C30B 13/00 — Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой

Номер патента: 109262

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Мочалов, Пипко, Шифрин-Крыжаловский

МПК: C30B 13/00

Метки: германия, монокристаллических, прутков

...длине его, монокристя,г 11 Сскпе прутп гсрмяшя полу- :5 ю 1 Гз полпкрпсталлчсскГх загоОво, отлитых и гряфптовые формы, путем зопной пронаявки зготовки, сплавленной с монокр Стялгпсско 1 :1 ятрявОЙ, прнчс. мсждм 31 Отов.Ой и з 1 тр 1 вло вводнтс 51 легрую 1 няя тяблсга пз германия, содержяиего расчетное оличество примеси,Рс 0:сде:11 я техно,ОГ 11 Я заключается в сгсд ющем.Сия 1 л Пз пог 1 икрпст 1 ГгпчссОГО ГСР.131 Я нзГОтовлЯетсЯ п 1 зУтокГОотлив,и в графитовм 10 форму и последующего быстрого охлаждения слитя.Пос.с атого иуток-зготовка, р 1 спол 01:сины всГ)т 1 яльно, сплавляст- СЯ С .0110 ЕПИСТ 1 ГЛПЧССЕ 01 ЗЯТРЯЬ- кой, причем между ппмп вводится гсгп рукина я таблетка, прсдст 11 всЯющая собой цилиндрический кусочек германия,...

Номер патента: 155003

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 13/00

Метки: 155003

...1 схематически изооражен описываемьш аппарат, вид сбоку; па фиг, 2 - камера аппарата, вид сбоку с частичным разрезом.На станине 1, снабженной механизмом 2 ее поворота, смонтированы шлюзовые загрузочное устройство 3 и разгрузочное устройство 4, привод 5 толкателя б и герметическая камера 7, Последняя выполнена из отдельных алюминиевых секций А, Б, В, соединенных между сооой т;нгеляи 8 с водоохлакдаезызт сеами 9, В каждой секции камеры установлены электрические нагревательные элементы 10 и ролики для передвижения металлов, подвергающихся зонной очистке. Кроме того, в камере устроены смотровые окна 11 и установлены датчики 12 инфракрасных сигналов.Излучаемая нагревателями энергия сосредоточивается вокруг слитка металла (на чертеже не...

Номер патента: 161120

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 13/00

Метки: 161120

...зонной плавки с применением предлагаемого способа создания низкотемпературного фона.В кварцевой трубе 1 расположена запаянная ампула 2 с лодочкой 3, в которую помещено соединение 4, подлежащее очистке, например арсенид галлия; мышьяк 5, находящийся в отростке ампулы, нагревается печью сопротивления б. Расплавленная зона создается высокочастотным индуктором 7.Инертный газ, движение которому сообщается центробежной турбиной 8, циркулирует в замкнутой системе, нагреваясь до 1000 С в радиаторах 9 щелевого типа, и омывает ампулу 2 с соединением, нагревая ее до 600 - 650 С, Вокруг ампулы 2 с соединением образуется равномерное тепловое поле при возможности полноценного визуального контроля за процессом.Предлагаемый способ создания...

Номер патента: 161925

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 13/00

Метки: 161925

...имеющего отверстие для слива чистого продукта в центре и кольцевое отверстие для слива загрязненного продукта, расположенное перед питателем, причем загрузка в контейнере имеет уклон от периферии к центру.Это дает возможность осуществить непрерывный процесс зонной перекристаллизации по зонно-транспортному способу с непрерывным отбором чистого продукта.На чертеже представлен общий вид аппаратаа.В кольцевом контейнере 1 расположена наклонная загрузка 2. Расплавленная зона 3 создается спиральным нагревателем 4.Для подпитки исходным материалом б служит кольцевой питатель б, распо по периферии контейнера. Чистый непрерывно сливается через отвер центре контейнера.Попадание в питатель примесей вращается сливом загрязненного через...

Номер патента: 190574

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Каневский

МПК: C22B 58/00, C22B 9/02, C30B 13/00 ...

Метки: веществ, легкоплавких

...0 ного в ванне холодильника 5 или нагревателя б,способы очи лизацией, в здается фоку емом слитке а перемешива тся вращаюи аемым отдель описываемог плавленную з кусированных ем перемеще еством в жи льтразвуковы стки галлия которых распл сированием на тепловых и ние расплава нимся магнитн ным устройств о способа яв ону создают з ультразвуков ия контейнера дкой среде в х колебаний, Способ очистки легкоплавких веществ, на пример галлия, зонной перекристаллизациейв горизонтально установленном контейнере, от,гичаюигийся тем, что, с целью упрощения аппаратурного оформления процесса, контейнер с перекристаллизируемым веществом пе ремещают в жидкой среде в фокусе источника ультразвуковых колебаний. зможность упростить а ение процесса в...

Номер патента: 276017

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Герцберг, Павлов, Розкин, Слезко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/54

Метки: веществ, зонной

...производительности и качестве конечного вещества.Для улучшения качества конечного вещества путем непрерывного регулируемого вывода загрязненного примесями расплава непосредственно из зоны очистки в предлагаемом устройстве центральная трубка оборудована в своей верхней части расширителем, размещенным непосредственно в зоне очистки, а в нижней части - регулирующим вентилем.На чертеже схематически показано описываемое устройство.Оно состоит из герметичной емкости 1 с обогревагощей рубашкой 2, в которой неподвгггно закреплена трубка,3 с крапом 4, снабженная центральнои трубкой 5 с расширителем 6 в верхней части ц регулцровочным вентилем,г в нцжцсй части.5 Устройство работает следующим образом.Расплавленный исходный продукт подаетсччерез...

Номер патента: 305907

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лакеенков, Лубенец, Оплеснин, Стол, Чече, Ястребков

МПК: C30B 13/00, C30B 29/60

Метки: бикристаллов

...ведут скво плавлением прутка, разв 20 относительно другой на последующим охлажден зоны.ристаллов из моноотлачающийс тем, процесса и получеисталлической гразным местным прооротом одной части требуемый угол и ем расплавленной Известен способ получения бикристаллов из монокристаллического прутка, заключающийся в том, что пруток делят на затравки, обрабатывают механически предполагаемые места их соединения, ориентированно совмещают и затем сваривают.Лля упрощения процесса и получения качественной межкристаллической границы предложено процесс вести сквозным местным проплавлением прутка, разворотом одной части относительно другой на требуемый угол и последующим охлаждением расплавленной зоны.П р и м е р. Получение бикристаллов молибденаа.Мол...

Номер патента: 412904

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: B01D 9/00, C30B 13/00

Метки: 412904

...секции которого образованы аксиальными винтовыми змеевиками, а нагреватель размещен по оси навивки змеевиков,На фиг. 1 показано предлагаемое устройство, продольный разрез; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.10 Устройство состоит из секций 1 и 2, соединенных питателем 3 и имеющих выходные штуцеры 4 и 5 очищенного и загрязненного продукта соответственно, и нагревателя 6.Секции 1 и 2 выполнены в виде неподвижных 15 аксиальных винтовых змеевиков, навитых впротивоположных направлениях, а нагреватель 6 вращается по оси их навивки. Устройство работает следующим образом.20 Секции 1 и 2 заполняют через питатель 3расплавом очищенного вещества и охлаждают до затвердевания расплава. При этом в обогреваемых питателе 3 и штуцерах 4 и 5...

Номер патента: 680227

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Катрич, Пугач

МПК: C30B 13/00

Метки: плавки, электронной

...рентгеновского излучения.На фиг. 1 приведена схема устройства для электронной зонной плавки; иа фиг. 2 - вольт-амперные характерис тики ограничительного диода.Устройство для электронной зонной плавки тугоплавких металлов состоит из плавильной камеры 1, вакуумного блока 2, устройства 3 для закрепления и перемещения переплавляемой заготовки 4 и высоковольтного блока 5 питания. В камере 1 размещен электронный нагреватель б. Непосредственно в полости плавильной камеры 1 размещен линейный катод 7 и цилиндрический анод 8 ограничительного диода 9, че-. рез который электронный нагреватель б соединен с блоком 5 электрического питания.Коаксиально катоду 7 у обоих торцов анода 8 установлены конические экраны 10, находящиеся под потенциалом...

Номер патента: 894024

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Кременчугский, Лингарт, Скляренко

МПК: C30B 13/00

Метки: границы, кристаллизации, положения, процессе, раздела, фаз

...амплитудный анализатор 1 О и таймер 1.Устройство работает следующим образом.Излучение из герметичной камеры 1 со смотровым окном 2 от области, примыкающей к границе раздела двух 20 фаз 3 и 4, с помощью оптической системы 5, спектрального фильтра б пре рывается модулятороми проецируется на линейку 8 пироэлектрических приемников. Линейка 8 пироэлектричес- г 5 ких приемников расположена перпенди " кулярно границе раздела фаз в проек" ции исследуемой зоны. Радиационные свойства поверхностей Расплавленной и твердой фаз 4 и 3 отличаются как30 Mо температуре, так и по спектральному составу. Поэтому на каком-то из чувствительных элементов линейки 8 пироэлектрических приемников, на который проецируется граница разде/ 35 ла фаз, величина сигнала...

Номер патента: 899738

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Бари, Гинзбург, Гришин, Миленин, Сахаров, Федорова

МПК: C30B 13/00

Метки: зонной, расплава, слива

...свободно расположенную на поцпоне и имеющующель в цне аля слива расплава и установленный поп ней тигель, привод горизонтального перемещения, снабженный толкателем с кулачками, вэаимоаействуюшими35с лодочкой и поццоном, инцукционный зонный нагреватель и крючок, соеаиненныйс поддоном, снабжено втулкой, свобоцнопосаженной на толкателе и соециненной с40крючк ом. На фиг. 1 показано устройство во время провеаения процесса зонной очистки;на фиг. 2 - то же, при совместном пере 45 мешении лоаочки и поддона с расплавленной частью материала перец провепением операции слива на фиг. 3 - то же, во время перемещения лодочки относительно поааоне и слива материала.Устройство включает лодочку 1 со56 щелью 2, свобоцно расположенную на поддоне 3, толкатель...

Номер патента: 1105519

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Голинка, Головей, Крафчик, Шпырко

МПК: C30B 13/00

Метки: зонной, плавки

...зокной плавки многократно повторяют до установления конечного распределения примесей в очищаемом слитке, Массоперенос при зонной плавке устраняют наклонением очищаемого слитка на экспериментально определяемый угол. Применение контейнера закрытого типа позволяет изолировать очищаемый слиток от окружающей среды.Недостатками устройства являютсяневозможность разделения очищенногозонкой плавкой слитка вещества начасти с различным содержанием примесей до извлечения слитка из контейнера и следовательно невозможность сохранения чистоты очищенного зонной плавкой вещества ввиду неизбежности механического разделения слитка посче извлечения его из контейнера.110551Цель изобретения - повышение чистоты материала слитка путем разделенияготового...

Номер патента: 1587081

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Левенгаген, Пальчик

МПК: C30B 13/00

Метки: вещества, высокочистого, зонной, органического, плавкой, разделения, слитка

...вещество в контейнере 1 оказалось погруженным в жидкий азот, и период откачки при помещении контейнера 1 в сосуд Дьюра с жидким азотом чередуется с отсутствием откачки и повышением температуры контейнера 1 до температуры окрукающей среды. Эти последовтельные операции повторяют не менее трех раз. За,тем в процессе откачки по перетяжке (не показана), припаянной сверху к патрубку 2, отпаивают контейнер 1 от вакуумной системы, герметизируя его тем самым по патрубку 2. Проводят очистку вещества в контейнере 1 методом зонной плавки при вращении контейнера 1 до конечного рас" пределения примесей. После эонной плавки контейнер 1 через йатрубок 4 с перегородкой 5 герметично спаивают с трубкой б и устройство разделения высокочистых органических...

Номер патента: 1604866

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Александров, Варганов, Калманович, Семенов, Юшкевич

МПК: C30B 13/00, C30B 13/20

Метки: веществ, зонной, методом, плавки

...Фаза - расплав происходит перераспре 50 деление примесей между твердой и жидкой Фазами за счет из различной растворимости в твердой и жидкой Фазах. Примеси при движении расплавленных зон оттесняются к концам контейнера55 в зависимости бт коэФФициентов распределения и, таким образом, осуще-ствляется очистка вещества. Количество проходов расплавленных зон выбирают в зависимости от целей эксперимен"та.При очистке веществ методом зонной плавки большая сложность состоит в необходимости использования дорогостоящих толстостенных кварцевых труб и трудоемкости работ по изготовлению шлиФовальных контейнеров. В данном . решении эта задача решается за счет изменения конструкции нагревателя, обеспечивающей воэможность работы с контейнерами, имеющими...

Номер патента: 1712472

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Федоров

МПК: C30B 13/00

Метки: полупроводниковых

...по шагу.,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯПРОВОДНИКОВЫХ МАТ(57) Изобретение относиполупроводниковых мате Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для их высокопроизводительной промышленной очистки.Наиболее близким к изобретению является. устройство, содержащее несколько фоновых нагревателей, каждый из которых снабжен и зонными,нагревателями, закрепленными на общей каретке.Недостаток известного устройства заключается в том, что в начале и в конце каждой-операции изонных нагревателя работают вхолостую.Цел ь изобретения - повы шенив; произвОдительности за счет исключения холосто-, го хода зонных нагревателей,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1781331

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гавалешко, Криган, Радевич

МПК: C30B 13/00, C30B 29/08

Метки: германия, зонной, изотопнообогащенного

...возможная длийа этогоучасткастаток обуслбвлен тем, что при "очйстке ма- в каждом конкретном примере реализациилых количеств йещества очень трудноспособа должна быть определена экспериобесйечить малость соотношенйя 1/1,от ко- ментальным йутем из условия, чтобы силыторого зависит эффективность глубокойповерхностного натяжения со стороны расочистки. Поскольку существует предел для 30 плавленной зоны не могли преодолеть силыуменьшения 1, то приходится увеличйвать 1 сцепления неоплавленного участка слитка сза счет уменьшения сеченйя слитка. Зф- поверхностью контейнера. Очевидно, что.фект, обусловленный действием сил"повер- эти силы сцепления зависят от веса неоп.) хностйого натяженйя, не позволяет, лавленного участка, однозначно...

Номер патента: 1798394

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Икрами, Парамзин, Халимов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллического, фторида

...жеемния. 1 ил. 2 табл.1798394 3рости выше 80 мм/ч - эффективность очистки уменьшается,Поскольку существенные отличия, аименно; скорость протяжки 8-80 мм/ч череззоны плавления больше одной, температурный градиент между которыми 80100 С/см, а вакуум 10 -10 мм рт,ст. визвестных решениях не обнаружены,П р и м е р. В тигель, предназначенныйдля зонной плавки. помещали фторид кальция, полученный по известному способу, Горизонтальную перекристаллизацию.производили в печи СГВВ.100.250/22 ИТ. Градиент температур между зонами составлял 80-100 С/см относительной 15ширины зоны нагрева 10-25 мм, расстояниемеждч зонами составляло 80 мм, В зоненагрева создавали вакуум 10 мм рт,ст. и-5температура плавления 1480"С, тигель протягивали через 6 зон...

Номер патента: 1658668

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Адонкин, Данько, Калашников, Катрич, Качала, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких

...паров воды (более 3:10 мг нэ 1 дм) приводит к увеличению расхода вольфрама и молибдена и загрязнению кристаллаэ этими примесями.Аналогично связывается кислород, десорбирооэнный с поверхности.экраноо и нагревателя, Дальнейшее пооьииение температуры не приводит к каким-либо процессам, способным вызвать мзссоперенос молибдена и оольфрэма в зону нагреоа.В процессе плавления оксида алюминия и его кристаллизации при указанных выше давлениях сколько-нибудь заметной реакции между расппэоом и компонентами газовой середы не установлено. Таким образом, проведение кристаллизации о защитной восстановительной а 1 мосфере/ состоящей иэ Лг, И 2 и СО, в отличие от вакуума ипи атмосферы инертного гзэз (зргона) полностью ликвидирует процесс...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Номер патента: 1213780

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: C30B 13/00, C30B 29/52

Метки: металлов, монокристаллических, основе, сплавов, труб, тугоплавких

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРУБ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ НА ИХ ОСНОВЕ бестигельной зонной плавкой, включающий перемещение расплавленной зоны от кольцевой затравки вдоль исходных установленных на затравке прутков, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и получения беспористых труб большой длины, исходные прутки берут диаметром 0,8 1,4 5% от толщины стенки трубы и устанавливают их по окружности с зазором, при котором расплав за счет капиллярных сил удерживается на уровне кромки оплавления прутков или выше ее.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью введения во время процесса легирующей добавки, у зазоров между...

Номер патента: 1061526

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Каретников, Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: C30B 13/00

Метки: металлов, монокристаллов, плоских, тугоплавких

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ, включающий формирование зоны расплава между исходным прутком и верхним участком кромки горизонтально расположенной цилиндрической затравки, наращивание кристалла слоями путем перемещения зоны по дуге при повороте затравки вокруг ее оси с программным изменением скорости поворота и вертикальным перемещением затравки и прутка, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов при обработке давлением и после прокатки, затравку ориентируют по выбранной кристаллографической оси перпендикулярно или в направлении наращивания, отклоняют затравку на угол 80 - 90o, перемещают зону по дуге качанием относительно выбранного направления или нормали к нему с...

Номер патента: 1651594

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Горобец, Куликов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/46

Метки: «и—или», висмута, основе, сурьмы, термоэлектрического, халькогенидов

1. Способ получения термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута, включающий синтез при нагреве исходных компонентов до плавания в эвакуированной ампуле, охлаждение и вертикальную зонную перекристаллизацию без разгерметизации ампулы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном улучшении электрических и механических свойств материала путем обеспечения его однофазности, используют ампулу переменного сечения, имеющую часть с меньшим диаметром, синтез ведут при вращении ампулы вокруг ее поперечной оси, а охлаждение проводят закалкой расплава в часть ампулы с меньшим диаметром, затем эту часть отделяют и зонную перекристаллизацию проводят при величине температурного...

Номер патента: 1360266

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Дорошенко, Ковалев, Собина, Стоян

МПК: C30B 13/00, C30B 29/40, C30B 31/00 ...

Метки: биgt, монокристаллов

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.