхмеры 3 и резистора 9 нет. При этом 65 напряжения на зажимах обмоток 15 и 19, наведенные потоками в основных сердечниках трансформаторов 12 и 16, обусловленных соответствующими...
Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1012354
Опубликовано: 15.04.1983
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных
...основе порошков дисилицида молибдена и никеля.Исходными компонентами материала 1 О служат следующие порошки: Молибдендисилицид (МоЫд) ТУ-09 03-395-74,никель, марка ПЙК 1 Л 5 ГОСТ 8722-71Средняя дисперсность порошковсоставляет 40 мкм.Для получения материала порошкиисходных составляющих (Мо 8 и М ),взятые в необходимых пропорциях, подвергают мокрому смешиванию в средеэтилового спирта 250 мл на 1 кг 20 шихты в течение 8 ч. Смешиваниепроводят е полиэтиленовом барабанес агатовыми шариками диаметром 1 О мм,Барабан вращается на рольганге со ссредней скоростью 75 об/мин, Соотно шение масс шаров и шихты составляет3:1После смешивания полученную шихту сушат е термошкафу при 60-80 С иподвергают протирке через сито с 30 сеткой 10063 для разрушения...
Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1014045
Опубликовано: 23.04.1983
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных
...для низкоомных тонкопле.ночных резисторов, содержащий ниобий и легирующие добавки, в качестве легирующих добавок содержит ванадий, молибден, хром и углерод при следующем количественном соотношении ком понентов, вес.%: 0,55,00,010,3 МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 5,25 10,0 0,1 б,б 2. Ванадий МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 3. Ванадий 11,0 Молибден 15,0Углерод 0,2 Хром 13,0 0,5-11,0 ВанадийМолибден Углерод Хром Ниобий 5.0-15,0О, 01-0,2. 40 0,3-13,0 Остальное Приведены конкре ные примеры 45 приготовления реэистивного материала предложенного сплава с различным содержанием исходных компонентов и их характеристики.Методом вакуумной дуговой плавки получали мишени из предложенного Численные значения параметров материала Рабочий...
Магазин низкоомных сопротивлений
Номер патента: 1054838
Опубликовано: 15.11.1983
Автор: Ярославцев
МПК: H01C 10/46
Метки: магазин, низкоомных, сопротивлений
...номинального значения сопротивления шунтирующего резистора (Й 2), выраженного по формуле (1), получаем . 6(1+д"1) (10-и) +(1+ сГ) (90+и)90+иусловиюэ 1 товления магаэи100на, после постановки получаем1 Фд",+ д+д с)1+Г 2 1 21 0,9)2+(б 2 1) 100После преобразования получаемО, 9 д"1+О, 1 д 2+ сд - (д - д )01 2 2 1 100Эф С 1 ф 2( 2 1 ф100Без существенной ошибки в определении погрешности а эту формулу приводим к виду Ф -Ор 90+0,1 с 2 (2)еВариация переходных сопротивлений контактов переключателей шунтиЭ рующих резисторов принимается равной 0,0003 Ом, что соответствует вариа-" ции переходных сопротивлений контактов переключающих устройств магазинов сопротивления класса точности 0,02 с одной декадой. Эта вариация составляет 0,33 от минимального...
Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1056281
Опубликовано: 23.11.1983
Автор: Юсипов
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных
...изпредлагаемого материала, обладаютжаростойкостью при эксплуатациина воздухе вплоть до температурыплюс 280 С и термостабильностью завремя 10000 ч, т,е, изменение величины сопротивления резистора от номинала составляет +7% при температуреокружающей среды плюс 280 С,оПовышение жаростойкости и термостабильности в предложенном материале происходит за счет того, что молибден образует с легирующими добавками гамма-фазу и твердые растворы,обладающие повышенной жаростойкостьюи териостойкостью. Введение лантаноидов в приведенном процентном1056281 Уменьшение содержания легирующихдобавок ниже указанных пределов приводит к резкому снижению жаростойкости и термостабильности при длительной эксплуатации.увеличение содержаний л гируюших...
Способ изготовления низкоомных угольных микроэлектродов
Номер патента: 1648357
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Блистрабас, Курас, Хусаиновене
МПК: A61B 5/04, A61B 5/0478
Метки: микроэлектродов, низкоомных, угольных
...М.Самерханова Техред М.Моргентал Корректор С,Шевкун Заказ 1860 Тираж 408 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 мкА. При визуальном наблюдении в микроскоп установленный ток пропускают до среза угольной нити у края стеклянной изоляции, Затем меняют полярность подключения электродов к зажимам выхода ге нератора, устанавливают длительность импульсов 0,1-1 мс, частоту следования импульсов от 1 до 10 имМс и их амплитуду, обеспечивающую ток 0,5-1,5 мА. Ток, вызывающий нагрев кончика микропипетки до 10 локального кипения окружающей жидкости, пропускают до удаления...
Способ изготовления низкоомных угольных микроэлектродов
Номер патента: 1715312
Опубликовано: 28.02.1992
Авторы: Курас, Хусаиновене
МПК: A61B 5/04
Метки: микроэлектродов, низкоомных, угольных
...катодного тока, отслоения эпоксиднойоболочки травлением анодным током и срыва отслоившейся части эпоксидной оболочки пропусканием через микроэлектродимпульсов катодного тока.Недостаток способа заключается в том,что в связи с многоэтапностью процессаформирования отводящего кончика микроэлектрода он является трудоемким.Цель изобретения - упрощение и ускорение способа изготовления микроэлектродов.Цель достигается тем, что после введения угольной нити в стеклянный капилляр,вытягивания микропипетки с угольнойнитью внутри, образования электрическогоконтакта между выводом микроэлектрода иугольной нитью, среза угольной нити у краястеклянной изоляции травлением анодным. током (по известному способу) кончик микропипетки с угольной нитью внутри...
Способ получения низкоомных омических контактов к теллуриду цинка р-типа проводимости
Номер патента: 1554671
Опубликовано: 07.04.1992
Авторы: Болтунов, Иванов, Никеенко
МПК: H01L 21/268
Метки: контактов, низкоомных, омических, проводимости, р-типа, теллуриду, цинка
...Облуцение образца со стороны металлической пленки не приводитк положительному результату. Источником излучения служил лазер на неодимовом стекле, работающий в импульсном режиме с длительностью импульса0,5 мс и энергией кванта, меньшешириНы запрещенной эоны теллуридацинка (1 1, =1,1 эВ, Г (300 К)2,25 эБ). Лазерное излучение Фокусировалось на образце с помощьюлинзы, Плотность мощности излученияизменялась от 1,8 до 2,8 10 Втсм2путем перемещения линзы относительнообразца.Выбор нижнего предела плотностимощности излучения обьясняетсл тем,что при меньших мощностях облученияположительньй результат не достигается. При значениях плотности мощности больше 2,8 10 Вт/см наблюдалосьйразрушение передней поверхности...
Резистивный материал для изготовления низкоомных тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1632251
Опубликовано: 15.07.1994
Автор: Ряхин
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, низкоомных, резистивный, резисторов, тонкопленочных
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, титан, алюминий и диоксид кремния (IV), отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, он дополнительно содержит оксид алюминия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 40 - 62Титан 15 - 22Алюминий 4 - 8Диоксид кремния (II) 13 - 22Оксид алюминия 3 - 10