C30B 29/06 — кремний

Номер патента: 107450

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием

...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...

Номер патента: 113874

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Романов

МПК: C30B 15/16, C30B 29/06

Метки: кремния, плавления

..."15 к вертикали над окнами 9 и 10 из кварца, эти потоки лучистой энергии концентрируются на вершине кучки кремния 14 так, что дейсттельные изобраЖения к)ят 61)св элект)ических дуг няклядывяютс 51 ОднО ця другое и фс"- сируются в виде светящегося пятна 17, несколько .мещеццого отцос)Тс.1- цо оси вращения массы кремция.Для уменьшеция потери лучистой энеЬ)гии вогнутое зеркало 1,3 и плоские зеркала 15 и 1 б выполнены из металла или с внецп)им покрытием из металла, а потери тепла за счет излучения его расплавом кремния цредо,- врашаются экранами 5 и 6.Внутри камеры 1 оси потоков уистой энергии находятся в одной плоскости, перпендикулярной к плоскости слоя 18 расплавленного кре;- ния.Лучистая энергия, концентрируемая на вершине кучки...

Номер патента: 138062

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Иноземцева

МПК: C30B 29/06, C30B 31/08

Метки: заготовок, кремниевых

...Из предварительно легированного добавками йодидов тетрахлорида кремния путем термического разложения получают кремниевую заготовку, легированную одной или несколькими примесями.Описываемый способ позволяет проводить легирование кремния в более чистых условиях и дает возможность получить при вытягивании легированной кремниевой заготовки монокристалл с хорошими свойствами с первого вытягивания.В качестве легирующих добавок использовались йодиды бора, фосфора, мышьяка и сурьмы, которые добавлялись к очищенному фракционной дистилляцией тетрайодиду кремния, и полученная смесь под. вергалась термическому разложению в аппаратуре трубчатого типа.В полученных трубчатых заготовках кремния определялись концентрации введенного элемента по...

Номер патента: 139440

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Бамунер, Васильев, Данилков, Дудин, Кочергин, Малинин, Моргун, Пекерис, Петров, Слухоцкий

МПК: C30B 13/28, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...1 предназначен для одновременного воздействия на зону расплава токов двух частот: высокой (5 Мгц) и низкой, регулируемой в пределах от 8 до 25 Кгц. Это обеспечивает проведение плаво". слитков различных диаметров, каждому из которых соответствует своя частота тока, создающего необходимый электромагнитный подпор и поддерживающие усилия.Низкочастотный генератор собранра, в котором используются импульсыугольной форме, которую имеет и на по схеме электронного инверто анодного тока, близкие к прямопряжение на аноде генераторнойМ 139440лампы За счет постоянного напряжения на аноде лампы в период ее проводимости и прямоугольной формы анодного тока резко до 90% возрастает к.п.д. лампы и мощность. отдаваемая ею,Плавильная печь (фиг 2)...

Номер патента: 155288

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 13/08, C30B 29/06

Метки: 155288

...с этим для изготовления кварцевых тиглей (лодочек ООХОи.10 испо ьзов 2 ть кварц тякОЙ жк 11 стОты. Кяк 1 пстота кре (10- 10 ,); ПОЛуЧЕНИС таКСГО КЬариа и ИЗдСЛцй ИЗ цЕГО цс З слоакцо, чем получсше чцстогкремни. Зядя 11 эта до цястог Бремени це решена.1(р. описанцьх способах очистки кремния т:гс ь (ло;1 чка) кяакдой Опсраг 1 ци рязруцяетс 51, коро;1 ск 1 етялсОцдя, ткаке, К 2 К и ло, р 23 Э 1 шается, и п(зоконтрэли(зсвать сО свйствс цевоззОжцо, ъ 1 е то О, РасхОд стсЯ ДО(ц) Ой ква 1 ц Бьсок 011 11 стГ . 1;.М 150253Во изос(ание таких 51 влсии, ка( Сма 151 вание кварца, растрескиваиис тигг)51 и слитка, предлагастс 5 Проодиь зонную Очистку кремния в Окисг 1 ительнОЙ атз 10 сфеГе (кислород и.1 и смесь кислОрода с 1 нертными Газами) с...

Номер патента: 272964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Устинова, Шварцман, Юшков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: монокристаллических, слоевкремния

...слоя мелкодисперсн нием из газовой фазы происходит б номерное наращивание по площади и вания. В ропсходп порп тымструктуи загрязым кремолее рав- одложки особу в состав паролористый водород. Этов газовой фазе у почкодисперсного кремедм е изобретения Способ получ слоев кремния эпи 15 из паро-газовой лан и водород, на ператх ры 1000 -что, с целью пред зовой фазе мелко 20 став паро-газовой верхности подлон род.Известен способ получения монокристаллических слоев кремния из парс-газовой фазы, по которому парс-газовая смесь, подаваемая к поверхности подложки, нагретой до температуры 1000 - 1200 С, включает моносилан и водород.По предлагаемому спгазовой смеси вводят хпредотвратит появлениеверхности подложки ме.ния.По этому споссоу...

Номер патента: 356873

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: 356873

...пло войникования проПолученные криторное строение. ора, полученного в 11221. Плоскостяскости 1122). изобретени ред ия двойниковых нием из расплава гранной призмы, ленин 1100, отл обеспечения одно всем граням ок у, боковые гра лографическими 15 Способ кремния в ку в виде ванную в тем, что,20 двойников пользуют являются ми 1110).кристаллов на затрав- ориентироичаюи 1 ийся временного таэдра, исни которойплоскостяполучен ытягива четырехнаправ цельюания по затравккристал Изобретение о и полупроводников.Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 11001, может происходить образование двойников, являющееся, как правило,...

Номер патента: 396124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Березенко, Блецкан, Мисюра

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: бездислокационных, кремния, монокристаллов

...криста,пов к 30 цд по Т 1 охрял моцокрцстд,пд Зд здт 3 В)и, н Т 51 ГИ ВД;)п 51 П,1 О ОТ.22 П22222202 нных моноЦЗ Р 1 СПЛЯем учдсткд цм дцямстроиссе выа 1)цзяццбеспечен;я капп нцех НВДП меныВ Пкрис ЛЯО кому с выряц 1)метром,ПОДДЕРЖДЦИЕ кого фронт т; о. с цеЦель изоб условий, обе бездислокаци в цаправлени создание теплоых х устойчивый рост кристаллов кремния 30СТЕНИ 51печивающнных мот11101. м,:т 1 Зобретгцие Относится к метяллургцц .10ПР О ВОДИ и КС и.Известны способы получецицпоццых моцокристаллов повытягввяц;ем из расплава,пов которых после затравливНиучасток мо:окрцсталла с диамедиасегрд затравки, ц поддержфЭОЦТ КРНСТЯЛ;1 ИЗДЦ)М 1. Д,51 ЗОГО Ц 15 П) ВЬРЩ 16 ВЦИЦ ОЕЗД 1 Ь,ОКЦЦОЦ)ЫХ МЬОХРСТ 1,1,1 ОВ У 1 ЯЗЯЦНОЙ ОРНЕПТ 3 ЦИЦ Ве,тцчпну...

Номер патента: 418211

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям

...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...

Номер патента: 1258329

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Киндзи, Нобуюки, Тосихико, Ясунори

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, кристаллов

...температуры незначительны.Если сравнить сечения кристаллов, выращенных без вращения, то в сечении кристаллов, полученных без применения магнитного доля, ясно видны полосы из-за различной концентрации примесей, вызванной различиями в ско- рости выращивания из-за колебаний температуры, однако такие полосы не наблюдаются в сечении кристалла, выращенного с применением магнитного поля.В данном случае тигель 1 и затравка 5 не вращаются или вращаются сравнительно медленно со скоростью 0,1-0,2 об./мин.График на фиг. 3 показывает связь между относительной скоростью вращения тигля 2 и затравки 5 и концеиграцией кислорода в кристалле: лома ная линия А указывает на отсутствие магнитного поля, а спловная линия В- .на применение магнитного...

Номер патента: 687654

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Бевз, Березенко, Гашенко, Данилейко, Епихин, Тимошин, Фалькевич

МПК: C30B 15/34, C30B 29/06

Метки: кремниевых, полых, труб

...область диаметра 0,4-0,9 диаметра тигля в приповерхностных слоях расплава создается восходящим конвективным потоком в центре тигля и подогревом пе 5 10 15 риферийной части расплава непосредственно от нагревателя, Восходящие конвективные потоки создаются в расплаве при отношении удельных тепловыхпотоков, подводимых к боковой и донной частям тигля, равном 0,4-0,6.Кроме того, на столбик расплавав мениске действуют три силы: собственный вес, силаповерхностного натяжения и центробежная сила,Изменяя скорость вращения трубыможно изменять центробежную силуи тем самым регулировать Форму менискаСкорость вращения трубы должна быть оптимальной и рассчитывает 15 5 - 4 с 1ся по формуле иа с 1 где и - скорость вращения трубы,об/мин, Й - наружный...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...

Номер патента: 1578238

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Балюк, Полухин, Попов, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...на основе алюминия толщиной40 мкм. Перекристаллиэацию пластиныис очника путем перемещения расплавленной роны осуществляют в течение2 ч при температуре 1200 С в поле температурного градиента. Затем полученную структуру охлаждают до комнатнойтемпературы .и сошлифовывают слой толщиной 30 мкм со стороны выхода эоны. Полученная структура и-р состоит из пластины-подложки (и-слой) и перекристаллизованной на ней.пластины- источника (р -слой), Перекристаллизо-. ванный слой однороден по электрофизическим параметрам (разброс удельного сопротивления по площади не превышает 47). Плотность дислокаций в нем-2составляет 8 10 смПредлагаемый способ обеспечивает получение .кремниевых структур,в которых в перекристаллиэованных областяхотсутствуют...

Номер патента: 1599449

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Фомин

МПК: C30B 29/06, C30B 31/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...со стороны загрузки подают предварительно закрученный инертный газ - азот с расходом до 300 л/ч,Рабочую зону реактора подогреваютдо 900-1100 С. В процессе пирогенного окисления в реактор со стороны,противоположной загрузке, подают пары воды, которые образуют сжиганиемводорода с расходом 600 л/ч в кислороде с расходом 400 л/ч с добавлением хлористого водорода в количестве15-20 л/ч,В процессе проведен япластин отработанную п1599449 формула изобретения Составитель В, Безбородова Техред И,Иоргентал Корректор А, Пбручар Редактор Л. Веселовская Заказ 3123 Тираж 346 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1604870

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Балюк, Ковалев, Крыжановский, Лозовский, Овчаренко, Юрьев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...1. Пластины имеют диамето 30 мм. Как и в примере 1, из пластин формируют композицию, которую п,мещают в муфельную печь, Рядом с композицией располагают навеску алюминия массой 600 мг. Печь нагревают до 850 С и вводят при этой температуре в зазор между пластинами расплав алюминия. Снижают темпе ратуру до 650 С и фокусируют при этой температуре на поверхности пластины- источника лазерные лучи от пространственно разнесенных нескольких стеклонеодимовых источников излучения. Дли на волны облучения 1,06 мкм. Через 3 мин облучение композиции прекращают, охлаждают печь до комнатной тем-пературы. В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, полностью отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций составляет 2,9 х х 10...

Номер патента: 1515795

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Бабичев, Назарова, Страшинский

МПК: C30B 23/02, C30B 29/06

Метки: кремния

...до давления10 арпа. При установке реактора напротив его отФормула изобретения Преимущества предлагаемого способа по сравнению со способом-прототипом, заключается в том, что предлагаемый способ позволяет получить цэ элементарного кремния мишени, фильтСоставитель Б, БезбородоваРедактор 11.Самерхацова Техред Л.Олийнык Корректор Т.Палиц Заказ 673 Тираж 254 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета ло иэобретениям и открытиям при ГЕНГ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., и. 4/5 Производственно-иэдательсний комбинат Патент", г.ужгорол, ул. Гагарина, 10 3 1)1579верстия располагают подложку для чистого кремния,Реактор цэготавливают иэ тацталас толщиной стецок 50 мкм. Применяют5токовый нагрев. Подложку изготавливают из тантала. Помещенную...

Номер патента: 1640220

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Колесниченко, Кукоз, Лозовский, Тузовская

МПК: C30B 19/06, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: легированных, летучей, примесью, слоев

...равна 2 - 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в тецение 40 мин,1640220 Формула изобретения Способ получения слоев Я или бе, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Я или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 - 5 мкм. Составитель А....

Номер патента: 1686041

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Балюк, Вахер, Габова, Крыжановский, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...р - и-переход большой площади и высоколегированные приповерхностные области, что позволяет создавать в дальнейшем хороший омический контакт.П р и м е р 2. На кремниевые пластины диаметром 76 мм наносят такой же фоторезист с добавкой диффузанта, как в примере 1, толщиной 1 мкм; на пластину-подложку и-типа фоторезист-диффузант, содержащий в качестве легирующего элемента фосфор, а на пластину-источник р-типа фотореэист-диффузант, содержащий бор. Затем формируют композицию пластина-подложка-источник, располагают ее в нагревательное устройство, где при 1000 С торца композиции методом капиллярного втягивания формируют алюминиевую зону толщиной 50 мкм, Для создания такой зоны берут навеску алюминия массой 560 мг, после чего повышают...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1773955

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Абловацкий, Бузунов, Иванов, Калугин, Куценогий, Муравицкий, Петров, Тупаев

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...так несколько циклов, при последнем выращивании вытягивают весь расплав.Предложенное решение является усовершенствованием известного способа ивыгодно отличается ат него. Так как отсутствует механизм смены затраваки последующее выращивание производится спомощью того же механизма и на ту жезатравку, то устраня 1 атся факторы, которьемогут привести к сбоя бездислакацианногароста кристалла. Вытягивание за один циклне более 2/3 расплава, содержащегося втигле, позволяет увеличить выход годного,так как при этом, как показала практика, вмонакристалл вытягивается оптимальнаядоля расплава, которая может пойти в годную продукцию, а в тигле остается достаточный остаток расплава, который послесплдвления подпитачных стержней используется повторно для...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18 ...

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...

Номер патента: 1422957

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Романов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/04

Метки: кремниевой, кристаллической, пленки

...аморфного Р толщиной 80 нмв реакторе пониженного давлению посредством разложения моносилана при 580 С,Облучение осуществляют ионами 75 Аз+с энергией 16 кэВ дозами 10-5 105 смЗОпри температуре аморфной пленки, изменяемой от ЗОО до 700 С,С помощью метода дифракции быстрыхэлектронов на отражение исследуют структуру пленок. 35Полученные данные сведены в таблицу. Как видно из таблицы, начиная от температуры 500 ОС и выше, в аморфной пленке под действием ионов Аз образуются ориентированные по с 110 направлению кристаллические зародыши. В результате получены кристаллические пленки с осью текстуры110, параллельной направлению пучка ионов.Далее проводят второе облучение ионами 31 с энергией 60 кэВ дозой 5 1016 см. при температуре кристалла,...

Номер патента: 716178

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Глущенко

МПК: C30B 29/06, C30B 31/06

Метки: кремниевых, окисления, пластин, термического

...: ,.:, .:,: , З 5 кислорода и воды с каплеобразователем 5,Наиболее близким"по"добФйгвейому ре-" имеющим наклонно размещенный в полозультату и технической СуЩностй является . сти реактора 1 патрубок 6 с коленом 7, расустройство для термического ЬКйсления, со- полоненным внижней части реактора 1 идержащее горизонтально установленныйоканчивающимся выходным отверстием 8., кварцевый реактор, внутрй когорого уста. 8 реакторе 1 установлены кассета 9 с полуновлены кассеты для размеМеййякремнив- проаодниковыми пластинами 10,вых ппастинипоперечная"йврвгородка с . Работаустройствазаключэетсявследуокном, трубопроводы подачи" кислорода и ющем,.воды и кайлеобрэзователь спатрубком. на- Вода по трубопроводу 4 от каплеобраклонно расположенным...

Номер патента: 1824958

Опубликовано: 10.10.1995

Автор: Худицын

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...внутри кварцевую ловушку 5. На фиг. 2 и 3 дан вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью в виде полукольца (вид сбнку и в плане); на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фиг. 4 и 5 - другой вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью виде двух пересекающихся кварцевую прутков. Дно одного и другого варианта выполнено с отверстиями для стекания расплава при подьеме ловушки. Для упрощения вылавливания частичек кварца в первом варианте(фиг, 2 и 3) полукольцо выполнено усеченным, во втором варианте (фиг. 4 и 5) один из прутков расположен по горизонтали, а другой небольшим углом к горизонтали.Далее загружается тигель, Сначала проводится загрузка остатков кремния в тигле, затем оборотный кремний, После расплавления загрузки тигель с...

Номер патента: 503463

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Бочкарев, Грайвер, Грибов, Иванов, Татаринов

МПК: C01B 33/02, C30B 29/06

Метки: кремниевых, подогрева, стержней

Способ подогрева кремниевых стержней при получении кремния в аппарате водородного восстановления хлоридов кремния за счет тепла, получаемого от газа-носителя, например, водорода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества готового продукта, нагрев водорода ведут в дуговом плазмотроне.

Номер патента: 1005511

Опубликовано: 10.05.2000

Автор: Забродский

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: кремния, легированного

Способ получения легированного кремния путем выращивания его, облучения медленными нейтронами и отжига, отличающийся тем, что, с целью получения материала n- или p-типа проводимости с заданной степенью компенсации, в кремний в процессе выращивания вводят германий, атомарную долю которого x определяют из соотношениягде К - заданная степень компенсации полученного материала;КGe - степень компенсации нейтронно легированного германия;m = -1 или +1 соответственно в материале n- или p-типа проводимости; - содержание изотопов...

Номер патента: 623298

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин, Симонов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/02

Метки: кремния

Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.

Номер патента: 1396644

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Волков, Липатов, Рязанов

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, полупроводников, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.

Номер патента: 1498074

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Никитин, Петровнин, Поташный, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: кремния

Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...